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Cassette FOUP的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
國立臺北科技大學 能源與冷凍空調工程系 胡石政所指導 李建頡的 利用流場可視化技術比較在晶圓盒開門時晶圓盒內依不同迫淨形式造成流場及濕度之差異 （2019），提出Cassette FOUP關鍵因素是什麼，來自於晶圓傳送盒、流場可視化、質點影像測速技術、設備前端模組、綠光雷射。
而第二篇論文逢甲大學 智能製造與工程管理碩士在職學位學程 王姿惠所指導 余欣鍵的 應用8D手法探討晶圓及晶粒測試之品質風險 （2019），提出因為有 8D手法、特性要因圖、Why-Why分析、失效模式與影響分析的重點而找出了 Cassette FOUP的解答。
利用流場可視化技術比較在晶圓盒開門時晶圓盒內依不同迫淨形式造成流場及濕度之差異
為了解決Cassette FOUP 的問題，作者李建頡 這樣論述：
近年來半導體積體線寬已進入奈米等級的要求，在半導體產業競爭的環境中，如何降低汙染，提高製程良率，將成為競爭的關鍵因素。研究指出，當晶圓 (Wafer) 在晶圓傳送盒（Front Opening Unified Pod，FOUP）門艙開啟時，微環境內轉入製程腔體過程中，容易受到微環境之流場、壓力及機台位置而造成影響，導致無塵室中水氣甚至是氣態分子污染物（Airborne Molecular Contamination，AMC）捲入至FOUP內部。以蝕刻製程為例，當晶圓在微環境（Mini-Environment）等待轉入濕洗製程時，會因為FOUP門艙開啟，使先前製程所殘留的氟化氫（HF）與無塵室
中的水氣及氧氣逐漸產生成汙染物的氟離子，進而催化銅與氧反應，導致雙鑲嵌圖案銅損失，嚴重影響晶圓的製程良率，所以晶圓盒門扉開啟時的污染控制至關重要。本研究以兩種不同迫淨方式，導流管迫淨（Diffuser Purge）及面型迫淨 (Panel Purge)，於晶圓盒開門時設備前端模組配置不同，模擬氣流入侵晶圓盒的情形。兩種迫淨方式皆是由晶圓盒的後方和外部輸送壓縮乾空氣（Compressed Dry Air）至導流區中，分別產生由內而外的氣流迫淨，阻隔設備前端模組內偏斜的氣流入侵晶圓盒內部。實驗是以加熱使乙二醇(Ethylene glycol)霧化作為示蹤氣體（Tracer gas），並利用高感度攝
影機紀錄煙霧在綠光雷射照射後，所建立的平面來做流場可視化技術，達到分析與監測之目的。為了量化流場可視化及佐證實驗，實驗中也使用溫溼度感測器進行對晶圓盒內相對濕度的紀錄。實驗結果表明，面型迫淨方式的搭配在不同設備前端模組的工作配置下期效果優異於導流管迫淨方式，較有效阻隔外部氣流入侵晶圓盒。
應用8D手法探討晶圓及晶粒測試之品質風險
為了解決Cassette FOUP 的問題，作者余欣鍵 這樣論述：
1980年代後半導體測試業蓬勃發展，一段式的生產過程由晶圓凸塊製程(Bumping)、組裝 (Assembly) 到測試 (Testing)，已經是目前封裝測試業的趨勢。不論是晶圓測試或者積體電路 IC (Intergraded Circuit) 產品封裝測試都需要經過內部晶圓載具盒(Front Opening Universal Pod, FOUP)，晶圓運輸盒 (Front Opening Shipping Box, FOSB) 或者通稱晶圓半成品載具 (Cassette)，卷帶 (Tape and Reel, T&R)、乘載盤 (Tray) 製具的進料檢驗在工廠內的運送跟搬運。如何進一
步減少產線乘載器具轉換的作業風險是每日產線與時俱進的品質改善課題。本研究主要是使用8D (8 Discipline)手法的方式去分析半導體晶圓 (Wafer) 進料檢驗時的破片以及轉換製具時的風險。以實際產線發生的兩個例子搭配特性分析要因、Why-Why分析、失效模式與影響分析( Failure Mode Effect Analy-sis, FMEA的方式找出所有可能造成問題的相關因子。研究最後會針對問題提供立即性的改善對策。本研究結果可供相關半導體業產業界參考。實際產線若發生類似相關問題時，可查閱此研究提及的發生原因及問題而進一步去分析找到真因，藉此可以縮短解決問題的時效性，並有效改善解決問
題之方法。