dell27吋的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

dell27吋進入發燒排行的影片

金屬有機氣相沉積成長技術在氮化鎵基高電子遷移電晶體之應用

為了解決dell27吋的問題，作者呂憲中 這樣論述：

近年來三族氮化物之高電子遷移率電晶體 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)，其高頻、高功率之應用潛力已被成功地驗證。 當三族氮化物 HEMTs 被應用於商業市場時，雖然已經過多年，但是仍然有許多的研究投注在效率與可靠度之改善上。本研究之目標即是開發氮化鎵 (GaN) HEMT所需之金屬有機氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)成長技術，並藉由調變能障層之應力及消除於GaN緩衝層內之非刻意摻雜，以提升GaN元件之實用效能。本研究首先在兩英吋的藍寶石單晶基板上成長AlGaN/GaN

HEMTs 之結構，這是因為此基板成本較低廉，並且可獲得高品質磊晶結構。在此基板成長之AlGaN/GaN HEMT，因殘餘氧之故導致有高漏電流之特性。為消除高漏電流只有抑制此氧雜質問題才能解決。因此，為開發出高崩潰電壓之AlGaN/GaN HEMTs，必須能同時抑制自藍寶石基板之氧擴散，或者是去除由前驅物殘存之氧雜質，才能得到。為提升HEMT元件之性能，首先必須要成長出高結晶品質之AlGaN 能障層，並且進行應力調變，方可達成可靠的性能改善。這些優化之成長參數，特別是氣壓值與三/五比，在成長高品質AlGaN時，對於相分離的抑制以及Al組成的非均質現象而言，非常重要。在AlGaN/GaN異質結

構中之殘留應力，則來自於晶格常數之不匹配度，是可以藉由改變高溫成長於AlGaN與GaN之AlN中間層 (interlayer) 厚度，而獲得改善。另外，Al摻入AlGaN的量以及結晶品質，亦會受AlN中間層引發之應力影響。因此，使用優化之條件成長AlGaN/GaN HEMTs於2吋藍寶石基板上，將可獲得具有優良電性與均勻性之磊晶片。此外，本研究展示以MOCVD 進行其結構、能障層應力以及非刻意之碳摻雜等工程調變方式，提升AlGaN/GaN HEMTs 其電器性能之成果。所提出之HEMT前瞻結構，即以高溫-低溫-高溫交錯方式成長AlN緩衝層，再配合高溫AlN中間層，則可將HEMT的崩潰電壓推升至

200V以上。此結構設計主要是藉由插入高溫AlN中間層位於傳統HEMT結構中，可降低AlGaN能障層之拉應力而明顯改善表面平整度。進而大幅提升46%二維電子氣(2 Dimensional Electron Gas, 2DEG)之電子遷移率，達到 1900 cm2/Vs 。同時，此以高溫-低溫-高溫交錯方式成長之AlN，取代了傳統結構中之高溫緩衝層，則可增進氮化鎵之結晶品質，明顯提升HEMTs之性能。此前瞻之HEMTs結構，在製作出元件後，其直流 (DC) 特性大幅提升， 與傳統以AlN緩衝層結構相較，其洩極 (Drain) 最大電流增加率達35.5% (~ 680A/mm)；電導 (trans

conductance) 則有 15% (114 mS/mm)增加率。此插入高溫AlN中間層之方式，確實可降低AlGaN能障層之拉應力，因此對於AlGaN/GaN HEMTs 可靠度之提升而言，深具潛力。除了在藍寶石基板上成長氮化鎵HEMT之研究外，高頻應用之AlGaN/GaN HEMT 結構，亦於兩吋(及三吋)半絕緣 (Semi-insulating, SI) 碳化矽基板以及高阻值(High resistivity, HR) 4吋矽晶片上成功開發。於碳化矽基板成長之AlGaN/GaN HEMT， 其特性已符合高頻、高功率之X波段(8-12 GHz) 軍用雷達應用需求。為降低成本，亦成功於高阻

值的四吋矽晶片上開發高性能AlGaN/GaN HEMT，其通道電子密度與電子遷率移分別高達 0.8 x1013/cm2 及1560 cm2/Vs。同時此結構之微波損耗特性在40GHz頻率下低於-1.1 dB/mm適合於高頻應用。