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利用超快雷射製程製備石墨烯結構元件應用氣體偵測之研究

為了解決Q&A PPT模板的問題，作者周承穎 這樣論述：

摘要 IAbstract II總目錄 III圖目錄 VI表目錄 XII第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機與目的 31.3 超快雷射製程技術 51.3.1超快雷射之特性 61.3.2超快雷射之定義 71.4 氣體偵測元件 81.4.1氣體偵測元件的基本結構和特性 81.4.2氣體偵測元件的偵測機制 101.5 奈米線製程技術 121.5.1 水熱法 131.5.2 電紡絲法 141.6 氣體偵測元件的偵測材料 14第二章 理論基礎與文獻回顧 172.1 超快雷射製程 192.2 氣體偵測材料 222.2.1 水熱法製作

氧化鋅奈米線 232.3 以電紡絲法製作高分子奈米纖維 262.4 氣體偵測元件 27第三章 研究設計 383.1 研究方法 383.2 石墨烯薄膜基板製作 393.3 氣體偵測元件的電極結構設計 403.3.1螺旋電極設計 403.3.2 指叉狀電極設計 433.4 超快雷射於石墨烯薄膜表面圖案化與結構化 433.5 氣體偵測元件製作 483.5.1無線傳輸式氣體偵測元件 483.5.2 直接傳輸式氣體偵測元件 493.5.2.1 ZnO奈米線氣體偵測元件 493.5.2.2 還原氧化石墨烯氣體偵測元件 513.6 氣體偵測機制 55第四章 結

果與討論 594.1 超快雷射圖案化與結構化 594.1.1 石墨烯膜薄製作與特性量測 594.1.2 超快雷射於石墨烯薄膜表面圖案化 614.1.3 超快雷射於石墨烯薄膜表面製作V型溝槽 724.2 無線氣體偵測元件 754.2.1 元件結構 754.2.2 偵測機制 754.2.3 一氧化碳氣體偵測 774.3 ZnO奈米線氣體偵測元件 794.3.1 具指叉狀電極的ZnO奈米線氣體偵測元件 804.3.2 具有V型溝槽的ZnO奈米線氣體偵測元件 854.3.3 ZnO奈米線對氣體的偵測機制 914.3.4 ZnO氣體偵測元件對一氧化

氮氣體偵測 934.4 還原氧化石墨烯氣體偵測元件 954.4.1 偵測機制 974.4.2 rGO氣體偵測元件 984.4.3 rGO氣體偵測元件對一氧化氮氣體偵測 100第五章 結論 105第六章 未來展望 1096.1 前言 1096.2 未來展望 109參考文獻 111

鉑奈米粒子修飾氧化鋅奈米柱結構用於改善pH感測特性

為了解決Q&A PPT模板的問題，作者戴宏儒 這樣論述：

氧化鋅是一種擁有廣泛用途和低成本的 II-VI族材料，奈米結構擁有耐高溫、型態可控性，低功函數且易於製備。研究主要方向分為兩部分，首先第一部分使用氧化鋅靶材在RF磁控濺射系統在康寧玻璃基板上沉積約100 nm之晶種層，之後將沉積完成的氧化鋅晶種薄膜基板以水熱法製作，使用硝酸鋅 (Zinc nitrate, Zn(NO₃)₂)、六亞甲基四胺 (HMT)混合，在90℃的環境中生長6小時，第二部分在將鉑奈米粒子吸附於生長完成的試片表面後再進行400℃退火，完成氧化鋅奈米柱感測器，後續進行各種特性分析及電化學測量測定，利用鉑奈米粒子吸附氧化鋅感測器表面來提升量測電流特性。延伸式閘極場效電晶體(EGF

ET)的感測端使用的是製備完成氧化鋅奈米柱感測器，探討不同酸鹼值的電壓電流變化。研究發現鉑奈米顆粒修飾氧化鋅奈米電流靈敏度由15.50 µA/pH，提升至47.82 µA/pH，電壓靈敏度由28.95 mV/pH提升至49.83mV/pH，主要推測是表面吸附鉑奈米粒子會使材料導電率提升，奈米柱表面密度及表面活性位點也會增加，使能階不受費米釘扎效應影響，以提升氧化鋅奈米柱反應靈敏度。