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二硫化鉬與二硫化鎢場效電晶體蕭特基能障分析

為了解決Intel i7 12700的問題，作者朱昱誠 這樣論述：

過渡金屬二硫族化物(Transition metal Dichalcogenides, TMDCs) 為二維層狀材料，可以單層狀態穩定存在於環境中，並且具有多樣的導電特性，如絕緣體、半導體甚至是超導等。其中半導體性TMDCs 如p 型WSe2 與n 型MoS2、WS2，其單層厚度僅0.7 nm，非常有潛力成為下個世代的通道材料。本論文先以化學氣相沉積高品質的MoS2 作為研究題材，並採用傳輸線模型與上閘極結構來分析MoS2元件金屬接觸特性與場效特性。在萃取蕭特基能障方面，將塊材MoS2、WS2轉移到經由HMDS改質後的基板上。並證實以Schottky Mott Rule 所推估的蕭特基能障不

再適用，以及金屬與MoS2、WS2接觸後可能帶來的影響。量測後得知MoS2元件Ids−Vgs最大電流為14 μA/μm，遷移率為31.3 cm2/V．s，蕭特基能障為0.12 eV。在WS2元件方面Ids−Vgs最大電流為1.5 μA/μm，遷移率為8.9 cm2/V．s，蕭特基能障為0.16 eV。而在MoS2元件傳輸特性上觀察到MIT的現象，低溫時遷移率達到52.6 cm2/V．s。