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國立交通大學 電子研究所 莊景德、黃威所指導 曾煥然的 應用於物聯網之28奈米4kb 1寫2讀次臨界施密特觸發器先進先出隨機靜態存取記憶體設計 （2017），提出1K= Byte關鍵因素是什麼，來自於先進先出記憶體、靜態隨機存取記憶體、施密特觸發器。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 莊景德、黃威所指導 徐維伸的 應用於生醫感測平台之 28 奈米極低功率近/次臨界 先進先出記憶體設計 （2016），提出因為有 低功率、自我控制、先進先出記憶體的重點而找出了 1K= Byte的解答。
應用於物聯網之28奈米4kb 1寫2讀次臨界施密特觸發器先進先出隨機靜態存取記憶體設計
為了解決1K= Byte 的問題，作者曾煥然 這樣論述：
在許多系統晶片上，先進先出記憶體很常使用在資料暫存和流程控制。同時，多端靜態隨機存取記憶體也大量應用在可攜式電子產品中的處理器。在本論文中，首先，提出一多端操作在次臨界施密特觸發器12.5T靜態隨機存取記憶體儲存單元結合十自點資料察覺寫入字元線，其用於位元交錯架構。為了達到穩定的低壓操作，此12.5T單元增加了保存靜態雜訊邊界以及消除寫入半選擇擾動。第二，此電路同時採用一個可調式讀取操作時間追溯電路與負電壓字元線電路，以達到PVT變動容忍的讀取操作及增強寫入能力。第三，提出了漣波字元線架構利用漣波緩衝器將字元線分割成數個區塊降低導線延遲。最後，以聯電28奈米高介電質金屬閘極技術來實作一個4k
b多端施密特觸發器12.5T靜態隨機存取記憶體為基礎及運用上述節能技術的先進先出記憶體。比起之前的先進先出記憶體，它能同時進行一個寫入兩個讀取的執行，在更好的保存靜態雜訊邊界下，提高了兩倍輸出量，是適合應用在物聯網的先進先出記憶體。
應用於生醫感測平台之 28 奈米極低功率近/次臨界 先進先出記憶體設計
為了解決1K= Byte 的問題，作者徐維伸 這樣論述：
在許多系統晶片應用上，先進先出記憶體很常被用作資料暫存和流程控制。對於生醫感測平台而言，生醫感測器必須極為輕巧，不管是穿戴或植入在人體上。同時，延長的電池壽命是必須的。因此，極低功率消耗的先進先出記憶體變成一個重要的設計議題。在本論文中，首先提出一個新的位元交錯架構，它可以有效減少位元線上的電容及功率消耗，以及可以節省一條長金屬導線讓整體的運作速度不會卡在指標上。第二，提出一用在位元交錯架構的 10T 近/次臨界隨機存取記憶體儲存單元，它有 2.4 倍的讀取靜態雜訊邊界和減少位元線上資料依賴所造成的漏電流。第三，自我時序控制的指標可以減少一條常金屬導線及時鐘訊號，這比起之前的暫存器指標減少
59%的功率消耗。第四，適應性時間控制電路可以隨著製程、電壓、溫度變異追蹤最差情形的讀寫情況。第五，列層級功率切換控制電路可以適當的調整所需要的電壓輸出，它可以減少約 60.5%的整體功率消耗。最後，以聯電 28 奈米高介電質金屬閘極技術來實作一個 8kb 10T 隨機存取記憶體為基礎及運用上述節能技術的極低功率先進先出記憶體。比起之前的先進先出記憶體，它減少了 47 倍的功率消耗及減省了 2.7 倍的面積，是特別適合用在生醫感測平台的先進先出記憶體。