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國立高雄科技大學 電腦與通訊工程系 彭康峻所指導 黃晟紘的 分數式頻率合成器研究 （2021），提出DRM DAB關鍵因素是什麼，來自於頻率合成器、鎖相迴路、相位頻率檢測器、迴路濾波器、電壓控制振盪器、除頻器。
而第二篇論文國立臺灣海洋大學 電機工程學系 羅文雄所指導 陳穎叡的 埋入式歐姆與埋入式蕭基接觸於功率二極體之研究 （2020），提出因為有 埋入式歐姆接觸、埋入式蕭基接觸、功率二極體、磷化銦鎵/砷化鎵的重點而找出了 DRM DAB的解答。
分數式頻率合成器研究
為了解決DRM DAB 的問題，作者黃晟紘 這樣論述：
本論文設計出24GHz頻率合成器，已接近現代5G通訊頻段之使用範圍，整體架構為一鎖相迴路電路，包含了除頻器（Divider）、相位頻率檢測器（Phase Frequence Detector, PFD）、迴路濾波器（Loop Filter）、電壓控制振盪器（Voltage Controlled Oscillator, VCO）。為了改善整數式頻率合成器調整頻譜只能限制於整數除頻值N之缺陷，也提出了分數式頻率合成器之設計，最高調整範圍可達2.52GHz，透過程式更改參數寫入FPGA M401來操作所需頻率，可精準的控制到小數點第五位，大大改善對於整數式頻率合成器之缺陷，可對於頻率做任意微調且精
準。
埋入式歐姆與埋入式蕭基接觸於功率二極體之研究
為了解決DRM DAB 的問題，作者陳穎叡 這樣論述：
本論文係針對埋入式(buried-type)歐姆(Ohmic)及/或蕭基(Schottky)接觸金屬於砷化鎵系(GaAs-based) p-i-n式與金半(metal-semiconductor)蕭基式功率二極體之效應作出相關研究，該些功率二極體特別是可應用於例如電動車、機器人與物聯網(IoT)等重要零組件或子系統。關鍵的研發技術為將重要的合金金屬透過熱蒸鍍製程而沉積在如砷化鎵系p-i-n式及/或金半蕭基式功率二極體之寬能隙保護層/鈍化層上。其中，該寬能隙保護層/鈍化層係位在原先利於形成低歐姆接觸電阻的高摻雜磊晶層(High-doped Epitaxial Layer, HEL) 或者是利於
形成高崩潰電壓的低摻雜磊晶層(Low-doped Epitaxial Layer, LEL)上，其同時也常常作為濕蝕刻製程的選擇性蝕刻停止層(etching-stop layer, ESL)。接著、再藉由熱處理製程以將該合金金屬形成埋入式歐姆接觸或蕭基接觸於該寬能隙保護層/鈍化層下磊晶層(i.e., HEL or LEL)，製程技術之研發重點包括最佳化熱處理條件之熱處理溫度與時間(Thermal-Treatment Time and temperature, T3I and T3E)。本論文嘗試利用相同的目標磊晶結構中不同子磊晶結構製成蕭基二極體以探討埋入式歐姆與蕭基製程於該蕭基二極體的電性效
應，其中，不同子磊晶結構之一為n-GaAs/n+-InGaP/n+-GaAs，另一為p+-GaAs/n-GaAs/n+-InGaP/n+-GaAs。當然為了作成本論文所提研發技術之優缺點，比較例就是直接把蕭基金屬沉積在子磊晶結構之一的n-GaAs磊晶上。實驗發現兩種功率二極體之重要參數如導通電壓、導通電阻、理想因子、反向電流，反向電壓等與比較例作成探討與分析，一併藉不同溫度(20至120oC)電性測試以完成可靠性分析。結果分析埋入式蕭基接觸製程困難度較高，雖發現成功完成埋入式蕭基接觸熱處理設定參數，但因量測過程中無法取得合理崩潰電壓特性，綜合當前數據尚未能斷定此結構對元件崩潰電壓是否有所
改良，但仍相信若能重新設計元件結構便能完成具埋入式蕭基接觸製程之高效能蕭基二極體。根據上揭埋入式歐姆金屬製程於表面漏電流的改善，於是亦嘗試將之應用於傳統p-i-n功率二極體，當然，採用的目標磊晶結構相同，製成p-i-n功率二極體的子磊晶結構則為n-InGaP-p+-GaAs-n-GaAs/n+-InGaP/n+-GaAs。傳統製程即是將p型歐姆金屬沉積在p+-GaAs，n型歐姆金屬沉積在n+-GaAs上，而所謂具埋入式歐姆接觸製程之p-i-n功率二極體即分別將歐姆金屬沉積至兩者上邊之寬能隙保護層/鈍化層n-InGaP磊晶上並藉由熱處理完成其歐姆接觸。論文中將藉n與p型埋入式歐姆金屬之有無，相
較於傳統製程探討本論文中研發製程之優缺點。此外，在功率蕭基二極體的進一步研發，則將針對蕭基金屬於低濃度n型半導體的埋入作出探討。結果分析具n型埋入式歐姆接觸之蕭基二極體其位障高度趨近於0.9 V而接近理想值1.03 V、理想因子趨近於1，且經由20至120oC溫度電性測試發現相較於傳統蕭基二極體其擁有更小漏電流表現。