1t的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

高格局超前佈署：6G網路原理精解

為了解決1t的問題，作者鄭鳳 這樣論述：

☆★☆★【6G高速網路，無線取代有線時代來臨！】★☆★☆ 更快的速度、更低的時延、更廣的覆蓋率、更低的能耗、更小的裝置！ 　　從1G到4G，人類的溝通從語音到資料，4K視訊、直播、Podcast，但進入5G之後，高速網路已超脫人機裝置，正式進入物聯網，在各個科學應用中大放異彩。然而我們對通訊的追求從未停止。6G即將進入你我的未來生活中，本書特別在5G之後，提前佈署6G網路的技術、應用、架構及各種發展，空天地海一體化的網路，業界預期2030年左右商用6G。6G將頻帶擴充到更高頻段，在解決頻譜缺乏問題的同時，為人們帶來極致的資料速率體驗。6G網路將是行動通訊的變革性發展，帶來更高的系統容量、

更快的資料速率、更低的延遲、更可靠的安全性和更優質的服務品質。想要穿越時空、放眼將來，本書將會是你的第一選擇。 本書特色 　　✪6G全息通訊，鋼鐵人Jarvis介面不再是夢想 　　✪工業4.0+AI自動機器人+智慧運輸+無人駕駛技術 　　✪THz頻段，1T無線速度，5G速度的1000倍 　　✪Polar碼、Turbo碼、LDPC碼、Spinal碼 　　✪OAM技術完整說明及發展 　　✪智慧超表面、RIS及NOMA 　　✪各種MIMO技術大閱兵

1t進入發燒排行的影片

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決1t的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。

智能電網與大數據分析--隨機矩陣理論方法

為了解決1t的問題，作者（美）邱才明 這樣論述：

本書主要分為三部分：大數據基礎、智能電網，以及大數據在通信與傳感技術方面的應用，其中隨機矩陣理論方法是其理論基礎。   第一部分主要討論大數據建模和大數據分析兩個方面，首先是大數據的數學基礎（隨機矩陣理論方法），接著是實際應用的研究。   第二部分討論智慧電網的應用與需求、技術挑戰、大資料的應用、電網監控與狀態估計、虛假資料注入攻擊與狀態估計、需求回應等。   第三部分討論大數據在通信新技術（5G，MIMO）和傳感技術（分散式檢測與估計）方面的應用。本書將大數據視為資訊科學和資料科學的結合，而智能電網、通信新技術和傳感技術是大數據應用領域特別有前景的三個方面。

以單步驟表面電漿誘發剝離法製備氮摻雜二硫化鉬/石墨烯奈米片之複合材料及其性質與產氫催化的應用

為了解決1t的問題，作者宋家維 這樣論述：

本論文使用單步驟表面電漿誘發剝離法製備二硫化鉬/石墨烯與氮摻雜二硫化鉬/石墨烯之奈米複合材料。由於二硫化鉬本身導電性質不佳、循環穩定性不足；而石墨烯材料能提供導電性作為輔助，因此首先探討二硫化鉬及石墨烯奈米片的配比研究。藉由各種配比的奈米複合材料，其表現出的表面性質、材料特性及電催化產氫能力，來找出最佳化的二硫化鉬/石墨烯奈米片複合材料。再將前者最佳配比的複合材料進行氮摻雜製程，此目的是研究氮摻雜對於二硫化鉬/石墨烯奈米片複合材料的材料性質變化，包含表面形貌、材料結構、材料晶格還有電催化產氫能力的影響。單步驟表面電漿誘發剝離法是將二硫化鉬材料塗層在石墨紙上來當作陰極，使用1M硫酸電解液，在通

以60伏特的電壓下會產生電漿，進行電化學剝離時，能同時剝落出石墨烯與二硫化鉬奈米片。製備複合材料後進行各種材料分析儀器的研究，從SEM、TEM能觀察表面形貌外觀；拉曼光譜分析石墨烯與二硫化鉬奈米片的層數、缺陷程度；使用XPS對樣品做氮元素上的材料分析；藉由XRD訊號觀察剝離前後晶格的變化。而透過LSV能量測材料作為電化學產氫催化的能力，實驗發現在二硫化鉬/石墨烯複合材料中，Gm-500的表現最佳，過電位值????10為280mV，再進行氮摻雜製程之後，Gm-500N之過電位值????10能明顯下降至240mV，具備更佳的電化學催化能力。單步驟表面電漿誘發剝離法能安全且快速地產生奈米複合材料，並

藉由異質摻雜的製程能有效進行各種產氫催化的研究。