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國立中興大學 化學工程學系所 鄭紀民所指導 徐佳仕的 鎳鐵合金附載於氧化石墨烯之電極材料之研究 （2014），提出1 2mv 2證明關鍵因素是什麼，來自於鎳鐵合金、電化學、電極材料。
而第二篇論文國立虎尾科技大學 電子工程系碩士班 劉偉行所指導 施家豪的 低功率參考電壓設計 （2012），提出因為有 低功率、弱反轉區、差動模式、參考電壓、溫度係數的重點而找出了 1 2mv 2證明的解答。
鎳鐵合金附載於氧化石墨烯之電極材料之研究
為了解決1 2mv 2證明 的問題，作者徐佳仕 這樣論述：
鎳鐵合金在不同條件下具有多樣的奈米晶型結構，不同的比例合金會呈現多樣的性質，其具備高磁性的特性，未來在電磁設備上的應用上會有許多廣泛討論，也會是未來重要的電極材料之一，其改進重點在於(1)如何快速且能穩定地合成出高比例的奈米鎳鐵合金(2)藉由製備出氧化石墨烯與奈米鎳鐵合金之複合材料，使其具有高比表面積，期望能增加此複合材料比電容值與其他電化學性質。 本研究探討不同比例鎳與鐵之前驅物合成鎳鐵合金，並使鎳鐵合金與氧化石墨烯形成複合材料應用於超電容之正極。由TEM及SEM結果發現所得之產物為奈米級粒子，由XRD圖可以驗證確實合成出鎳鐵合金，電化學性質測試系統以鎳鐵合金/氧化石墨烯材料作為正極
，白金片作為負極，並分別以氫氧化鉀(KOH)作為電解液，利用循環伏安法與充放電測試法獲得正極電極材料的電化學特性。 實驗發現以1M HCl作為電解液時，NiFeB15具有最高的比電容值為154.0Fg-1，而以1M KOH作為電解液時只有119.1Fg-1。本研究中另外探討鎳鐵合金粒子大小對電化學性質的影響，樣品NiFeB15 為直徑25nm大小的鎳鐵合金於1M KOH時比電容值為119.1Fg-1，樣品NiFeA30之粒子為直徑100nm大小比電容值約為93.5 Fg-1，證明粒子越小確實能提升電化學的性能。 將樣品NiFeB15與不同比例之氧化石墨烯(graphene oxide)形成
奈米鎳鐵合金/氧化石墨烯複合材料，藉以提升此複合材料之電化學性質，實驗結果得知樣品NiFeB15G80在1M KOH電解液中比電容值為215.2Fg-1，證實氧化石墨烯的添加確實能有效增加材料之比電容值。
低功率參考電壓設計
為了解決1 2mv 2證明 的問題，作者施家豪 這樣論述：
本論文提出二種低功率差動模式輸出參考電壓電路。該電路係利用MOSFET偏壓於次臨界區時電壓與電流的指數關係以及來完成低功率消耗特性。適當的調整NMOS電晶體操作在次臨界區可得到低功率正溫度係數與負溫度係數，適當的組合正負溫度係數可以實現零溫度係數的參考電壓電路。相較於已知電路，本論文提出電路具有低功率消耗、架構簡單與較少晶片面積等優點。本論文除了詳細敘述工作原理，並使用HSPICE及LAKER電路模擬軟體以0.35-μm和0.18-μm製程參數進行佈局前後模擬及下線製作，本論文提出之第一種是改良式CMOS參考電壓電路經由模擬得到的結果為當供應電壓是1.8V，溫度變化從-20˚C遞增至120˚
C時，輸出電壓變化是2.0mV，功率消耗僅有4.5959uW，溫度係數為18.40 ppm/˚C，本論文提出第二種改良式參考電壓電路模擬結果為，當供應電壓是2.1V，溫度變化從-20˚C遞增至120˚C時，輸出電壓變化是3mV，功率消耗僅有21.516uW，溫度係數為29.22 ppm/˚C。電路模擬結果與理論推導相符合，也證明電路的可行性。本論文所提出之低功率差動模式輸出參考電壓電路可適用於醫療儀器與各種類比積體電路。