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中原大學 機械工程研究所 張耀仁所指導 陳玉新的 不同微流道形狀散熱器性能之數值研究 (2016),提出3090 改散熱關鍵因素是什麼,來自於通道形狀、通道長度、散熱器、多噴嘴式微通道散熱器、熱阻抗、溫度均勻性。

而第二篇論文國立臺灣大學 光電工程學研究所 劉致為所指導 黃奕中的 矽穿孔及先進元件自發熱效應之模擬分析 (2014),提出因為有 矽穿孔、熱應力、隔離區、鰭式場效電晶體、自發熱效應的重點而找出了 3090 改散熱的解答。

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不同微流道形狀散熱器性能之數值研究

為了解決3090 改散熱的問題,作者陳玉新 這樣論述:

本研究的第一部分提出一種新型多噴嘴式微通道散熱器(MN-MCHS), 詳細研究了微通道長度、長寬比、肋寬度,及幫浦功率和熱通量,發現其通道長度較短的MN-MCHS不僅明顯改善底部溫度的均勻性和熱動力性能指數(thermodynamic performance index),也可以顯著的降低總熱阻抗。隨著通道長度從10mm降低至1mm,溫度均勻性提高了約10倍,總熱阻提高了62%,壓降(pressure drop)降低了約12倍。在第一部分的所有情況顯示,MN-MCHS在最佳的結構下,可以消除高達1300W / cm 2的熱通量,並且使溫度保持在高於入口冷卻劑的溫度77.5℃之以下。此外,在相

同的幫浦功率下,比單層MCHS與雙層MCHS分別改善總熱阻高達62%和47.3%。此MN-MCHS的結構是一種有潛能的MCHS結構,因為它可以透過優化其幾何尺寸來提高熱性能並降低壓降。在第二部分中以可量測9.8mm×9.8mm×0.5mm的銅板作為SL-P-MCHS和MN-MCHS的襯底,使用水作為冷卻劑。 通道長度為0.2至5.6mm,以及五種不同的通道形狀,包括圓形,正方形,梯形,兩個凹形表面和兩個凸形表面,並且固定液壓直徑為200μm與雷諾數範圍700〜2200之間進行數據的研究。利用新的網格劃分方式,找出一種最適合用於多噴嘴式微通道散熱系統的結構。其中以圓形的通道擁有最好的熱性能,可耗

散高達1300W / cm 2的熱通量,並且在雷諾數為2200時最大溫度保持在低於75℃。此外,提出了一個新的方程式,透過通道長度與雷諾數,預測其入口與出口之間冷卻劑的溫度差異,以及根據雷諾數和熱通量,預測圓形通道底壁的最高溫度。最後第三部分,以固定寬度100μm,長度2mm,高度500μm的模型進行分析。計算的模型包括通道和基板,水與矽作為冷卻劑和基板的材料,在模型的底壁上固定施加750W / cm 2的熱通量。為了研究通道深度對散熱器底壁溫度均勻性的影響,分析固定通道深度100μm至400μm,與沿著通道的長度增加100μm至400μm的通道深度。在本節實驗中發現,通道深度對散熱器底壁的溫

度均勻性有非常重要的作用。與固定通道深度相比,沿著通道長度增加其通道深度可以將溫度均勻性提高到36.7%。

矽穿孔及先進元件自發熱效應之模擬分析

為了解決3090 改散熱的問題,作者黃奕中 這樣論述:

跟隨著摩爾定律,半導體元件持續微縮,製程技術同時也面臨了瓶頸,當傳統的矽金氧半電晶體無法再依尺寸比例持續縮小時,除了改變電晶體的結構形狀,以鰭式場效電晶體取代了平面式電晶體來維持定律的成長速率外,晶片以三維的方式堆疊也被提出,不同於過去晶片設計的結合方式,透過晶片的垂直堆疊,以三維的封裝技術取代傳統二維的打線接合,不僅使得導線傳遞路徑縮短,有更快的傳輸速度和更少的功率消耗,同時也增加了晶片的密度以延續摩爾定律的極限,而矽穿孔正是其中的關鍵技術。此外,隨著極度微縮的元件密度增加,代表著很小的面積裡會有更多的電晶體在操作著,這將產生更為嚴重的熱效應,這會影響元件表現並造成可靠度的問題,進

而增加電路設計的困難,因此,元件的散熱問題變得十分重要且需要被解決。 本論文的主軸主要分為兩個主題,其一是針對矽穿孔的熱應力分佈進行分析和討論,另外是研究先進元件的自發熱效應及散熱問題,這都是在半導體技術應用上正在發生的問題。首先,我們利用模擬軟體分析矽穿孔對於周圍矽基板區域產生的熱應力,並探討在陣列中相鄰矽穿孔之間應力的交互作用。此外,我們也提出藉由改變材料特性之模型以符合實際元件之應變表現。除了應力分析外,討論應力可能對周圍元件電流的影響也是很重要的一環,利用數學理論和實際實驗的量測結果互相驗證我們建立出一不對稱的隔離區模型,可作為電路設計之參考。關於第二個主題則是討論先進元件的自發

熱效應,我們利用模擬軟體架構出鰭式場效電晶體,對其自發熱效應進行分析,探討在先進製程裡三維電晶體熱傳導及溫度分布,考慮元件周圍結構之熱傳導差異以預測電晶體之最高溫度和熱傳導路徑。