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嵌入式多核DSP應用開發與實踐

為了解決ddr3 記憶體的問題，作者陳泰紅肖婧馮偉 這樣論述：

從C66x的內核架構、關鍵外設、多核程式設計等方面進行翔實介紹，同時通過基於CCSV5Simulator軟體模擬以及TMDXEVM6678LEVM硬體模擬的實例精解，從更多細節上介紹基於TMS320C6678的電路設計開發和boot設計，給出用實例測試的片內外設應用測試程式，最後介紹中科院某所基於TMS320C6678的星載毫米波SAR—GMTI系統數位中頻接收機的總體設計。 第1章 多核DSP技術 1.1 DSP概述 1.2 TI公司DSP器件的發展 1.2.1 C2000系列DSP 1.2.2 C5000系列DSP 1.2.3 C6000單核系列DSP 1.2.4 達芬

奇系列DSP 1.2.5 多核系列DSP 1.3 高性能多核TIDSP性能 1.4 KeyStone Ⅰ多核DSP處理器 1.4.1 KeyStone Ⅰ概述 1.4.2 應用領域 1.5 KeyStone Ⅱ多核DSP處理器 1.5.1 KeyStone Ⅱ概述 1.5.2 KeyStone Ⅱ多核架構 1.5.3 專用伺服器應用 1.5.4 企業和工業應用 1.5.5 綠色能效網路處理 1.5.6 產品優勢 第2章 TMS320C66x的多核處理器架構 2.1 C66x內核 2.1.1 概 述 2.1.2 C66x DSP架構指令增強 2.1.3 C66x內核中CPU 資料通路和控制 2.

2 TMS320C66x DSP內核 2.2.1 C66x內核介紹 2.2.2 C66x內核內部模組概述 2.2.3 IDMA 2.2.4 中斷控制器 2.3 多核導航器 2.3.1 概 述 2.3.2 多核導航器的功能 2.3.3 多核導航器的基本概念 2.4 高速通信介面 2.4.1 HyperLink介面 2.4.2 RapidIO介面 2.4.3 PCIe介面 2.5 多核共用資源 2.5.1 記憶體資源配置 2.5.2 EDMA 資源 2.5.3 硬體信號量 2.5.4 IPC中斷 第3章 C66x片內外設、介面與應用 3.1 EDMA3 3.1.1 EDMA3概述 3.1.2 EM

DA3傳輸類型 3.1.3 EDMA 功能實例 3.2 Ethernet／MDIO 3.3 AIF2天線介面 3.3.1 概 述 3.3.2 OBSAI協議概述 3.3.3 AIF2硬體框圖 第4章 CCS 5整合式開發環境 4.1 CCS 5的安裝和配置 4.1.1 CCS V5.5的下載 4.1.2 CCS V5.5的安裝 4.1.3 CCS V5.5的使用 4.2 CCS V5操作小技巧 4.2.1 更改顯示 4.2.2 多執行緒編譯 4.2.3 多核中斷點調試 4.2.4 L1P、L1D、L2cache分析工具 4.3 GEL的使用 4.3.1 GEL功能簡介 4.3.2 實現GEL腳

本的基本要素 4.3.3 GEL腳本應用技巧 第5章 多核軟體發展包 5.1 多核軟體發展包概述 5.2 Linux／MCSDK 5.3 BIOS—MCSDK 5.3.1 BIOS—MCSDK簡介 5.3.2 BIOS—MCSDK2.x開發 5.3.3 MCSDK2.x使用指南 5.3.4 運行演示應用程式 5.4 CSL與底層驅動 5.4.1 CSL介紹 5.4.2 LLDs介紹 5.4.3 EDMA3驅動介紹 5.5 演算法處理庫 5.5.1 數位信號處理庫（DSPLIB） 5.5.2 影像處理庫（IMGLIB） 5.5.3 數學函式程式庫（MATHLIB） 5.6 網路開發工具NDK 5

.6.1 NDK概述 5.6.2 NDK組織結構 5.6.3 NDK實現過程 5.6.4 CCS創建NDK工程 5.6.5 配置NDK 5.6.6 NDK開發中應注意的問題 5.7 HUA 實例 5.7.1 概 述 5.7.2 軟體設計 5.8 Image Processing實例講解 5.8.1 概 述 5.8.2 軟體設計 5.8.3 軟體實例介紹 第6章 SYS／BIOS 6.1 SYS／BIOS基礎 6.1.1 SYS／BIOS概述 6.1.2 SYS／BIOS與DSP／BIOS的區別 6.1.3 XDCtools概述 6.1.4 SYS／BIOS開發流程 6.2 IPC核間通信 6.

2.1 IPC功能架構 6.2.2 IPC主要模組介紹 6.2.3 使用IPC需要解決的問題 6.3 SYS／BIOS組成 6.4 SYS／BIOS工程創建和配置 6.4.1 用TI資源管理器創建SYS／BIOS工程 6.4.2 用CCS工程嚮導創建SYS／BIOS工程 6.5 SYS／BIOS啟動過程 第7章 硬體設計指南 7.1 電源設計、節電模式和功耗評估 7.1.1 功耗分析 7.1.2 系統總體方案設計 7.1.3 電源濾波設計 7.1.4 電源控制電路 7.1.53.3V 輔助電路 7.1.6 上電時序控制電路 7.1.7 線上軟體控制 7.2 時鐘設計 7.2.1 時鐘需求 7.

2.2 時鐘電路設計 7.3 重定電路設計 7.3.1 復位需求統計 7.3.2 重定電路及時序設計 7.4 DDR3介面設計 7.4.1 DDR3技術綜述 7.4.2 TMS320C6678的DDR3控制器 7.4.3 DDR3—SDRAM 選型 7.4.4 DDR3電路設計 7.4.5 PCB設計中的注意事項 7.5 EMIF16介面設計 7.5.1 EMIF16介面介紹 7.5.2 EMIF16存儲空間分配 7.5.3 NOR Flash介面設計 7.5.4 NAND Flash介面設計 7.6 SRIO介面設計 7.6.1 設計原理 7.6.2 PCB設計中的注意事項 7.6.3 Gb

E設計 7.7 SPI介面設計 7.8 I2C介面設計 7.9 外中斷設計 7.10 JTAG模擬 7.11 硬體設計檢查表 7.12 電路設計小技巧 7.12.1 Ultra Librarian的使用 7.12.2 Cadence模組化複用 第8章 TIC66x多核DSP自啟動開發 8.1 概 述 8.1.1 DSP啟動過程 8.1.2 多核啟動原理 8.1.3 啟動資料的生成 8.2 EMIF16方式 8.3 主從I2C方式 8.3.1 單核啟動模式 8.3.2 多核啟動模式 8.4 SPI方式 8.4.1 SPI匯流排的工作原理 8.4.2 SPI啟動的實現 8.4.3 SPI NOR啟

動步驟及注意事項 8.5 SRIO方式 8.6 乙太網方式 8.7 PCIe方式 8.7.1 PCIe啟動原理 8.7.2 PCIe啟動分析 8.7.3 單模式載入啟動實現 8.7.4 多核啟動實現 8.7.5 DDR3多模代碼載入啟動實現 8.8 HyperLink方式 第9章 C66x多核程式設計指南 9.1 應用程式程式設計框架 9.1.1 XDAIS標準 9.1.2 IALG介面 9.1.3 XDM 標準 9.1.4 VISA API 9.2 應用程式映射到多核導航器 9.2.1 並行處理模型 9.2.2 識別並行任務 9.3 多核通信 9.3.1 資料移轉 9.3.2 多核導航器資料

移動 9.3.3 通知和同步 9.3.4 多核導航器的通知方法 9.4 資料傳輸引擎 9.5 共用資源管理 9.6 記憶體管理 9.7 C66x代碼優化 9.7.1 使用內嵌函數 9.7.2 軟體流水 9.7.3 混合程式設計 9.8 線性彙編 9.8.1 C代碼改寫為線性彙編 9.8.2 線性彙編使用SIMD指令 9.8.3 迴圈展開 9.8.4 解決記憶體衝突 9.9 TI代碼優化設計文檔 …… 第10章 C66x多核DSP軟體發展實例 第11章 TMDSEVM6678L EVM及視頻編解碼實現 第12章 KeyStone Ⅰ自測程式指南 第13章 星載毫米波SAR—GMTI系統數位中頻接

收機 附錄 多核DSP開發網路資源 參考文獻

ddr3 記憶體進入發燒排行的影片

基於有限元素方法分析印刷電路板線路結構對阻抗影響之研究

為了解決ddr3 記憶體的問題，作者張容蓉 這樣論述：

隨著數位系統設計人員尋求更快的速度，印刷電路板的特性阻抗的控制變得越來越重要。尤其是對於高頻信號，阻抗的不匹配和變化會導致信號反射，增加系統噪聲和抖動，或是因為電磁寄生效應等因素，使得信號完整性不良，或是產生串音干擾。這可能導致數據和邏輯錯誤，以及難以識別的可靠性問題。傳統印刷電路板的阻抗設計，都是以成品阻抗為設計目標，因此印刷電路板業者在生產時，也是以成品阻抗做為印刷電路板品質控管的重要關鍵，但由於以目前的多層印刷電路板，通常是分層生產然後進行壓合成成品，這也造成無法在各層印刷電路板生產時，就能檢測出成品生產完成時阻抗是否符合規範，而且在生產完成壓合印刷電路板的阻抗量測，如發現阻抗不匹配時

，想找出有問題的層別是非常麻煩的，必須將印刷電路板成品切片，然後透過電子顯微鏡，分析出有問題的層別，這樣的做法不但無法事先在各層生產過程中，就即時發現出問題，而且會造成許多資源浪費與成本的耗損。本研究即希望透過在製程中，以各層的印刷電路板線路切面，並由有限元素軟體ANSYS分析印刷電路板的切面形狀，以較簡單且成本較低的方式，在各層印刷電路板生產時，就能判斷後續成品是否能夠符合規範要求，讓印刷電路板在生產過程中就能快速的運用有限元素法，利用印刷電路板線路切面的影像來分析是否符合阻抗控制的規範，同時也可以對訊號/電源完整度模擬與分析，可改善現況必須等到生產出成品才能檢測的窘境，以及相關的檢測結果無

法立刻回饋給生產線，並可避免造成許多不良品產生，可以節省大量的時間與成本，也提供一個印刷電路板製程檢驗的新方法。

Cortex-A9多核嵌入式系統設計

為了解決ddr3 記憶體的問題，作者廖義奎 這樣論述：

《Cortex-A9多核嵌入式系統設計(附光碟)》分為多核處理器基礎、多核處理器硬體設計、嵌入式系統軟體設計基礎、Android程式設計、iOS程式設計以及HybridApp開發六大部分。 本書共19章，包括多核處理器基礎、ARM多核處理器體系結構、多核嵌入式系統硬體結構、記憶體電路、音視頻及觸控式螢幕介面、通信介面、Bootloader程式設計、Linux軟體發展平臺及軟體配置、Linux驅動程式設計、Linux及Android作業系統的編譯、Android程式設計基礎、Android圖形化使用者介面設計、Activity、Intent和Service系統結構設計、iOS程式設計基礎、Ob

jective-C程式設計語言、iOS視圖及視圖控制器、HybridApp開發基礎、PhoneGap移動開發、jQueryMobile移動開發。 本書適合於嵌入式開發人員作為開發參考資料，也適合於高校師生作為嵌入式系統、移動開發、物聯網應用開發等課程的教材和教學參考書。 前言 第1章 多核處理器基礎 1.1 嵌入式系統概述 1.2 嵌入式系統的發展 1.2.1 從單片機到嵌入式系統 1.2.2 從晶片級設計到系統級設計 1.2.3 從單一處理器設計到多處理器設計 1.3 多核處理器 1.3.1 單核處理器的局限性 1.3.2 處理器拙行指令的效率 1.3.3 CPU的主頻

與功耗的關係 1.3.4 從單核處理器到多核處理器設計 1.3.5 多工應用的工作模式 1.4 嵌入式系統軟體 1.4.1 嵌入式軟體設計的特點 1.4.2 嵌入式作業系統 1.5 嵌入式系統應用 1.6 刪處理器 1.6.1 刪的歷史 1.6.2 ARM的發展 1.7 ARM處理器分類 1.7.1 ARM處理器架構 1.7.2 刪Cortex處理器 1.7.3 Cortex_A8處理器 1.7.4 Cortex-A5處理器 1.7.5 Cortex-A7處理器 1.7.6 Cortex-A9處理器 1.7.7 Cortex-A12處理器 1.7.8 Cortex-A15處理器 1.8 ARM

v8架構 1.8.1 ARMy8架構介紹 1.8.2 Cortex-A50系列處理器 1.8.3 蘋果A7處理器 1.9 多核處理器時代   第2章 ARM多核處理器體系結構 2.1 微處理器的體系結構基礎 2.2 ARM處理器體系結構 2.3 Cortex-A9處理器體系結構 2.3.1 Cortex-A9內核結構 2.3.2 Cortex-A9單核處理器 2.3.3 Cortex-A9 MPCore多核處理器 2.3.4 Cortex-A9主要功能   第3章 多核嵌入式系統硬體結構 3.1 嵌入式系統硬體結構 3.2 Exynos4412開發板介紹 3.2.1 Exynos4412處理器

介紹 3.2.2 Exynos4412開發板 3.3 OMAP4460開發平臺 3.3.1 OMAP4460雙核處理器介紹- 3.3.2 OMAP4460開發板介紹 3.3.3 OMAP4460開發板結構 3.3.4 JTAG介面 3.4 電源管理 3.4.1 電源管理概述 3.4.2 TWL6030電源管理IC 3.4.3 OMAP4460開發板電源管理   第4章 記憶體電路 4.1 OMAP4460存儲空間 4.1.1 OMAP4460存儲空間概要 4.1.2 OMAP4460存儲映射 4.2 RAM記憶體 4.2.1 RAM記憶體介紹 4.2.2 SDRAM工作原理 4.2.3 DDR

SDAM分類 4.2.4 DDR SDRAM工作原理 4.2.5 DDR3新增特點 4.3 ROM記憶體 4.3.1 ROM記憶體類型 4.3.2 Flash記憶體類型 4.4 存儲卡介面電路設計 ……   第5章 音視頻及觸控式螢幕介面 第6章 通信介面 第7章 Bootloader程式設計 第8章 Linux軟體發展平臺及軟體配置 第9章 Linux驅動程式設計 第10章 Linux及Android作業系統的編譯 第11章 Android程式設計基礎 第12章 Android圖形化使用者介面設計 第13章 Activity、Intent和Servie系統結構設計 第14章 iOS程式設計基

礎 第15章 Objective-C程式設計語言 第16章 iOS視圖及視圖控制器 第17章 Hybrid App開發基礎 第18章 PhoneGap移動開發 第19章 jQuery Mobile移動開發 參考文獻

鎂摻雜與四氟化碳之電漿處理技術對大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之影響

為了解決ddr3 記憶體的問題，作者簡維德 這樣論述：

非揮發性記憶體在當前人類日常生活扮演不可或缺的角色。他有別於揮發性記憶體，隨著5G時代來臨，除了許多3C產品與周邊商品持續發展，因此許多新型非揮發性記憶體像是FRAM、MRAM、PCRAM、RRAM 等紛紛出現於學術研究與工業界。其中RRAM更加地被看好，他成本低、結構簡單、與CMOS相容性高、可融入CMOS傳統製程，因此新型電阻式非揮發式記憶體被視為下一代記憶體產品的主力。本篇論文研究利用大氣電漿沉積氧化銦鎵鋅層作為電阻式記憶體的氧化層，其中氧化銦鎵鋅常用於薄膜電晶體(TFT)，利用鎂摻雜與電漿加強式化學氣相沉積四氟化碳對氧化物銦鎵鋅層做表面處理的元件，並使用鋁當作上下電極，比較鎂摻雜與經

由不同瓦數的電漿四氧化氟處理後的元件做比較。經由實驗結果發現，在特定鎂摻雜濃度下，鎂摻雜銦鎵鋅層會使得元件氧空缺減少，並增加形成電壓。因此，利用電漿四氧化氟處理後，可以誘發材料表面部分氧空缺，並改善元件特性，使得特性變得更好，同時提高表面均勻性。