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清雲科技大學 電子工程研究所 魏拯華所指導 李品緯的 碳化矽蕭特基二極體特性研究 （2021），提出SOA MOSFET關鍵因素是什麼，來自於液相沉積法、碳化矽、二氧化矽、二極體。
而第二篇論文明新科技大學 電子工程系碩士班 楊信佳所指導 林宥陞的 鳍式金氧場效電晶體定臨界電壓以貼合特性曲線及10GHz~12GHz功率放大器射頻電路設計 （2021），提出因為有 鰭式場效電晶體、絕緣閘雙極性電晶體、功率放大器的重點而找出了 SOA MOSFET的解答。
碳化矽蕭特基二極體特性研究
為了解決SOA MOSFET 的問題，作者李品緯 這樣論述：
本論文之研究是利用LPD以及退火製程，在碳化矽上成長良好的絕緣層。首先使用液相沉積法在低溫(
鳍式金氧場效電晶體定臨界電壓以貼合特性曲線及10GHz~12GHz功率放大器射頻電路設計
為了解決SOA MOSFET 的問題，作者林宥陞 這樣論述：
半導體電晶體奈米製程的發展可兼顧提高運算速率和降低耗能的優化，從傳統的金氧場效電晶體(MOSFET)到如今的鰭式場效電晶體(FinFET)。FinFET電晶體製成後有如魚鰭一樣，不僅解決了因縮小電晶體尺寸後所造成無法控制的漏電流，也增加了成本的競爭力，令人印象深刻。然而因尺寸縮小所造成的有效電阻地增加而又有過熱的問題，接下來的封測也成為了一大考量。為了暸解或掌控電晶體的使用，FinFET電晶體經量測後的電性曲線，就必須以參數化的公式所描述，其中最基本的三個參數為與尺寸及載子漂移率有相關的Kn、與源極-汲極是否導通的門檻電壓(Vth,臨界電壓)、及與源極-汲極間漏電流相關的爾利電壓(VA,-1
/λ)，三者皆有其重要的物理意義。當Vth被定下後，調整Kn及λ值已達到儘其貼合電性曲線值，此引起多層的思考，也使得真實的內在因素得以解開並解釋。貼合度以最小的誤差值為導向，儘以達到合理的參數值所提供的物理，進而有利未來的發展與設計。 在射頻電路的設計上，在發報端E類功率放大器(Power Amplifier)組件，在設計上可使用被動元件電容值、電感值作阻抗匹配，以極低或等於零的反射係數(S11、S22)作為方法，達到最大放大率(S21)效果。