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ac耦合電容的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦蔡杏山寫的 電子工程師自學成才手冊（提高篇） 和（加）阿莫那澤·雅玆達尼的 電力系統中的電壓源變流器--建模、控制和應用都 可以從中找到所需的評價。
另外網站交流耦合視訊驅動程式的直流恢復電路- 電子技術設計也說明：安裝後視攝影機時，視訊源訊號和視訊驅動電路是典型的交流耦合訊號，以對元件提供隔直處理。 ... 視訊源通過輸出電容(CS)進行交流耦合。
這兩本書分別來自電子工業 和機械工業出版社所出版 。
淡江大學 水資源及環境工程學系碩士班 彭晴玉所指導 陳麗蓉的 複合型嵌入式/電容去離子系統應用於選擇性移除離子 （2021），提出ac耦合電容關鍵因素是什麼，來自於電容去離子、嵌入式材料、鈉錳氧化物、鐵氰化銅、氨、選擇性。
而第二篇論文淡江大學 水資源及環境工程學系碩士班 彭晴玉所指導 涂仲緯的 環境友善還原之石墨烯應用於電容去離子技術 （2021），提出因為有 電容去離子、聚苯胺、綠色還原劑、L-抗壞血酸、多相還原法、石墨烯的重點而找出了 ac耦合電容的解答。
最後網站高速差分信号AC耦合电容详解 - CSDN博客則補充：在硬件设计过程中，在很多高速串行信号中，都会使用到AC耦合电容，既然在设计高速串行电路时，任何一个小小的不同都会引起信号完整性问题， ...
電子工程師自學成才手冊（提高篇）
為了解決ac耦合電容 的問題，作者蔡杏山 這樣論述：
《電子工程師自學成才手冊》分為基礎篇、提高篇、精通篇三冊。本書為提高篇，主要包括電路分析基礎，放大電路，集成運算放大器，選頻電路，正弦波振蕩器，調製與解調電路，頻率變換與反饋控制電路，電源電路，數字電路基礎與門電路，數制、編碼與邏輯代數，組合邏輯電路，時序邏輯電路，脈衝電路，D/A轉換器和A/D轉換器，半導體存儲器，電力電子電路，常用晶元（集成電路）及其應用電路等內容。本書具有基礎起點低、內容由淺入深、語言通俗易懂、結構安排符合學習認知規律的特點，適合作為電子工程師提高的自學圖書，也適合作為職業學校和社會培訓機構的電子電路教材。 蔡杏山，電子電工類暢銷書作者，常年工作于教學
一線，已編著出版《電子元器件知識與實踐課堂》、《輕鬆入門學彩色電視機技術》等多冊圖書，深受讀者好評。 第1章 電路分析基礎1 1.1 電路分析的基本方法與規律1 1.1.1 歐姆定律1 1.1.2 電功、電功率和焦耳定律3 1.1.3 電阻的串聯、並聯與混聯4 1.2 複雜電路的分析方法與規律6 1.2.1 基本概念6 1.2.2 基爾霍夫定律6 1.2.3 疊加定理9 1.2.4 大衛南定理10 1.2.5 最大功率傳輸定理與阻抗變換11 第2章 放大電路14 2.1 基本放大電路14 2.1.1 固定偏置放大電路14
2.1.2 分壓式偏置放大電路16 2.1.3 交流放大電路17 2.1.4 放大電路的三種基本接法18 2.1.5 朗讀助記器的原理與檢修（一）22 2.2 負反饋放大電路24 2.2.1 回饋知識介紹24 2.2.2 回饋類型的判別24 2.2.3 負反饋放大電路28 2.2.4 負反饋對放大電路的影響29 2.2.5 朗讀助記器的原理與檢修（二）30 2.3 功率放大電路32 2.3.1 功率放大電路的三種狀態32 2.3.2 變壓器耦合功率放大電路33 2.3.3 OTL功率放大電路34 2.3.4 OCL功率放大電路36
2.3.5 BTL功率放大電路37 2.3.6 朗讀助記器的原理與檢修（三）38 2.4 多級放大電路40 2.4.1 阻容耦合放大電路40 2.4.2 直接耦合放大電路40 2.4.3 變壓器耦合放大電路41 2.5 場效應管放大電路41 2.5.1 結型場效應管及其放大電路41 2.5.2 增強型絕緣柵型場效應管及其放大電路43 2.5.3 耗盡型絕緣柵型場效應管及其放大電路45 第3章 集成運算放大器47 3.1 直流放大器47 3.1.1 直流放大器的級間靜態工作點影響問題47 3.1.2 零點漂移問題48 3.2 差動放大器4
8 3.2.1 基本差動放大器48 3.2.2 實用的差動放大器50 3.2.3 差動放大器的幾種連接形式52 3.3 集成運算放大器及其應用53 3.3.1 集成運算放大器的基礎知識53 3.3.2 集成運算放大器的線性應用電路54 3.3.3 集成運算放大器的非線性應用電路58 3.3.4 集成運算放大器的保護61 3.4 小功率集成身歷聲功放器的原理與檢修62 3.4.1 電路原理62 3.4.2 電路的檢修63 第4章 選頻電路64 4.1 LC諧振電路64 4.1.1 串聯諧振電路64 4.1.2 並聯諧振電路65 4.2
選頻濾波電路66 4.2.1 低通濾波器（LPF）66 4.2.2 高通濾波器（HPF）67 4.2.3 帶通濾波器（BPF）67 4.2.4 帶阻濾波器（BEF）68 4.2.5 有源濾波器69 第5章 正弦波振盪器72 5.1 振盪器基礎知識72 5.1.1 振盪器組成72 5.1.2 振盪器的工作條件72 5.2 RC振盪器73 5.2.1 移相式RC振盪器73 5.2.2 橋式RC振盪器74 5.3 可調音訊信號發生器的安裝與檢修76 5.3.1 電路原理76 5.3.2 電路的檢修76 5.4 LC振盪器77 5.
4.1 變壓器回饋式振盪器77 5.4.2 電感三點式振盪器78 5.4.3 電容三點式振盪器79 5.4.4 改進型電容三點式振盪器80 5.5 石英晶體與晶體振盪器81 5.5.1 石英晶體81 5.5.2 晶體振盪器82 第6章 調製與解調電路84 6.1 無線電信號的發送與接收84 6.1.1 無線電信號的發送84 6.1.2 無線電信號的接收85 6.2 調幅調製與檢波電路86 6.2.1 調幅調製電路86 6.2.2 檢波電路87 6.3 調頻調製與鑒頻電路88 6.3.1 調頻調製電路88 6.3.2 鑒頻電路89
第7章 頻率變換與回饋控制電路96 7.1 頻率變換電路96 7.1.1 倍頻電路96 7.1.2 混頻電路97 7.2 回饋控制電路98 7.2.1 自動增益控制電路（AGC）99 7.2.2 自動頻率控制電路（AFC）100 7.2.3 鎖相環控制電路（PLL）101 第8章 電源電路103 8.1 整流電路103 8.1.1 半波整流電路103 8.1.2 全波整流電路105 8.1.3 橋式整流電路106 8.1.4 倍壓整流電路108 8.2 濾波電路109 8.2.1 電容濾波電路110 8.2.2 電感濾波電路
111 8.2.3 複合濾波電路112 8.2.4 電子濾波電路113 8.3 穩壓電路114 8.3.1 簡單的穩壓電路114 8.3.2 串聯型穩壓電路114 8.3.3 0～12V可調電源的原理與檢修116 8.4 開關電源118 8.4.1 開關電源基本工作原理118 8.4.2 三種類型的開關電源工作原理分析118 8.4.3 自激式開關電源120 8.4.4 他激式開關電源123 第9章 數位電路基礎與門電路124 9.1 數位電路基礎124 9.1.1 類比信號與數位信號124 9.1.2 正邏輯與負邏輯125 9.1
.3 三極管的三種工作狀態125 9.2 基本門電路126 9.2.1 及閘126 9.2.2 或閘127 9.2.3 反閘129 9.3 門電路實驗板電路原理與實驗130 9.3.1 電路原理130 9.3.2 基本門實驗131 9.4 複合門電路132 9.4.1 反及閘132 9.4.2 反或閘133 9.4.3 與反或閘134 9.4.4 異或閘135 9.4.5 同或閘137 9.5 集成門電路138 9.5.1 TTL集成門電路138 9.5.2 CMOS集成門電路144 第10章 數制、編碼與邏輯代數149
10.1 數制149 10.1.1 十進位149 10.1.2 二進位149 10.1.3 十六進位151 10.1.4 數制轉換151 10.2 編碼152 10.2.1 8421BCD碼、2421BCD碼和5421BCD碼152 10.2.2 餘3碼153 10.2.3 格雷碼154 10.2.4 同位碼154 10.3 邏輯代數155 10.3.1 邏輯代數的常量和變數155 10.3.2 邏輯代數的基本運算規律155 10.3.3 邏輯運算式的化簡157 10.3.4 邏輯運算式、邏輯電路和真值表相互轉換157 10.3.5
邏輯代數在邏輯電路中的應用159 第11章 組合邏輯電路161 11.1 組合邏輯電路分析與設計161 11.1.1 組合邏輯電路的分析161 11.1.2 組合邏輯電路的設計162 11.2 編碼器163 11.2.1 普通編碼器164 11.2.2 優先編碼器164 11.3 解碼器167 11.3.1 二進位解碼器167 11.3.2 二十進位解碼器170 11.3.3 數碼顯示器與顯示解碼器172 11.4 數碼管解碼控制器的電路原理與實驗178 11.4.1 電路原理178 11.4.2 實驗操作179 11.5 加法器1
79 11.5.1 半加器179 11.5.2 全加器180 11.5.3 多位加法器181 11.6 數值比較器182 11.6.1 等值比較器182 11.6.2 數值大小比較器183 11.7 資料選擇器185 11.7.1 結構與原理185 11.7.2 常用資料選擇器晶片187 11.8 同位器187 11.8.1 同位原理187 11.8.2 同位器構成188 第12章 時序邏輯電路190 12.1 觸發器190 12.1.1 基本RS觸發器190 12.1.2 同步RS觸發器192 12.1.3 D觸發器193
12.1.4 JK觸發器195 12.1.5 T觸發器196 12.1.6 主從觸發器和邊沿觸發器197 12.2 寄存器與移位暫存器199 12.2.1 寄存器199 12.2.2 移位暫存器200 12.3 計數器205 12.3.1 二進位計數器205 12.3.2 十進位計數器209 12.3.3 任意進制計數器210 12.3.4 常用計數器晶片211 12.4 電子密碼控制器的電路原理與實驗214 12.4.1 電路原理215 12.4.2 實驗操作217 第13章 脈衝電路219 13.1 脈衝電路基礎219 13
.1.1 脈衝的基礎知識219 13.1.2 RC電路220 13.2 脈衝產生電路223 13.2.1 多諧振盪器223 13.2.2 鋸齒波發生器225 13.3 脈衝整形電路226 13.3.1 單穩態觸發器226 13.3.2 施密特觸發器229 13.3.3 限幅電路233 13.4 555計時器/時基電路235 13.4.1 晶片外形與內部電路結構236 13.4.2 應用237 13.5 電子催眠器的電路原理與實驗240 13.5.1 電子催眠原理240 13.5.2 電路原理241 13.5.3 實驗操作及分析242
第14章 D/A轉換器和A/D轉換器243 14.1 概述243 14.2 D/A轉換器243 14.2.1 D/A轉換原理243 14.2.2 D/A轉換器種類244 14.2.3 D/A轉換晶片ADC0832247 14.3 A/D轉換器249 14.3.1 A/D轉換原理249 14.3.2 A/D轉換器種類250 14.3.3 A/D轉換晶片ADC0809253 第15章 半導體記憶體256 15.1 順序記憶體256 15.1.1 動態移存單元256 15.1.2 動態移存器257 15.1.3 兩種典型的順序記憶體257
15.2 隨機記憶體259 15.2.1 隨機記憶體的結構與原理259 15.2.2 存儲單元261 15.2.3 記憶體容量的擴展263 15.3 唯讀記憶體265 15.3.1 固定唯讀記憶體（ROM）266 15.3.2 可程式設計唯讀記憶體（PROM）267 15.3.3 可改寫唯讀記憶體（EPROM）268 15.3.4 電可改寫唯讀記憶體（EEPROM）269 第16章 電力電子電路270 16.1 整流電路（AC-DC變換電路）270 16.1.1 不可控整流電路270 16.1.2 可控整流電路272 16.2 斬波電路
（DC-DC變換電路）275 16.2.1 基本斬波電路276 16.2.2 複合斬波電路280 16.3 逆變電路（DC-AC變換電路）283 16.3.1 逆變原理283 16.3.2 電壓型逆變電路283 16.3.3 電流型逆變電路288 16.3.4 複合型逆變電路290 16.4 PWM控制技術293 16.4.1 PWM控制的基本原理293 16.4.2 SPWM波的產生294 16.4.3 PWM控制方式297 16.4.4 PWM整流電路301 16.5 交流調壓電路302 16.5.1 單向晶閘管交流調壓電路302
16.5.2 雙向晶閘管交流調壓電路303 16.5.3 脈衝控制交流調壓電路304 16.5.4 三相交流調壓電路306 16.6 交變頻電路（ACAC變換電路）306 16.6.1 單相交交變頻電路306 16.6.2 三相交交變頻電路309 第17章 常用晶片（積體電路）及其應用電路311
複合型嵌入式/電容去離子系統應用於選擇性移除離子
為了解決ac耦合電容 的問題，作者陳麗蓉 這樣論述：
電容去離子 (Capacitive Deionization, CDI) 技術擁有低能耗、低開發成本且環境衝擊較小等優點，是近年來非常具有發展潛力的一項脫鹽技術，CDI程序藉由施加低電壓移除溶液中的離子。本研究將嵌入式材料應用於CDI的系統當中，而嵌入式材料的特性為對於特定的離子具有選擇性，研究中使用兩種嵌入式材料，第一種材料為鈉錳氧化物 (Na0.44MnO2)，針對鈉、鉀離子去除，第二種材料為鐵氰化銅(Copper hexacyanoferrate, CuHCF)，針對鈉、鉀、氨氮的去除。以嵌入式材料和活性碳組成複合型嵌入式/電容去離子系統，一端為活性碳 (AC) 最為正極，吸附溶液中的
陰離子，另一端為嵌入式材料 (NMO、CuHCF) 作為負極材料，吸附溶液中的陽離子。將NMO應用於CDI系統中，可以發現Na+於NMO晶格嵌入和遷出具有專一性與選擇性，而NMO對K+無明顯電吸脫附。將CuHCF應用於CDI中，於3.57 mM溶液 NH4NO3，發現1.6 V為最佳系統操作電壓，NH4+的平均去除率為69.4%，平均電吸附量為 6.1 mg NH4+/g CuHCF (438.2 µmole NH4+/g CuHCF)；施加1.6 V電壓，於混合NH4+和Na+的混合溶液，發現CuHCF對於氨氮的選擇性高，分離係數ß NH4+/ Na+為3.6；於混合NH4+和K+的混合溶液
中，分離係數ß NH4+/ K+為1.2；當溶液中同時存在NH4+、Na+和K+，分離係數ß NH4+/ Na+則為7.3 而ß NH4+/ K+仍維持1.2，顯示CuHCF對氨氮有最高的選擇性，但當溶液中存在鉀離子時，則會有明顯的競爭效應。在機物質對複合型CuHCF/AC嵌入式/電容去離子系統之影響研究中，添加10 mg/L腐植酸(HA)測試，發現腐植酸對於CuHCF/AC系統有顯著負面影響，CuHCF/AC對NH4+¬與NO3-之去除效率皆降低19%。
電力系統中的電壓源變流器--建模、控制和應用
為了解決ac耦合電容 的問題，作者（加）阿莫那澤·雅玆達尼 這樣論述：
本書對電壓源變流器（VSC）系統的基本理論及其在電力系統中的應用進行了全面介紹，主要內容包括VSC系統的基本原理、通用模型、控制器設計、基於空間相量的分析方法、不同類型VSC系統的模型和控制以及VSC系統在電力系統中的具體應用。本書適合發電、輸電和配電領域的技術人員，特別是正在從事新能源接入和分散式能源系統運行的電力工程師，以及高等學校電氣工程專業的教師和學生閱讀。
環境友善還原之石墨烯應用於電容去離子技術
為了解決ac耦合電容 的問題，作者涂仲緯 這樣論述：
電容去離子(Capacitive Deionization, CDI)是一種低耗能且無二次污染的脫鹽技術，透過施加低電壓使水溶液中的離子去除，不同的材料會因其性質而對水溶液中的陰陽離子有不同的去除效果。本研究中，比較聚苯胺/顆粒活性碳(PANI/GAC)在不同配比上，以及不同還原程度和還原方法的石墨烯(rGO)中，對於相同濃度氯化鈉的去除效果的影響，探討CDI系統對氯離子及鈉離子之電吸附情形。 PANI比例越高，導致PANI/GAC比表面積降低，但比電容值可提高，但由於比表面積損失過多，導致添加較低比例的PANI/GAC有較好的離子電吸附量；摻雜酸提高有助於提升離子的去除效果，摻雜酸高
的PANI/GAC對鈉離子有較好的吸附選擇性。PANI/GAC 20% (H)為去除效果最佳的配比，PANI/GAC 20% (H)對氯離子及鈉離子的平均電吸附量分別為84.9 μmol Cl-/g和98.2 μmol Na+/g，雖然PANI/GAC 20% (H)對氯離子的電吸附量低於GAC (91.8 μmol Cl-/g)，但對鈉離子的電吸附量高於GAC (83.9 μmol Na+/g) 1.2倍。 比較不同還原程度的石墨烯(rGO)，發現利用L-抗壞血酸(L-AA)的綠色化學還原法(Chemical reduction)劑量的添加需高於GO量的1倍以上，rGO還原程度才能較好
，而低溫熱還原法(Thermal reduction)的還原程度雖然更高，但只能還原大部分的不穩定氧官能基，因此結合前兩種的還原方式，更能提升還原效果，稱為多相還原法(Multiphase reduction)；在熱還原過程中通入不同氣體還原，分別為空氣、氮氣混空氣或氮氣，TA-rGO對於離子電吸附的效果也不同。rGO因表面官能基的影響，對於鈉離子有較好的電吸附效果，但由於rGO脫附效果較差，因此比較反轉電壓脫附時間為1分鐘及9分鐘的影響，TA-rGO (N2)因還原較為穩定，因此鈉離子的電吸附量較為相近，分別為159.33 μmol Na+/g、166.65 μmol Na+/g，而TA-r
GO (NA) 因開環聚合現象，延長電脫附時間可明顯提升Na+電吸附量，分別為129.89 μmol Na+/g、302.06 μmol Na+/g，TA-rGO之Na+的電吸附量為GAC (83.9 μmol Na+/g)之1.6-3.6倍，顯示多相還原法製成之rGO皆有優於商業活性碳之應用潛力。