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St class d amplifier的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
國立臺北大學 電機工程學系 黃弘一所指導 易駿的 使用共模控制脈波寬度調變及改良型混疊失真抑制技術之全差動D類音頻放大器 （2020），提出St class d amplifier關鍵因素是什麼，來自於D類音頻放大器、脈波寬度調變、脈寬調變混疊失真、脈波寬度調變位準校正技術、總諧波失真、功率轉換效率、線性度、前饋技術。
而第二篇論文國立中山大學 電機工程學系研究所 余祥華所指導 蕭富元的 定電流源電漿切割電路設計 （2020），提出因為有 熱電漿、電漿切割、全橋轉換器、MCU、線性二次調節器、電流回授控制的重點而找出了 St class d amplifier的解答。
除了St class d amplifier，大家也想知道這些：
使用共模控制脈波寬度調變及改良型混疊失真抑制技術之全差動D類音頻放大器
為了解決St class d amplifier 的問題，作者易駿 這樣論述：
本論文提出一種新的前饋技巧並實現於閉迴路D類音頻放大器之設計上，此前饋機制會將經由系統回授產生之高頻帶外雜訊抵銷，對於脈寬調變混疊失真所造成之線性度下降將有顯著的抑制效果，此前饋路徑將有別於已發表之各先進論文，針對電路複雜度、晶片佈局面積、全電路功率消耗將有更進一步之改善。同時針對製程、電源、溫度補償技術做出研究，設計出之電路將應用於兩部分，分別為理想三角波產生器以及共模控制脈波寬度調變電路，此研究將消除音頻放大器因兩軌增益不匹配而造成之非理想效應，其改良將體現於模擬及量測規格，並且將會推導出閉迴路轉移凾數佐以線性化模型解釋其影響。晶片製作方面將針對各音頻放大器論文中鮮少討論的對稱性
結構做出完整的佈局規劃以及分析，其結果將改善製程偏移所造成的電晶體佈局誤差。功率輸出級大面積之電晶體佈局，將會針對使用製程之佈局規範做出研究與探討，以挑戰製程極限之方式設計出改良式的井字型電晶體佈局方式，使用最小面積換取最大電晶體有效寬度，達成最有效率的佈局面積利用。使用國研院台灣半導體研究中心所提供之平台進行晶片製作工作並且完成量測報告為本研究目標。所提出之D類放大器其總諧波失真值達0.00178% (-95dB)，當驅動8Ω負載時功率轉換效率達94.23%，靜態電流為0.83 mA，在總諧波失真值達1 %時得到最大輸出功率為1.114 W。晶片實現於台積電0.18μm 1P6M 製程，所使
用供應電源電壓值為3.3 V，晶片面積2.21 mm2。
定電流源電漿切割電路設計
為了解決St class d amplifier 的問題，作者蕭富元 這樣論述：
本文使用全橋式電源轉換器產生負直流電源來驅動高溫電漿切割系統，並且對電漿特性、等效阻抗模型進行分析及模擬，為了應對電漿等效阻抗的高度非線性變化，因此提出定電壓定電流(CV-CC)自動切換控制模式，並以線性二次調節器(Linear Quadratic Regulator, LQR)架構來進行控制器設計，利用輸出回授及狀態回授方式來抵抗負載的不確定性。韌體架構使用ST生產的Cortex-M4系列STM32F303RB微控器，配合隔離保護電路實現整個驅動系統。經模擬結果可看出，使用此控制方法能改善啟動時的振盪問題，同時提供電漿切割電路穩定的電流源。