高速寫入隨身碟的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

專門替華人寫的圖解日語單字：跟著1300張圖解學日文，生活的每一天都能用日文說!(附MP3)

為了解決高速寫入隨身碟的問題，作者檸檬樹日語教學團隊 這樣論述：

　　大同電鍋、50 CC小綿羊都編寫入書，第一本「以全球華人生活為藍圖」的「圖解」日語學習書！ 　　【圖80%＋文20%】零負擔的學習比例，單字精妙用法，即刻上手！ 　　單字是學語言時最容易上手的元素，也是最基本的能力！ 　　本書『將全球華人生活，整合為圖文並茂的日語學習教材』，你我生活變身一張張「解說日語詞彙用法的定格畫面」，「看得到、摸得到、聽得到、吃得到、做得到」的生活點滴全都編寫入書，透過熟悉的生活情境解釋詞彙、學習相對應的日語表達。 　　【圖80%＋文20%】零負擔的學習比例，學習內容如圖畫般輕鬆映入眼簾、儲存於大腦，再也不擔心──「日本人說的你聽不懂，自己想說的又說不出來」！

　　跟著全書1300張圖解學日文，定格畫面直接輸入大腦，圖片學習超有效，勝過千言萬語！ 本書特色 　　◎1300張「情境圖．字義圖．步驟圖．實景圖」單字精妙用法全圖解！ 　　本書插圖具有強大的記憶及學習功能！用插圖解釋「物品」、「動作」、「狀態」、「情境」，讓文字和圖像同時儲存於大腦。即使遺忘了文字，仍能藉由插圖的畫面，喚起完整記憶。平均每頁至少五幅圖解，要想記不住都難！ 　　【情境圖】並排停車、「繫上、解開」安全帶、穿耳洞　　【字義圖】上（a）ge.ru：用於「抬起」頭、「施放」煙火、「放」風箏　　【字義圖】振（hu）ru：用於「搖」立可白、「揮舞」帽子、「搖晃」體溫計降溫　　【字義圖】外（

ha.zu）su：用於「解開」扣子、「卸下」輪胎、「取下」眼鏡　　【步驟圖】提款3步驟：插入卡片、輸入密碼、取出現金　　【實景圖】測速照相、上下交流道、保持安全車距 　　◎華人生活「看得到、摸得到、聽得到、吃得到、做得到」的生活百態全收錄！ 交通工具類 　　【汽車】──繫安全帶、啟動引擎、踩油門、轉方向盤、打方向燈……　　【機車】──戴安全帽、啟動引擎、駛上人行道、停入機車格…… 飲食類 　　【刨冰】──裝刨冰、淋果醬、加配料……　　【布丁】──挖布丁、倒叩布丁……　　【電鍋】──掀鍋蓋、聞飯香、挖飯、盛飯……　　【煮飯】──量米、洗米、炊飯…… 生活類 　　【便利商店】──超商取貨、冷熱飲櫃

、關東煮、茶葉蛋……　　【電腦】──組裝、連線、下載、移除、搜尋、筆電、防震袋……　　【手機】──收發簡訊、收訊不良、螢幕保護貼、手機上鎖……　　【寢具】──折被、踢被、曬被子、枕頭戰…… 　　◎華人使用日語的「誤觸陷阱」，全提醒！　　華人容易誤觸的日語陷阱可真不少！例如，華語的「開」、「關」適用於很多場合，但日語卻區分的非常清楚，不能亂用： 　　●「開」的用法　　「開」燈：tsu.ke.ru　　「開」抽屜：開（a）ke.ru　　「開」冷氣開關：入（i）re.ru　　車門「開」：開（a）ku 　　●「關」的用法　　「關」燈：消（ke）su　　「關」抽屜：閉（si）me.ru　　「關」冷氣開關：

切（ki）ru　　車門「關」：閉（si）ma.ru 　　◎「華語漢字」和「日語漢字」的易混淆字，全掌握！　　華語的「煎荷包蛋」，日語要用「作（tsu.ku）ru」，而不是漢字有「煎」的「煎（se.n）ji.ru」　　華語的「乾杯」，日語要用「一□飲（i.kki.no）mi」，而不是「乾杯（ka.n.pa.i）」　　華語的「用筷子夾取」，日語要用「取（to）ru」，而不是漢字有「□」的「□（ha.sa）mu」 　　◎滿載！學過日文，也未必說得出口的關鍵字詞與表達　　例句嚴選課本上學不到、老師沒有教的生活常用短句。讓你知道，原來這句話的日文是這樣說！每一個單字都給一張印象深刻的圖，「字彙的意象＋動

作的畫面＋句子的情境」，培養單字力，就能達成「生活的每一天，都能用日文說」！ 　　◎互動！得以在極短時間內，學習到臨場所需日語的聽說讀寫能力　　每天的生活點滴都是日語單字的即興演出，透過「情境與詞彙的聯結」解釋詞彙、學習相對應的日語表達，從每天的生活，教會自己實用日語。 　　◎MP3【中文＋日文】全收錄，一邊做其他事也能一邊聽，就要你「分心」輕鬆學！ 作者簡介 檸檬樹日語教學團隊 　　「檸檬樹日語教學團隊」由多位中、日籍教師，以及深諳日語之資深編輯所組成。具10年以上研發、出版日語學習教材之豐富經驗，以『書籍內容精確、並且為母語人士之自然用法』為一貫目標。 　　出版品內容多元、並具便捷的學習方

法，屢次獲選為全國高中職、大學院所、社區大學之指定教材。 　　曾研發《從日本中小學課本學日文》《從日本中小學課本學會話》《從日本中學課本學文法》（高島匡弘老師著）；《從日本中小學課本學單字》《活用日本語會話大全》（福長浩二老師著）；《用聽的學50音》《用聽的學日文單字》（林心穎老師著）；《旅遊日語萬用手冊》（田中祥子老師著）；《一本搞定！中．英．日 萬用詞彙手冊：上網、旅遊、證照、求職都好用》等暢銷書。 審訂者簡介 福長浩二 　　具10年以上日語教學經驗，是活躍於臺灣、日本、韓國三地的日本語教師。 　　出生於日本廣島，日本廣島修道大學畢業，國立臺灣清華大學科技管理研究所畢業，為了鑽研日語教學，

目前攻讀東吳大學日本語文學研究所碩士班。 教學經歷： 　　韓國：L'avenir 株式會社日語教師　　日本：留學生日語教師　　臺灣：地球村、青山外語、趨勢語言教育中心、菁英國際語言教育中心、城邦集團果實出版、崇光社區大學、聖心女中…等機構日語教師。 實務經歷： 　　中日文筆譯、即席口譯，國立臺灣史前文化博物館日文網頁翻譯 著作： 　　●旅遊日語500句便利語典（檸檬樹出版）　　●惡口日語500句便利語典（檸檬樹出版）　　●日本語 慣用語句活用手冊（檸檬樹出版）　　●日語單字的故事（檸檬樹出版）　　●字解日本年度漢字（檸檬樹出版）　　●『聽』『說』旅遊日語很簡單（檸檬樹出版）　　●活用日本語會話

大全（檸檬樹出版）　　●從日本中小學課本學單字（檸檬樹出版）　　●考上日檢N2的單字筆記本（檸檬樹出版）

高速寫入隨身碟進入發燒排行的影片

奈米點記憶體元件之製作及其電性特性研究

為了解決高速寫入隨身碟的問題，作者胡志瑋 這樣論述：

近年來，非揮發性記憶體元件帶動了攜帶性產品的發展，如手機、筆記型電腦、mp3隨身聽、隨身碟、數位相機等。傳統非揮發性記憶體的操作原理是利用複晶矽浮停閘(floating-gate)做為載子儲存單元，其操作模式是透過儲存的電荷自反轉層之通道以穿隧效應躍遷過穿遂氧化層並儲存至複晶矽浮動閘極內。當移除所施加於元件的閘極偏壓後，由於所儲存電荷無足夠的電場或動能來穿過或躍遷穿遂氧化層，該電荷便侷限於浮動閘極中，並造成電晶體之起始電壓的改變。藉此，我們透過記憶體元件起始電壓的變化來判讀其狀態。然而，隨著元件微縮技術的需求，使得傳統的浮停閘極記憶體結構也面臨了元件可靠度上的挑戰，在元件進入奈米尺度後，為了

維持閘極控制能力則必須等比例微縮下的穿隧氧化層，使其厚度不再具有絕對的阻障效果，導致保存在浮停閘內的儲存電荷容易再穿隧回通道。另外，在經過長時間而高速的操作後，薄化的穿隧氧化層亦容易產生成漏電路徑，因而導致記憶體元件的失效。另外，在橫向的微縮上，當其中單一元件寫抹或讀取時，可能連帶影響到鄰近的元件的狀態。因此，為了解決浮停閘極結構記憶體未來將遭遇的困境，以分離式獨立儲存單元作為電荷儲存層之奈米量子點(Nanocrystal)因而被提出，該結構透過將電荷儲存在分離性的儲存中心的想法，因此即便元件有漏電路徑產生，仍可保留大部分的儲存電荷，做為有效之邏輯判讀以解決可靠度的瓶頸，相較於浮停閘極元件，奈

米量子點可容許較薄的穿隧氧化層，可進而降低操作電壓以及提高寫抹效率。在目前已發表之奈米點記憶體元件中，最常被廣泛討論的材料可分為金屬、介電質及半導體奈米點三類。其中以金屬或類金屬的奈米點結構開發為近年來之研究重點，由於具有其具有高功函數、高閘極偶合能力以及擁有較低的聚積溫度等優點。在本論文中，我們將研究以鎳及鈷為主要材料來製作奈米點結構並討論其應用於非揮發性記憶體元件之電性結果。在目前，奈米量子點的製作方式主要可分為薄膜的自我析出特性、過飽和而析出以及透過氧化反應而分離等方式。因此，在此，我們將針對這些方式作進一階的探討及改善。在自我析出的製作方式中，我們透過共濺鍍的方式將鍺元素加入常見之矽化

鎳自我析出的系統當中，探討加入的鍺元素對於矽化鎳奈米點的形成所造成的影響，在與其未加鍺之矽化鎳之比較組相對照下，可發現摻有鍺的矽化鎳在較低的退火溫度下，得到一個較佳的奈米點尺寸及密度分佈。其主要原因為加入的鍺使得矽化鎳較容易由非晶態轉為複晶態，在轉態的過程中所釋放的能量將促進了奈米點的析出過程，因而可得到一個較好的奈米點均勻性。此外，可發現，摻有鍺之矽化鎳元件在電性特性上展現9的記憶窗口在正負10伏特的電容電壓特性上。而在可靠度上，該元件亦可維持2.4伏特的記憶窗口即使經過104秒的載子保存能力測試後。在奈米點元件製作上，離子佈植被發現可以製作相當高密度且多層分佈之奈米點結構，而常被應用於光電

元件製作上。然而，在記憶體元件上，離子佈植法却有可能傷害穿隧氧化層的可能性，且摻入的元素分佈亦較難侷限，因此可能進而影響元件的可靠度特性。在此，我們亦希望透過共蒸鍍的方式以形成可形成類似離子佈植法的的金屬及介電質混和之結構以製作鎳金屬奈米點埋入氧化矽之記憶體元件。而透過高解析穿透式電子顯微鏡，可發現所形成之奈米點呈現雙層及單層的分佈在不同的退火溫度下，其原因是由於共鍍時鎳金屬是任意分佈於介電層當中，熱退火時，鎳金屬會任意擴散碰撞，並在適當的成核點聚積成奈米點，由於共鍍時核點是任意分佈的，因此可再是適當的膜厚下，形成多層或單層的結構，而較高溫下退火時，足夠的能量將促使任意分佈的奈米點之間互相聚積

而兼併，進而形成較大尺寸較低密度的奈米點結構，透過進階的穿隧式電子顯微鏡照片，證實即使是單層結構下，亦可得到一個極高密度（4.5×1012cm-2）的奈米點結構，其結果有助於改善奈米點結構的均勻性的問題。該元件在電性上亦有優秀的特性表現，800℃退火的元件展現4伏特的記憶窗口以及2. 1伏特的載子保存能力。另外，我們亦嘗試透過共蒸鍍的方式製作鎳金屬點埋入氮化矽之結構，其結果與埋入氧化矽相當的類似，且有較佳的可靠度，其結果是因於使用氮化矽層，由於下層的氮化矽可以降低庫倫屏障效應時的介面電場，因而降低載子從奈米點躍出的可能性。另外，氧化反應亦是一個常見的方式以致做奈米點元件，透過不同元素之間的氧化

能力來達成元素析出的方式製作奈米點。然而，直接氧化的方式仍有著過度氧化的可能性，因此於本論文中，我們嘗試透過反應式濺鍍的方式來製作奈米點元件，實驗中，於濺鍍矽化鈷時通入適當的氧氣流量，在反應式濺鍍過程中，所濺鍍之矽化鈷可能會被局部氧化或是氧摻雜，因此後續的熱退火過程中只需在氮氣下進行。只要有效控制濺鍍時氧的流量，即可以避免反應時，其矽化鈷薄膜被過度氧化的問題，實驗結果顯示透過反應式濺鍍所製作的元件有明顯的奈米點形成於穿隧氧化層上，其奈米點尺寸和密度分別為5-6奈米 and 3.2×1012cm-2。而該元件亦展現7伏特的記憶窗口。另外，我們也研究了不同氧流量上及不同退火溫度下所造成的效應，以提

出製作該元件的最佳化條件，並嘗試透過濺鍍時通入氮氣體，探討製作以反應式濺鍍製作奈米點埋入氮化矽之可能。最後，我們亦嘗試使用硝酸氧化的方式來製作矽化鈷奈米點元件的穿隧氧化層，其動機在於現今所發表的文獻中，元件穿隧氧化層的製程溫度常常需要高於800℃以上，反而高於奈米點製作溫度，而此高溫退火可能不利於奈米點元件應用於多層結構亦或玻璃基板等，而近年來所提出之硝酸氧化法是透過硝酸水解時所帶來的高氧化能力以氧化金屬或半導體薄膜，形成薄而緻密的介電層，實驗結果可以發現使用硝酸氧化製作出的氧化鋯作為穿隧氧化層的記憶體元件仍然可以擁有10伏特的記憶窗口及2.1伏特的載子保存能力。該結果亦表示該氧化鋯有能力保存

寫入之載子於奈米點內而不會輕易地漏回，亦證實硝酸氧化有潛力使用於製作低溫的穿隧氧化層