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國立臺灣科技大學 電子工程系 吳晋賢所指導 葉柏辰的 針對一個固態硬碟的全域及區域動態隨機記憶體的配置策略 （2020），提出Nvme ssd 512gb關鍵因素是什麼，來自於快閃記憶體、動態DRAM分配、快閃記憶體轉換層。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 資訊工程系 謝仁偉所指導 楊惠清的 MAZU-FTL: Multilevel Plane Allocation with Zippy Utilization for 3D Charge-Trap NAND Flash （2019），提出因為有 快閃記憶體、固態硬碟的重點而找出了 Nvme ssd 512gb的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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針對一個固態硬碟的全域及區域動態隨機記憶體的配置策略

為了解決Nvme ssd 512gb的問題，作者葉柏辰 這樣論述：

快閃記憶體(NAND Flash)擁有體積小、功耗低、抗震、存取速度快等優勢，但快閃記憶體仍會面臨資料的「異地更新」、「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」等硬體上的限制。一般而言，在有限的DRAM空間中快閃記憶體轉換層(FTL)可以維護映射快取區存放經常存取的位址映射來處理「異地更新」和維護讀寫緩衝區存放經常存取的資料來處理「垃圾收集」和「不平衡的執行時間」，在論文中我們將提出針對一個固態硬碟的全域及區域動態隨機記憶體的配置策略，其中全域動態隨機記憶體配置的設計理念是透過最小快閃記憶體寫入量的期望值構建出期望值模型，計算出適當的DRAM空間分配給寫入緩衝區和寫入映射快取區。為了進一步減少快閃記

憶體的讀取量，區域動態隨機記憶體配置的設計理念採用成本效益的策略將適當的 DRAM 空間分別從寫入緩衝區和寫入映射快取區重新分配到讀取緩衝區和讀取映射快取區，根據實驗結果，我們可以證明所提出的全域及區域動態隨機記憶體的配置可以比其他方法減少更多快閃記憶體中的讀/寫量來改善反應時間。

MAZU-FTL: Multilevel Plane Allocation with Zippy Utilization for 3D Charge-Trap NAND Flash

為了解決Nvme ssd 512gb的問題，作者楊惠清 這樣論述：

1 Introduction2 Background and Motivation2.1 Background of 3D Charge Trap NAND Flash2.2 The Basics of Flash Device2.3 Advanced Commands of NAND Flash2.4 Open-block Issue2.5 Motivation3 MAZU-FTL3.1 Overview3.2 Management Units3.2.1 Data Manager3.2.2 Set Manager3.3 Partial Data Transmission3.4 Read a

nd Write in MAZU-FTL3.5 Analysis of Memory Overhead4 Performance Evaluation4.1 Experiment Setup4.2 Experimental Results4.2.1 WA4.2.2 Erase Operation Times4.2.3 Device Performance5 Conclusion

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