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國立彰化師範大學 化學系 黃瑞賢所指導 趙宇婕的 含雙牙及三牙酮胺配位基之鋁、釕金屬錯化合物 的合成、鑑定、反應性及對環氧化物 和二氧化碳之耦合催化反應 （2021），提出LiDE 400關鍵因素是什麼，來自於酮胺配位基、鋁金屬錯化合物、二氧化碳/環氧化物耦合反應。

而第二篇論文國立虎尾科技大學 光電工程系光電與材料科技碩士班 劉代山所指導 葉惠宜的 藉由優化氧化鋅薄膜結構提升氧化鋅/p型矽基板二極體元件特性之研究 （2021），提出因為有 射頻磁控共濺鍍系統、未摻雜氧化鋅、氧化鋅/p型矽異質接面二極體、電子侷限層的重點而找出了 LiDE 400的解答。

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含雙牙及三牙酮胺配位基之鋁、釕金屬錯化合物 的合成、鑑定、反應性及對環氧化物 和二氧化碳之耦合催化反應

為了解決LiDE 400的問題，作者趙宇婕 這樣論述：

本篇論文使用苯甲醯丙酮作為起始物，合成出雙牙及三牙的酮胺配位基 [OCPhCHCMeNHNHPh] (L1H)、[OCPhCHCMeNH(2-OMe-5-MePh)] (L2H)、[OCPhCHCMeNHCH2(C4H7O)] (L3H) 和 [OCPhCHCMeNHCH2CH2NC5H10] (L4H)，利用這些配位基與三甲基鋁合成出一系列鋁金屬錯化合物 [AlMe2(OCPhCHCMeNNHPh)] (1)、[AlMe2{OCPhCHCMeN(2-OMe-5-MePh)}] (2)、[AlMe2{OCPhCHCMeNCH2(C4H7O)}] (3)、[AlMe2(OCPhCHCM

eNCH2CH2NC5H10)] (4)。其中錯化合物2 與2,6-Diisopropylphenol 進行小分子反應形成 [AlMe{OCPhCHCMeN(2-OMe-5-MePh)}(O-2,6-iPr2C6H3)] (5)及含有氧架橋的[μ-{AlOCPhCHCMeN(2-OMe-5-MePH) (O-2,6-iPr2C6H3)}2-OH2] (5')。其中L2H與 [(η6 - cymene)RuCl2]2 進行反應合成出[(η6 - cymene)RuCl{OCPhCHCMeN(2-OMe-5-MePh)}] (7)。 所有合成出的化合物皆以氫、碳核磁共振光譜、紅外線光譜儀鑑

定，另外配位基還以質譜儀加以鑑定。經由溶劑再結晶後，其中配位基 L2H、L4H 與錯化合物 2、4、5、7 使用 X-Ray 單晶繞射鑑定其結構。錯化合物1 - 4皆進行苯環氧乙烷與二氧化碳耦合反應的探討，反應在一大氣壓沒有溶劑的情況下進行，催化結果顯示，所有錯化合物在120°C反應6小時的條件下，皆可達到90% 以上的轉化率，而五配位的錯化合物3、4的催化效果比四配位的錯化合物1、2來的好。

藉由優化氧化鋅薄膜結構提升氧化鋅/p型矽基板二極體元件特性之研究

為了解決LiDE 400的問題，作者葉惠宜 這樣論述：

本研究利用射頻磁控共濺鍍系統(RF magnetron co-sputteing system)，沉積未摻雜氧化鋅薄膜，分別利用霍爾量測及光激發螢光光譜量測，分析薄膜在不同熱退火環境以及溫度下的光電特性，研究結果顯示，氧化鋅薄膜經過氮氣環境600 ℃熱退火處理後具有較佳的結晶性，而從氧化鋅/p-Si之異質接面二極體元件的電流-電壓特性也可以發現，在氮氣環境600度熱處理氧化鋅薄膜的異質結構，具有最佳的整流特性；為了改善氧化鋅薄膜的內部缺陷，研究中接著改變氧化鋅薄膜厚度，研究結果顯示，氧化鋅薄膜中的載子濃度表現出隨著厚度下降而下降，且從不同厚度氧化鋅薄膜沉積於p型矽基板之異質接面二極體，可以發

現整流比隨著厚度下降而上升；為了進一步改善ZnO/p-Si異質結構二極體特性，抑制元件操作時的穿隧電流，本研究討論在沉積氧化鋅薄膜前，預先沉積電子侷限層，以增加電子侷限能力，研究結果顯示，加入侷限層後，能有效抑制氧化鋅的本質缺陷，並改善氧化鋅的結晶性，獲得更優秀的元件整流特性。

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