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華梵大學 機電工程學系 顏木田、王丕文所指導 林于翔的 微刀具製作線切割放電加工機之研發 （2018），提出0.1um mm關鍵因素是什麼，來自於微線切割放電加工、微刀具、繞線系統、機器視覺。
而第二篇論文國立臺北科技大學 機電整合研究所 陳雙源、黃恆盛所指導 鄒建明的 以功率轉換研究45 nm MOSFETs 高溫熱載子效應的直流與交流壽命 （2011），提出因為有 熱載子、轉換功率、直流、交流的重點而找出了 0.1um mm的解答。
微刀具製作線切割放電加工機之研發
為了解決0.1um mm 的問題，作者林于翔 這樣論述：
本文研究目的是研發桌上型微銑削刀具製作線切割放電加工機，此加工機主要由龍門式花崗岩機械結構、四軸運動控制平台、油加工專用等脈波放電電源系統、繞線系統、機械視覺量測系統、CNC系統所組成。本機台所使用之基座為花崗岩抗震平台， XY軸線性馬達驅動平台具有0.1um 光學尺解析度，可達到1um重現精度與定位精度。此CNC系統應用IMP2運動控制軸卡與專用輸入輸出卡可以實現四軸同動控制、閉回路線張力控制與線上機器視覺量測，本研究提出新型微細線繞線系統設計，推導繞線系統數學模式，提出比例積分微分控制法則之線張力控制器設計，利用供線輪與收線輪的速度差來進行線張力閉回路控制，測試結果顯示開迴路控制標準差為
12.18 cN，變異係數為4.8%，閉回路控制標準差為7.75 cN，變異係數為3.04%。機器視覺量測系統具有1.12 um/pixel的解析度，可線上量測微端銑刀具幾何特徵尺寸。實驗結果證明本研究所開發之桌上型微線割放電加工機採用直徑70 um 黃銅線可加工直徑300 um碳化鎢微端銑刀具，配合機器視覺系統可線上量測切槽深度與寬度，與光學顯微鏡量測結果比較，其量測誤差在3%內。
以功率轉換研究45 nm MOSFETs 高溫熱載子效應的直流與交流壽命
為了解決0.1um mm 的問題，作者鄒建明 這樣論述：
新世代的金氧半場效電晶體(MOSFET)已普遍使用二氧化鉿(HfO2)來當閘極介電層，但其熱載子可靠度問題，仍是值得研究的課題，本研究團隊曾利用功率轉換研究65 nm MOSFETs的熱載子可靠度問題，得到另人滿意的結果，本研究則持續研究功率轉換應用於45 nm nMOSFETs的效果。 本實驗中我們使用聯華電子所提供的測試元件45 nm製程的nMOSFETs元件。測試條件為通道長度/寬度(W/L)=10/0.1um以及通道長度/寬度(W/L)=10/0.05um的元件，並在25℃、55℃、85℃溫度進行實驗，應力測試電壓(VG;VD)分別設為(2.7 ; 2.7)、(2.7
; 2.9)、(2.7 ; 3.1)、(2.9 ; 2.7)、(2.9 ; 2.9)、(2.9 ; 3.1)、(3.1 ; 2.7)、(3.1 ; 2.9)、(3.1 ; 3.1)， 進行直流(DC)、交流(AC)通道熱載子(CHC)實驗。 把做出來的實驗結果套用於功率轉換模式之中，發現功率轉換模式可以成功地描述元件劣化的情況，並可發現在較高應力電壓以及溫度下，元件所造成的劣化較為嚴重，此結果可用於產業界用來預測劣化的情況，並且能夠減少測試元件的時間，提高工作的效能。