Gate on Array 原理的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

Gate on Array 原理的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程:理論與實務(四版) 可以從中找到所需的評價。

中原大學 電子工程學系 陳淳杰所指導 徐志豪的 一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器 (2021),提出Gate on Array 原理關鍵因素是什麼,來自於逐漸趨近式類比數位轉換器、分段式電容陣列、帶冗餘位演算法。

而第二篇論文國立中央大學 機械工程學系 鍾禎元所指導 林彥宇的 應用實驗設計方法探討射出成品內部比容差異 對於體積收縮之預測 (2021),提出因為有 射出成型、收縮率、田口法、反應曲面法的重點而找出了 Gate on Array 原理的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了Gate on Array 原理,大家也想知道這些:

半導體元件物理與製程:理論與實務(四版)

為了解決Gate on Array 原理的問題,作者劉傳璽,陳進來 這樣論述:

  以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。     本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色     ●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。     ●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。     ●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。     ●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器

為了解決Gate on Array 原理的問題,作者徐志豪 這樣論述:

如今電子產品除了要效能好,亦追求低功耗與輕薄短小,由於半導體製程技術的進步,帶動了積體電路設計的成長,許多低功耗的晶片得以實現,在眾多類比數位轉換器中,逐漸趨近式(Successive-Approximation)由於大部分元件皆由數位邏輯電路所構成,且整個電路僅需一組比較器即可,大幅地降低了資料轉換所需的功耗。本論文完整製作一個10-bit 20MS/s SAR ADC,架構採用分段式電容陣列數位類比轉換器,使用TSMC 0.18um 1P6M CMOS製程,電源供應1.8V,輸入頻率為1.97265625MHz進行模擬,訊號雜訊與失真比(SNDR) 60.71 dB,有效位元數(ENOB

) 9.79-bit,功耗0.92 mW,品質因數(FOM) 52f J/conversion-step,核心晶片佈局面積0.31*0.21〖mm〗^2,晶片總佈局面積1.163*1.169〖mm〗^2。最後設計規格同樣為10-bit 20MS/s SAR ADC,架構改成帶冗餘位演算法,將MSB電容拆解並分配至原電容陣列中,達到電容切換速度的提升,並在栓鎖電路前加上一級前置放大器,用以降低誤差,提高比較器的精準度。使用相同製程與輸入頻率進行模擬,訊號雜訊與失真比(SNDR) 61.93 dB,有效位元數(ENOB) 9.99-bit,功耗3.024mW,品質因數(FOM) 148.7f J/

conversion-step。關鍵字:逐漸趨近式類比數位轉換器;分段式電容陣列;帶冗餘位演算法

應用實驗設計方法探討射出成品內部比容差異 對於體積收縮之預測

為了解決Gate on Array 原理的問題,作者林彥宇 這樣論述:

本研究利用模內感測技術蒐集成型階段模內各處比容之間的差異作為反應值,並以實驗設計法之方式設定製程參數,建立參數與反應值間的關係。以感測器跟澆口之間的距離區分為近處、中間段以及遠處,蒐集三處的比容資料,計算比容值凝固時到平衡時的改變量用於預估體積收縮率;另一方面,取出三處凝固時的比容,透過公式來量化三處比容間的非均勻性,用作預估產品可能發生翹曲之指標數值。對於凝固時的比容取值方式,本研究不同於一般單看溫度或壓力來估計澆口凝固的方式,而是透過壓力曲線變化來找出三處感測點個別的凝固時間。將比容的改變量與非均勻性的組合作為反應值進行二階段實驗,先以田口法篩選重要因子,再利用反應曲面法建立數學模型。以

料溫、模溫、射速、保壓壓力、保壓時間和冷卻時間作為實驗的六項因子,經過田口法實驗並分析結果後選出保壓壓力和保壓時間為最重要的兩項因子。接著將保壓改為三段,以三項保壓壓力和總保壓時間做四因子的反應曲面法實驗,得到的最佳組合預測值為0.0088 ,將最佳參數經過實驗驗證的結果為0.0086 ,預測誤差為2.3%。反應曲面法的中心點組別實驗結果為0.0125 ,優化結果與之相比改善了31.2%。顯示實驗設計法對於射出成型之非線性問題能得到有效的預測結果並改善產品品質特性。