歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
類似易博通的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
類似易博通的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦洪邁寫的 容齋隨筆：宋代最強紙上知識型Youtuber 一本什麼都能談的歷史脫口秀 和林世奇的 洲尾紀事都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自好優文化 和釀出版所出版 。
國立臺灣大學 臺大-復旦EMBA境外專班 李吉仁所指導 邱素梅的 以出售作為事業退場策略之個案研究 （2018），提出類似易博通關鍵因素是什麼，來自於併購、事業出售、退出策略、利害關係人、客戶價值主張。
而第二篇論文國立清華大學 工程與系統科學系 吳永俊、張俊彥所指導 埕雅琪的 新穎奈米尺度無接面鰭式場效電晶體應用於三維堆疊積體電路之研究 （2015），提出因為有 無接面鰭式、場效電晶體、三維堆疊、奈米尺度的重點而找出了 類似易博通的解答。
容齋隨筆：宋代最強紙上知識型Youtuber 一本什麼都能談的歷史脫口秀
為了解決類似易博通 的問題，作者洪邁 這樣論述：
不管是什麼，都給我來一點：最豐富的文史大蒐奇 今晚，我想來點……歷史大蒐奇！ 這部巨大的小書，雖然可以說不管是什麼，都給我來一點； 但其與百科全書最大的差異在於： 它不只是知識的條目，它更是洪邁一生智慧的結晶， 足以作為我們生命中智慧老人的「生命筆記本」， 帶著我們去穿梭在歷史與經典中， 進而回到當下的生命中感受自我的意義與價值。 洪爺說的不是歷史，而是人生。 一次讀完上下千年歷史 正是洪邁那「幼讀書日數千言，一過目輒不忘，博極載籍，雖稗官虞初，釋老傍行，靡不涉獵」的書蠹性格與習慣，使得他能夠在《容齋隨筆》中有如今日的綜藝談話節目「從外太空談
到內子宮」般精彩。 歷史隨選MOD 在容齋的頻道內，洪邁可以是道德導師：他會引用佛教與道家的經典與思想，進而帶著我們去思考人生，如在〈蜘蛛結網〉一篇，他從佛經的「蠢動含靈，皆有佛性」、《莊子》「惟蟲能蟲，惟蟲能天」，告訴我們怎麼透過一隻蟲子體悟生命的意義。 本書特色 千古歷史流言的終結者，洪邁根據史料，告訴你這些都是謬誤： 李白因撈月而死、「恙」的原意是疾病、戊的讀音為「務」、 把新娘丟入河中「河伯娶妻」、孔廟將孔子與弟子並列祭祀。 《容齋隨筆》是南宋洪邁所著的讀書筆記，歷來享有很高的聲譽，被諸多名人大家所推崇。 內容涉獵廣泛，如經史典故、諸子百家、詩詞文
瀚，以及醫、卜、星、算等都有涉及，堪稱宋朝的百科全書。 本書選取了《容齋隨筆》中的精華部分，並佐以注釋、譯文等，以方便讀者理解與閱讀，讓讀者能夠在中國古代文化的薰陶中，豐富自己的內涵。 名人推薦 ❖專文導讀❖ 曾暐傑（師大國文系助理教授） ❖好評推薦❖ 賴柯助（中正大學中文系助理教授） 許惠琪（師大共同教育委員會助理教授） 詹芸（Youtube頻道「國文哪有這麼難」執行長）
以出售作為事業退場策略之個案研究
為了解決類似易博通 的問題，作者邱素梅 這樣論述：
企業併購已成為現代企業成長的重要途徑，但多數的併購研究聚焦於討論如何經由併購以提升企業競爭力，著眼點在於買家該如何成功併購與產生購後綜效，而較少從併購案的賣方，討論為何與如何能夠透過出售事業，成功地退出不想繼續經營的市場，並最大化回收該事業的剩餘價值。 事業的出售，始於出售策略的訂定，及內外部出售團隊的建立。在出售計畫執行過程中，賣方即使選出理想的買家，當進入交易條件的實質談判時，可能會面臨諸多的困難而使雙方陷入僵局。本研究認為，賣方為了達成出售的策略目的，應該於事前找出會影響併購的關鍵性因素，並且提早規劃關鍵性因素的解決方案，以創造併購過程的多贏結果。本研究透過定量矩陣評量，針對關鍵
利害關係人，運用價值主張圖的思考架構，找出賣方可提供有價值的服務來衡平利害關係人的利益，使利害關係人因為痛點不再，而可成為交易過程中的助力，建構以出售作為產業退出的可行策略。 根據這些邏輯，本研究針對個案公司出售特定事業單位的歷程，檢視台灣公司賣方角色、與中國大陸公司買方在交易協商時需要特別注意的法規遵循程序，以及賣方在交易價金支付部分如何取得更多一層的保障進行研究；尤其當買方是中國大陸的公開上市公司時，如何確保交易符合大陸證監會與證券交易所的監管程序，以免交易最終面臨程序不全而延宕或告吹，更是進行事業出售時必須列入退出策略的一部分而提前規劃。最後，本研究歸結案例的學習點，希能對於日後類
似出售交易者有所助益。
洲尾紀事
為了解決類似易博通 的問題，作者林世奇 這樣論述：
踩在洲尾的土地上，我的步伐有點躊躇，有點遲疑。 我像是近鄉情怯的旅人，又像是丟失記憶的過客， 那些土地裡飄出來的傳奇身影、悲歡歲月， 像沉入心湖深處的聲音，既真切，又朦朧。 ★血勇如虎，沉酣如醉，有時對世事一無所知，有時又精明得嚇人。 ☆生猛霸悍，卻又多情溫存。活得天大地大，渾然無忌。──這是「洲尾人」。 作者透過重臨現場、反覆聆聽和翻尋文獻，記下許多祖先和族人的身影步履，發現了族人之間融於血緣中的微妙相似，也看見各房子孫兄弟叔姪的巨大差異。這些在洲尾傳唱的故事，透過作者鮮活的鄉土文字一篇篇地保存下來，笑中帶淚，卻又含淚微笑，在懷舊憶往的情調裡，除了戀戀不捨
的孺慕，也有深沉犀利的洞見。 近年來「文化記憶」已成顯學，保存集體記憶、紀錄在地文化、訴說臺台灣故事，不斷勾出無數靈魂的共鳴。尋根或鄉土，其實是自我省視的文學形式，在尋找家園的過程裡，瞥見那些藏在生命深層處的密碼。當那一片難以言說又無法拆解的混沌「靈光再現」的時候，我們也許正以一種新的形式，重新歸返了自我。 本書特色 ★當「文化記憶」那一片難以說盡的意象出現之時，也許我們正以一種新的形式，重新歸返了自我。 ☆一本實實在在保存集體記憶、記錄在地文化、訴說洲尾故事的尋根文學。
新穎奈米尺度無接面鰭式場效電晶體應用於三維堆疊積體電路之研究
為了解決類似易博通 的問題，作者埕雅琪 這樣論述：
本論文詳細的探討了各種新穎奈米尺度無接面鰭式場效電晶體的元件製作方法，電特性，可靠度分析，以及其在三維堆疊積體電路中應用的可能性。本文主要共分成三大方向，第一部分是探討我們成功製作出的通道厚度僅2奈米的無接面電晶體特性及其可靠度分析，我們採用氧化薄化的方法來形成極薄膜通道將能得到非常好的電晶體特性，由於薄化可使通道多晶晶粒大小的減小以及缺陷的降低，可得到近似單晶的通道，電性上也展現出非常低的漏電流以及近乎於理想的陡峭臨界曲線，開關電流比可達到十的八次方，此研究已被2013年的VLSI Technology所接受，無接面電晶體可為未來低靜態功率消耗之元件。值得一提的是我們以多晶矽做出來的元件，
在Vth隨溫度的飄動上，與單晶的元件行為類似。另外，本研究亦發現其崩潰電壓達到五十伏，遠高於類似尺寸的傳統型薄膜電晶體以及在高壓應用下常用的橫向擴散金氧半場效應電晶體，而這主要歸功於無接面電晶體的結構本質像一個電阻，使得電場可以均勻的分佈在整個半導體區域內，而非一般的傳統型電晶體只集中在通道汲極的接面之上。因此無接面電晶體對於高壓元件的應用也是具有潛力的。雖然無接面薄膜電晶體為一種未來可行的元件，因其製程簡單、熱預算少、短通道效應不明顯等優點。但由於無接面式電晶體需做成薄膜型態才能將通道關上，此原因使得無接面式薄膜電晶體的飽和電流受到壓制，呈現小電流的情況。因此，此篇論文第二部分提出升抬式汲源
極結合無接面式薄膜電晶體，藉此降低串聯電阻，使得飽和電流升高。在基本電性上，汲源極抬升使得無接面薄膜晶體的飽和電流能達到1μA 比起之前文獻高出快十倍。使用抬升式汲源極結構可保留原本無接面電晶體薄通道的特性，其基本電性如SS將近100mV/dec.;漏電流低至10-14A，因此使用升抬式汲源極可整合博通到結構，進而使得元件特性提升。在可靠度分析中，我們將有升抬式汲源極的無接面電晶體施予加熱分析，從基本電性圖中，看出重要參數的變化如:SS，Vth，Ion ，Ioff ，藉此分析元件的熱穩定性，以及與溫度的相依性。對於stress的實驗中，在匝極施予固定的偏壓，看元件在連續偏壓下裂化的程度。比較P
型與N型元件，可發現在此種stress條件下，N型元件相較於P型元件抗stress. 在升抬式汲源極無接面電晶體中，我們應用了雙匝極(Dual Gate)的概念，在同一層中，我們同時定義出兩條匝極，控制同一條通道，此種元件在操作時發現藉由兩條匝極施予不同的電壓條件，元件的Vth可做彈性的調變，對於邏輯元件而言，這是一個很好的應用。在此部分的研究中，討論了操作電壓與元件電性的變化。在第三部分的研究中，成功做出一種新穎的無接面電晶體。由於無接面電晶體需要做薄才能運作，但薄化的製程不易控制，因此本篇提出利用”bulk”元件的概念，做出混合式反參雜通道(Hybrid P/N channel)的薄膜電晶
體，藉著不同參雜，產生空乏區，使等效通道變薄。基本的結構圖、電性圖與模擬圖將會在內文中提及與討論，此研究已發表於2014年的IEDM頂尖會議。在混合式反參雜通道的薄膜電晶體中，除了使用不同的摻雜濃度調變臨界電壓，接著更進一步，使用背向閘極(back-gate)可以在不改變製程的情況下達到多重臨界電壓的調變，除可節省製程預算，也能讓元件特性更佳化，例如同時可以增加開電流與同時降低漏電流，使用背向閘極偏壓的方式，已成為低功率電路(low-power circuit)和功率性能管理中的關鍵技術，可獲得所期望的臨界電壓調變。我們亦成功將混合式反參雜通道的薄膜電晶體做多層PNPN堆疊元件結構，能應用於堆
疊3D積體電路中，來提高電晶體密度以延續Moore’s law，並可應用於次世代高畫質的主動式平面顯示器與其面板和高密度記憶體所使用，極具學術與產業界應用價值，是一重大且具影響力之研究課題。此3D堆疊的電晶體結構為多層元件的製作方式，來增加電子元件的密度，並預期使P/N結構的開電流隨著元件層數而增加，但仍可維持一樣好的電特性，可以使開電流增加並同時讓關電流下降(Ion-Ioff)，很低次臨界擺幅(SS)和良好的短通道效應控制力(DIBL)特性，此研究已被2016年的VLSI Technology所接受。