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國立中山大學 電機工程學系研究所 林根煌所指導 戴成翰的 可抑制記憶體系統串音干擾之殘段交錯微帶線結構 （2016），提出DIMM slot關鍵因素是什麼，來自於殘段結構、等效電路、串音干擾、眼圖、信號完整性。
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可抑制記憶體系統串音干擾之殘段交錯微帶線結構
為了解決DIMM slot 的問題，作者戴成翰 這樣論述：
近年來高速數位電路中差動傳輸還是無法完全取代單端傳輸，例如記憶體電路就是利用單端線路進行讀取與寫入資料的動作，由於時脈上升和操作電壓降低，對於信號完整性而言，串音干擾的問題日益嚴重。本論文提出新型的T-stub結構，利用提高電容比值的方法，可以有效抑制遠端串音干擾，接著透過萃取等效電路模型，可以讓設計更為簡單。模擬等效電路分別在時域與頻域的響應，並且和全波模擬軟體比較分析。新型的T-stub結構和其他方法相比，不但可以避免布局面積浪費，遠端串音的抑制效果會更好，也不需額外的成本。但殘斷結構會使訊號線阻抗降低，為了彌補此缺點，最後再設計地層槽孔和T-stub結構結合，除了可以調整阻抗匹配，同時
可以減少T-stub的數目。跟傳統單端訊號線相比，遠端串音電壓可以降低超過80%，並且透過眼圖來觀察信號品質的確有所改善。最後量測結果與模擬也相吻合。