黃光蝕刻擴散薄膜的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

鈦鎢蝕刻側蝕改善探討

為了解決黃光蝕刻擴散薄膜的問題，作者賴忠良 這樣論述：

隨著半導體科技不斷進步，液晶顯示器從過往黑白螢幕轉為彩色螢幕，解析度由512*342進展到了1024*768、4K、8K…，而其控制元件driver IC也同步微型化，在driver IC die表面積不變下，為能融入更多bump，於是bump size便加以縮小，Bump size縮小後，Bump底部的側蝕刻未改變，導致於Die chip在切割時，縮小後的bump受高壓水柱沖刷，容易發生掉bump 狀況，因此bump與IC間的金屬界層底切問題，便被提出探討與改善。於是便針對現行bumping製程底切狀況進行分析，並由蝕刻製程溫度、蝕刻總量、高蝕刻速率與防側蝕刻藥液開發、增加金蝕刻製程、蝕刻

機台測試比較…等方向進行改善探討，由各項測試結果可知：1. 測試中發現當pH值上升時，蝕刻速率會加快，由化學反應式可以知道，H2O2反應後藥液會逐漸酸化（產生H+離子），所以當pH值升高時，會更加有利與產生的酸中和，去除反應生成物，進而提高反應速度。2. Spin etch機台有較強的Z軸流速，因此有助於正面化學反應生成物的帶離，使得正向有較快的蝕刻速率，因而得到較低的側向蝕刻量，主要原因為噴嘴正向噴吐時給了一個較強的Z軸流場。3. 降低蝕刻總量，對凸塊底部側蝕刻改善有正向效果，如果再搭配Spin蝕刻機台正向蝕刻力高於側向蝕刻力的流場特性，對於凸塊底部底切狀況有極佳之改善效果

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利用臭氧氧化氧化鋁薄膜達到背面鈍化效果之類倒金字塔單晶矽局部接觸太陽能電池之研究

為了解決黃光蝕刻擴散薄膜的問題，作者劉邦凱 這樣論述：

太陽能電池之研究近年來快速發展，而在致力於提升效率的同時，如何降低整體製程之成本也是一門重要的課題。本篇論文利用化學濕式蝕刻的方式對單晶太陽能電池進行表面的蝕刻，在表面形成倒金字塔之結構，有助於進一步降低表面反射率，增加入射光進入電池內產生載子的機會。另外我們也以臭氧氧化金屬鋁的方式，取代傳統ALD製程，使用較低成本的方法在晶片背面形成氧化鋁的鈍化層，透過這一層氧化鋁層可以在背面形成負電荷層，將對晶片產生場效鈍化之效果，如此一來便能夠提升長波長之入射光在背表面之吸收，降低背表面復合速率以及提升少數載子生命週期。本論文使用臭氧氧化金屬鋁形成背面氧化鋁鈍化層，透過不同之氧化鋁層製程參數，如鍍鋁厚

度、氧化時間、退火溫度、退火時間，探討少數載子生命週期的提升效果，而論文中為了證實氧化鋁層具有鈍化效果，使用XPS、TEM、C-V量測以及IQE量測分別進行探討，最後，我們得出之最佳製程參數為，鍍鋁厚度3nm，氧化時間20分鐘，退火溫度600°C進行退火90秒，由此參數製程之倒金字塔PERC太陽能電池的最佳轉換效率可以達16.92%，比起無PERC結構之倒金字塔太陽能電池參考片提升0.6%絕對值之效率。