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電阻電壓降計算的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
電阻電壓降計算的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦陳新寫的 2022基本電學(含大意) 實戰秘笈：收錄1430題最詳盡![2版]〔鐵路特考/員級/佐級/台鐵營運人員〕 和葉倍宏的 電子學(上)(第三版)【附電子書及程式檔光碟】都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自千華數位文化 和新文京所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 （2021），提出電阻電壓降計算關鍵因素是什麼，來自於過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體。
而第二篇論文國立嘉義大學 電子物理學系光電暨固態電子研究所 高柏青所指導 沈秉訓的 鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用 （2021），提出因為有 三層式電極(DMD結構)、熱蒸鍍、銅、三氧化鎢的重點而找出了 電阻電壓降計算的解答。
2022基本電學(含大意) 實戰秘笈：收錄1430題最詳盡![2版]〔鐵路特考/員級/佐級/台鐵營運人員〕
為了解決電阻電壓降計算 的問題，作者陳新 這樣論述：
★驚爆試題全詳解‧重磅出擊！ 在電機電子群、各類相關工程系或公私立專業級考試裡，「基本電學」是當相重要的基本專業知識，作者根據多年的授課經驗，參考各方書籍、歷屆考題及參考書，將內容精確的歸類編排，文字說明盡可能言簡意賅，使讀者在研讀時達淺顯易懂的效果，兼具教科書和參考書之特性；為了讓讀者在自修時能明白各章大綱，標題開頭皆有提醒和特性說明，歷年考題出現的頻出度，以及各章的難易度，為提供良好的學習前準備。每一章節中後均提供適當之相關練習題，使讀者能立即自我評量，為接下來的學習做調整。 最新試題落點分析 近三年的數據顯示出，直流串並聯電路及直流迴路分析的題型仍佔
多數，但是比例卻下降了許多，此外各章節的題目出現率趨向平均化，過去直流部分甚至超過一半的比例，目前走向均值模式，考生必須留意！其中特別要注意的是暫態電路的分析及計算，比以往要來的多，在準備上應該要全面性，就題目的深度而言，掌握基本觀念及公式的熟練，比較複雜的數字小心計算，即能應付九成五以上的題目。 本書特色 ◎零基礎、一看就懂，圖表呈現輕鬆讀 本書課文部分共分為13章，參照近年命題趨勢所編寫，從基本概念到進階命題焦點，解說清楚明白，搭配圖片與表格整理，使讀者更容易掌握命題範圍內容。 ◎難易度+出題頻率、實戰秘技指點應考關鍵 各章有難易度與出題頻率標示，讀者可
以更有彈性地安排學習各章應投入的時間。各章實戰秘技提示考試關鍵與準備考試之相關建議，在進入課文前便能有一概括之瞭解。 ◎收錄1430題最詳盡，全面解析破解迷思 課文中穿插「範題特訓」，可直接印證理論，並立即演練，有助讀者將相關原理原則學習得更為精熟。各章後更有相關測驗題及計算題，以供讀者檢測自我實力。供讀者多次演練機會。本書所有試題均有解析，提醒解題應該注意的關鍵，請務必留意。
具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算
為了解決電阻電壓降計算 的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：
實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基
型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮
吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。
電子學(上)(第三版)【附電子書及程式檔光碟】
為了解決電阻電壓降計算 的問題，作者葉倍宏 這樣論述：
本書作者以多年的教學經驗，將複雜的電子學課程以簡單的方式呈現，全書中儘量避免使用艱深難解的數學，易讀易懂，因此，即使未曾修過基本電學課程，透過研讀本書，同樣可以輕鬆學習。 全書分為十章，書中包含基本電路概念、半導體物理與pn接面、二極體電路、特殊二極體、電晶體、電晶體偏壓、共射放大器、共集與共基放大器、場效電晶體等九章及其習題詳解答，第十章功率放大器則以電子書方式收錄在隨書光碟中以降低篇幅。不同於一般市面上之電子學，本書採取引導式教學，範例練習皆為一步步引導解題，使學生面對艱難的電路將更容易理解。 本書所附隨書光碟中，除了收錄第十章的電子書外，還包含了MAT
LAB與Pspice兩套功能強大的模擬軟體教學電子書以及MATLAB程式檔，以此光碟來輔助學習電子學，內容更為充實，非常適合大專以上理工學院以及電子電機科系主修電子學的學生研習與入門導讀所需。
鐵金屬種子層對WO3/Cu/WO3透明導電薄膜之影響及其在透明有機發光二極體之應用
為了解決電阻電壓降計算 的問題，作者沈秉訓 這樣論述：
在本論文研究中，探討Fe種子層對WO3/Cu/WO3 (WCW)透明導電薄膜在電性、光學以及結構等性質的影響。Fe種子層以及WCW多層薄膜在玻璃基板上以熱蒸鍍方法製備。WCW薄膜的導電性與光穿透性會隨著Fe種子層引入於WO3/Cu介面而明顯增加。相較無種子層的WCW薄膜(平均光穿透率61.87 %與片電阻22.98 ohm/sq)，具Fe無種子層的MAM薄膜樣本具有較低的片電阻(7.80 ohm/sq)與較高的平均光穿透率(73.93 %)，兩薄膜品質因數分別計算為3.71×10-4 ohm-1與6.32×10-3 ohm-1。由於WO3薄膜表面的金屬Cu連續性分佈程度和Cu薄膜厚度與WO3
表面性質相依，因此WO3表面性質對於WCW多層結構薄膜的導電性與光穿透性而言是非常重要的因子。當厚度1 nm的Fe種子層引入後，沈積在WO3表面的Cu薄膜的連續性分佈所需之門檻厚度可由原本的15 nm明顯地降低至12 nm。由掃瞄式電子顯微鏡、原子力顯微鏡量測結果發現，在引入Fe種子層WO3基底層上沈積12 nm之Cu薄膜表面會呈現較佳的表面覆蓋性(孔洞率 =22.69% vs. 7.91%)與平整性(Rrms = 1.92 nm vs. 0.56 nm)。經由接觸角的量測結果可知，Cu金屬薄膜的表面形貌改變可歸因於WO3薄膜與Cu薄膜間的良好接觸與附著性所致。經由X光繞射的量測結果可知，因具
較高表面能的Fe種子層提供了有利於Cu沉積的成核表面，引入後可有效抑制Cu原子的團聚並導致Cu薄膜的晶粒較小(14.06 nm vs. 10.45 nm)。因此，相較無Fe種子層的WO3表面，Cu薄膜沉積於具Fe種子層的WO3表面會較平滑且具有較低的門檻厚度(15 nm vs. 12 nm )。當使用WCW多層結構薄膜作為反式穿透型有機發光二極體(結構：ITO/Alq3:Na2CO3/Alq3/BCP/NPB/陽極)的陽極材料時，相較無Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Cu(15 nm)/WO3(20 nm))之元件(Vturn-on = 5 V、Ltotal = 1927 cd/m2、
ηc= 0.64 cd/A、ηp = 0.50 lm/W)，具Fe種子層之陽極(WO3(20 nm)/Fe(1 nm)/Cu(12 nm)/WO3(20 nm))的有機發光二極體具有較佳電激發光特性，其中包含：較低的驅動電壓(4.5 V)、較高的輝度(2250 cd/m2)、電流效率(0.72 cd/ A)以及功率效率(0.59 lm/W)。