csp封裝的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

csp封裝的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦菊地正典寫的 看圖讀懂半導體製造裝置 和鍾文仁,陳佑任的 IC封裝製程與CAE應用(第四版)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站CSP技術PART II:高密度IC封裝 - 金石堂也說明:書名:CSP技術PART II:高密度IC封裝,語言:中文繁體,ISBN:9789578173859,出版社:建興,作者:萩本英二,出版日期:2000/4/1,類別:自然科普.

這兩本書分別來自世茂 和全華圖書所出版 。

中原大學 機械工程研究所 鍾文仁所指導 余忠儒的 系統級封裝(SIP)的封裝材料對被動元件脫層的影響研究 (2019),提出csp封裝關鍵因素是什麼,來自於系統級封裝、可靠度驗證、液態封止材料、脫層、錫溢出、錫橋接、陰影疊文法、物料清單、翹曲度、實驗設計、超音波掃描檢測。

而第二篇論文國立高雄科技大學 機電工程系 鄭永長所指導 黃宣誌的 晶圓級封裝選晶機生產效能提升之研究 (2019),提出因為有 晶圓級封裝、選晶機、雙主轉塔機構、均勻實驗設計的重點而找出了 csp封裝的解答。

最後網站csp 封裝流程1-1則補充:什麼是cpu的封裝? cpu的物理結構由晶圓與pcb加上其他電容等單元構成的。 目前訊憶將本項技術應用在智能卡晶片,覆晶技術(Flip-Chip), FL,W-CSP,再用打線 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了csp封裝,大家也想知道這些:

看圖讀懂半導體製造裝置

為了解決csp封裝的問題,作者菊地正典 這樣論述:

  清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜  審訂   得半導體得天下?   要想站上世界的頂端,就一定要了解什麼是半導體!   半導體可謂現在電子產業的大腦,從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器,其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成,範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等,因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素!   半導體被稱為是「產業的米糧、原油」,可見其地位之重要   臺灣半導體產業掌握了全球的科技,不僅薪資傲人,產業搶才甚至擴及到了高中職!   但,到底什麼是半導體?半導體又是如何製造而成的呢?   本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置,並介紹半導體

所有製程及其與使用裝置的關係,從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構,輔以圖解進行細部解析,幫助讀者建立系統化知識,深入了解裝置的構造、動作原理及性能。

系統級封裝(SIP)的封裝材料對被動元件脫層的影響研究

為了解決csp封裝的問題,作者余忠儒 這樣論述:

本研究在系統級封裝SIP(System in Package)的封裝體13x13mm新產品導入期間在可靠度驗證(Reliability test)後所遭遇到的液態封止材料(Liquid Encapsulant)與被動元件表面發生脫層Delam(Delamination),脫層讓被動元件兩端子的錫溢出(Solder extrusion),嚴重時會讓兩端子的錫橋接(Solder bridge)形成元件短路造成產品電性失效問題,在解決問題時使用QC7工具分析數據、陰影疊文法(Shadow Moire)量測產品翹曲度(Warpage)、實驗設計DOE(Design of Experiment)來確認

材料變異以及利用超音波掃描檢SAT (Scanning Acoustic Tomography)檢測脫層問題。由結果得知封裝體的整體應力表現值越低對於可靠度結果越好,翹曲度在常溫和高溫變化量越小可以有效降低被動元件表面脫層風險,將這次的結果加在新產品導入的驗證程序來降低在可靠度完後脫層的風險並且達到客戶需求順利導入量產,讓公司在封裝技術上更有競爭力。

IC封裝製程與CAE應用(第四版)

為了解決csp封裝的問題,作者鍾文仁,陳佑任 這樣論述:

  本書除了對IC封裝類型、材料、製程、新世代技術有深入淺出的介紹外,針對電腦輔助工程(Computer-Aided Engineering,CAE) 的應用有更詳細的描述;從IC封裝製程(晶圓切割、封膠、聯線技術..)、IC元件的介紹(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封裝技術到CAE工程分析應用在IC封裝,能使讀者在IC封裝製程的領域有更多的收獲!本書適合大學、科大電子、電機系「半導體封裝」及「IC封裝技術」課程或有興趣之讀者使用。 本書特色   1.提供一完整IC封裝資訊的中文圖書。   2.提供IC封裝產業及其先進封裝技術的學習。   3.使讀者了解CAE

工程在IC封裝製程的相關應用。

晶圓級封裝選晶機生產效能提升之研究

為了解決csp封裝的問題,作者黃宣誌 這樣論述:

本論文以晶圓級封裝(CSP)之選晶機作業機台作為研究對象,此機台為雙主轉塔且多擺臂設計,主要研究如何在原始機台架構下,提升機台速度與降低不良率。首先選擇轉塔交接延遲時間、頂針相關參數、放置晶體深度、吸嘴與晶片脫離時的相關參數為控制因子,使用均勻實驗設計規劃並進行一系列的實驗,最後找出藉由提升機台雙主轉塔(Mill)間校正後同心度對不良率及速度進行改善。改善過程中首先改善部分零件,並導入新的校正模式來提升機台轉塔間校正後同心度,藉由本次改善使機台可減少整體循環停留次數及減少參數延遲時間。最後,由實驗結果分析參數對於機台不良率及速度的影響,並以實驗結果重新定義參數設定範圍及標準。