歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
國立虎尾科技大學 電機工程系碩士班 劉煥彩所指導 劉浩睿的 應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製 （2019），提出E2000q關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、半橋轉換器、米勒效應、振鈴效應。
E2000q進入發燒排行的影片
應用氮化鎵功率晶體於半橋轉換器之研製
為了解決E2000q 的問題，作者劉浩睿 這樣論述：
近幾年來，切換式電源的發展趨勢朝向效率高、重量輕、體積小的設備來發展，系統設計者及產品製造商均特別以輕、薄、短、小來做為產品的特色。然而，傳統矽開關元件因為製程材料關係，在切換速度上有它的物理限制，導致產品在設計上有相對限制。有了氮化鎵功率元件出現後，因為材料及製程的改變，突破了傳統矽開關100kHz切換頻率限制，甚至能高達1MHz切換頻率，為電力電子產品帶來新領域的設計挑戰。為了實現高效率、切換速度快、高效率的目標。本論文利用Transphorm氮化鎵功率元件設計一個200VDC/48VDC，最大輸出電流10A且切換頻率250kHz的隔離型半橋轉換器。 隨著切換頻率提高，PCB電路板
上的寄生電感(Parasitic inductance)和寄生電容(Parasitic Capacitance)會產生振鈴現象(Ringing)，不良的PCB布局會增加振鈴現象對氮化鎵造成損壞以及高dv/dt切換帶來米勒效應(Miller Affect)。而米勒效應是透過氮化鎵開關的寄生電容在閘極(Gate)腳位上產生電壓，造成氮化鎵該關閉時卻導通，使得電路誤導通因而損毀。此外高切換頻率的電路也更考驗量測儀器，因為不同儀器的寄生電容對實測結果會有誤差。本論文會以模擬及實際電路波型來驗證電路在高頻切換下的米勒效應，以及不同的探棒對實際電路的量測誤差值。