avg移除的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

奈米銀線/還原氧化石墨烯透明導電複合膜的製備及其光電特性之研究

為了解決avg移除的問題，作者劉柏成 這樣論述：

本論文是以多元醇還原法合成具不同特徵參數[線長(L)、線徑(D)與長徑比(L/D)]的Ag NWs與修正Hummers法製備的氧化石墨烯(Graphene oxide，GO)同步複合製備Ag NW-還原氧化石墨烯(Reduced graphene oxide，rGO)導電複材，經旋轉塗佈法及熱處理，製成Ag NW- rGO複合透明導電膜(Transparent conductive films，TCFs)。結果顯示，利用多元醇法適當反應條件的調控，可合成Lavg.與Davg.分別為5.8 μm與112 nm及(L/D)avg.為51.8的Ag NWs。相較於傳統離心法，利用選擇沉澱法，可有效

移除銀線表面大部份不導電PVP層及未完全發展成線狀的Ag NPs，獲得較高品質的Ag NWs。於奈米銀線製程中， 有效移除Ag NPs，能降低電子於導電網絡中的傳遞阻力及銀粒所造成的光散射，進而提升其TCFs光電特性。Ag NWs分散不均所造成網絡結構之缺陷，可藉Ag NW-rGO導電複材填補間隙，串聯導電通路而改善。利用旋塗法及熱處理，於Ag NW-rGO塗佈量150 μL可得最佳光電特性的TCF，其片電阻值為167 Ω/sq，透光率為50% (於波長550 nm)。Ag NW-rGO導電網絡形貌及結構顯著影響其TCFs光電性能。

應用DMAIC改善晶圓品質探討－以CMP為例

為了解決avg移除的問題，作者彭竑凱 這樣論述：

積體電路元件構造的尺寸不斷地縮小，在半導體製造流程中，化學機械研磨因製程的特殊性，它是藉由化學反應與機械研磨方式，使用研磨液將晶圓表面沉積的薄膜移除後，經過清洗流程將表面附著的研磨液/反應生成物清除，也因為如此容易遭遇晶圓表面清潔不佳或是晶圓表面細微的刮傷的問題。 本論文主要目的是使用六標準差為工具，以半導體製造流程中的化學機械研磨為對象，透過相關設備、製程參數去了解，分析所列因子對晶圓表面造成細微刮傷原因與改善，找出最適當的設備與製程參數做為改善之依據，進一步提升晶圓良率。