DRAM 功能的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦小陳哥,布萊恩,Royo,浩爾,Sun,Sam,喜哥寫的 財務自由之路:半導體漲百倍 和劉傳璽,陳進來的 半導體元件物理與製程:理論與實務(四版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自白象文化 和五南所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 陳宏明、林柏宏所指導 劉泳儀的 通過預測嚴重的矽穿孔和凸塊故障來強化三維積體電路電源供應網路 (2021),提出DRAM 功能關鍵因素是什麼,來自於三維積體電路、電源供應網、矽穿孔、凸塊、壓降、容錯。
而第二篇論文國立政治大學 科技管理與智慧財產研究所 宋皇志所指導 陳勝富的 異質整合製程技術專利分析 (2021),提出因為有 半導體、異質整合、先進封裝、專利分析的重點而找出了 DRAM 功能的解答。
財務自由之路:半導體漲百倍
為了解決DRAM 功能 的問題,作者小陳哥,布萊恩,Royo,浩爾,Sun,Sam,喜哥 這樣論述:
投資半導體股票獲利十倍、百倍的心得全公開! ◎股票獲利百倍是實力還是運氣?財務自由提早退休,投資股市必讀! ◎七位作者將他們在股市投資獲利百倍的實戰經驗,有系統地分享給讀者! ◎護國群山,科技矽島,投資半導體,便能有夢最美,美夢成真! 半導體漲百倍 力晶科技,浴火重生。 貴上極則反賤,賤下極則反貴, 貴出如糞土,賤取如珠玉, 財幣欲其行如流水。 作者群有半導體從業人員、大學教師、聯結車司機、三十年資深投資人, 來自士農工商不同專業領域的股市小資族, 接地氣,更了解你的心! 留下一本好書,勝過留下億萬家產給子女, 半導體投
資經驗分享,幫助大家達到財務自由! 掌握股市投資秘訣與產業前景方向, 每股幾毛錢進場布局,漲過百倍不為奇, 理財成功,能享受悠閒的生活,成為現代版竹林七「閒」。 ★如何看懂四大報表 ★台灣半導體產業面面觀 ★如何挑選長期投資標的 ★掌握力晶之投資機會 ★推動力積電重新上市 ★投資歷程大公開
DRAM 功能進入發燒排行的影片
這次Jing打細算開學攻略要來跟大家聊聊硬體界大新聞
包含AMD Ryzen 5000系列CPU 和Rx6000系列顯示卡上市資訊
以及目前要如何搭配會比較合適的分析!
0:00 - 推廣Discord伺服器
1:28 - 推廣頻道會員功能
4:00 - AMD新品:Ryzen5000 & Rx6000顯示卡
13:49 - 分析【每月DRAM與SSD價格變化】
24:00 - 11月趨勢總結和組裝時機分析
25:57 - 雙11選購攻略(見Discord)
過去的直播精華
2020年10月:https://youtu.be/UFqoHrlzPK0
2020年9月:https://youtu.be/zgT4OwR5Kmo
2020年7-8月:https://youtu.be/BOQL4cYQXkA
2020年6月:https://youtu.be/RmAafpykHVE
2020年4-5月:https://youtu.be/cGQy-BHsYxo
2020年3月:https://youtu.be/PzwN22TMdFI
2020年2月:https://youtu.be/DmFFtCJyz34
2020年1月:https://youtu.be/xsajOp4IouY
2019年11月:https://youtu.be/hOAppIm03SI
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通過預測嚴重的矽穿孔和凸塊故障來強化三維積體電路電源供應網路
為了解決DRAM 功能 的問題,作者劉泳儀 這樣論述:
隨著科技進步並延續摩爾定律,三維積體電路設計以減輕二維晶片中的擁擠問題。三維積體電路利用矽穿孔和凸塊來連接不同層的晶片,形成堆疊的技術。然而在三維積體電路製程上,正面臨著各方面的問題與挑戰,例如良率及可靠性低、製造成本高等等。其中,矽穿孔和凸塊在製程中故障會造成電壓及電路的性能下降,嚴重更會導致功能故障。因此,本論文會針對電源矽穿孔和凸塊提出一個強化電源供應網方案,以確保當矽穿孔/凸塊故障時,電壓還是可以維持在可接受的壓降內。首先我們會用機器學習的方式去預測電源矽穿孔/凸塊的重要順序,以得到最差情況的電壓分析結果。然後,對最差情況的壓降利用增加恢復電源矽穿孔及電源條來對電源供應網進行修復,直
到壓降回復到定義的目標電壓。我們採用三個製程的實際電路來來測試我們強化後的電源供應網,分別是TSMC 180奈米、40奈米以及65奈米。實驗結果顯示,我們提出的電源矽穿孔/凸塊錯誤時強化電源供應網方案是有效的。
半導體元件物理與製程:理論與實務(四版)
為了解決DRAM 功能 的問題,作者劉傳璽,陳進來 這樣論述:
以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
異質整合製程技術專利分析
為了解決DRAM 功能 的問題,作者陳勝富 這樣論述:
半導體充斥現今生活,不論是手機、電視或是汽車,各種應用都需要半導體,新型態的應用和對高效能的追求,必須透過不斷進步的製程技術因應,然而先進製程開發不易且成本高昂,過往遵循摩爾定律發展的電晶體密度提升速度趨緩,異質整合成為眾所期待的解方之一,透過異質整合可以在相同電晶體密度的情況下,達到訊號傳遞更快速、耗能更低的優勢。然而異質整合的範疇廣泛,不同的應用功能需要整合的元件也大不相同,所需的技術也有所不同,因此本文透過專利分析試圖找出重要的技術方向和現今的技術發展狀態,希望透過分析結果指出企業可能的發展方向。