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國立臺灣大學 材料科學與工程學研究所 溫政驗所指導 李欣諭的 矽鍺半導體異質界面奈米線的成長與分析 （2017），提出RF 24 105 相機王關鍵因素是什麼，來自於矽、鍺、異質界面、氣相固相固相機制、氧化、奈米線。
而第二篇論文元智大學 化學工程與材料科學學系 黃駿所指導 梁家翰的 以單原子氣體與有機單體進行低壓電漿改質隔離膜研究 （2012），提出因為有 有機單體、電漿活化、電漿化學氣相沉積、電化學性質的重點而找出了 RF 24 105 相機王的解答。
矽鍺半導體異質界面奈米線的成長與分析
為了解決RF 24 105 相機王 的問題，作者李欣諭 這樣論述：
矽鍺異質界面可以提供優良的電學及光學性質，能夠被應用於高效率的半導體元件中，這其中仰賴的是無缺陷且分明的界面，然而大面積層狀的異質界面容易因晶格常數差異產生缺陷，因此在奈米線中製造異質界面是解決方法之一。最為常見的奈米線成長機制是氣液固相成長機制，利用此機制製造矽鍺異質界面奈米線的實驗也不在少數，但是液態催化劑的高固溶度使得矽鍺之間的轉換十分模糊，無法產生分明的界面。本研究基於調整催化劑中的半導體材料成分的想法，提供了兩種方法製造矽鍺異質界面奈米線。一種是以氣固固相成長機制成長奈米線，固態催化劑的低固溶度讓半導體材料可以很快地切換；另一種是將矽鍺合金奈米線在高溫下氧化，利用矽與鍺氧化的差異性
，與高溫下的擴散性，使得催化劑內的鍺濃度在析出前不斷提昇，達飽和後便能直接析出異質材料，形成具有成分差異的異質界面結構，並在多面向的嚴謹觀察後，提出此異質結構形成的機制。
以單原子氣體與有機單體進行低壓電漿改質隔離膜研究
為了解決RF 24 105 相機王 的問題，作者梁家翰 這樣論述：
本研究主要利用低壓圓管反應器分別通入氬氣與氦氣之惰性氣體，以及乙烷/氮氣、乙烯/氮氣與乙炔/氮氣之有機單體，進行PP/PE/PP複合式隔離膜之電漿表面改質製程。本實驗改變之參數為處理時間、電漿功率及烴類/氮氣流率比例，以探討藉由改變各種不同電漿參數下，比較電漿活化與電漿化學氣相沉積法改質隔離膜之差異性。表面分析方面，其後量測經電漿改質後膜材表面之水滴接觸角並搭配Owens方法計算其表面自由能，且於後記錄老化(Aging)速度。實驗過程中搭配光放射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy, OES)偵測電漿內部之放光物種，並利用單眼相機拍攝其電漿輝光放電現象。物性方面
，以多孔性材料孔洞分析儀(Capillary Flow Porometry, CFP)量測膜材表面孔洞分佈情形，並透過掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)觀察膜材之表面形貌。化性方面，以傅立葉轉換紅外線光譜儀(Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR)分析膜材表面之官能基鍵結狀況，並透過X射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)得知膜材表面之元素組成。電化學性質則以電化學阻抗分析儀(Electrochemical Impedance Spec
troscopy, EIS)及電池充放電儀(Battery Automation Test Systems)進行分析。實驗結果顯示，經單原子氣體電漿及有機單體電漿改質後之隔離膜，其於親疏水性及電化學表現上皆有顯著之改善，不過以乙炔/氮氣電漿所沉積之碳氮薄膜，因其沉積速率過快造成薄膜結構鬆散及薄膜厚度所造成之膜阻現象嚴重，反而使得改質效果下降。由本研究得知，電漿活化及電漿化學氣相沉積皆為有效改質高分子基材之方法，製程乾淨便利。