電源供應器電壓不足的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

新型超音速風洞電漿噴流研究

為了解決電源供應器電壓不足的問題，作者王顥程 這樣論述：

本研究主要針對電漿合成噴流在一大氣壓條件下的性質進行研究，探討電漿致動器在固定頻率以及固定工作週期時產生噴流的物理條件，以及在不同噴口直徑下、不同電壓條件的電漿噴流速度，為了基於電漿致動器進行超音速流場中的震波邊界層交互作用的控制，我們計畫設計一座新式的超音速風洞，以整合我們的電漿致動器進行實驗。在電漿致動器方面我們固定擊發頻率在60 赫茲，固定工作週期在30%，噴口直徑我們選擇了1.5mm、1.3mm、1.2mm 三個尺寸，量測電壓範圍從1.3kV~2.0kV 每一百伏特為間隔進行實驗，利用紋影顯像技術(Schilieren)對電漿致動器產噴流的電極距離以及噴流速度進行量測。在超音速風洞設

計方面我們除了使用簡單的一維等熵流進行了風洞質流率、風洞運行時間等等參數進行估算，也使用數值模擬進行比對。針對風洞所使用的超音速噴嘴，我們利用開源碼OpenFOAM進行數值模擬，採用了基於中心格式的暫態求解器rhoCentralFoam並結合k-omega SST(Shear Stress Transport)紊流模型進行噴嘴的驗證以及不同操作壓力下的噴嘴性質。研究結果顯示電漿合成噴流的強度會隨著電極距離的增加而增強，然而電漿合成噴流的速度不太隨噴口直徑的不同而改變，噴流速度隨電壓的變化也較不明顯，實驗結果的噴流速度也未達到我們的預期，推測原因可能是電源供應器的功率不足而造成此結果。而超音速風

洞的噴嘴根據一維等熵流估算與數值模擬的結果是可以達到我們所需求的三馬赫速度，而在我們所預期的噴嘴入口停滯壓操作條件下，噴嘴屬於過膨脹噴。

薄膜式振動器驅動電路設計研究

為了解決電源供應器電壓不足的問題，作者張証驊 這樣論述：

摘要本論文首先是進行薄膜式振動器，驅動電路的設計研究。選擇Arduino模組及Ne555積體電路，作為震動信號產生電路，結果發現Arduino模組對於附載，較不敏感，所以成為本研究之: 薄膜式音波振動器，驅動電路的信號產生電路。其次是對驅動電路，進行了深入廣泛的設計研究。信號功率放大器，嘗試過以下電路: 功率放大器OP741電壓隨耦器，及達靈頓(ULN2003L)功率放大驅動電路。結果發現達靈頓功率放大驅動電路的性能較佳，但所用的ULN2003L積體電路，輸出功率不符合需求。所以又進行功率放大電路改進設計，嘗試過以下電路: 2SC4053達靈頓功率放大電路，及IGBT CT60AM達靈頓功率

放大電路。結果發現2SC4053達靈頓功率放大電路，性能雖有提升，但輸出功率，仍不符需求。最後換了IGBT CT60AM，進行功率放大電路改進設計，且將電源電壓提升至12V。性能雖有提升，但輸出功率，仍不符需求。所以再將電源電壓提升至15V，結果還是不符需求。故又增加做了: 單級IGBT CT60AM (電源電壓12V) 功率放大電路的並聯設計研究，如: 單級IGBT CT60AM ，電源電壓12V，15V，功率放大電路設計，及單級IGBT CT60AM (電源電壓12V) 功率放大電路並聯設計。結果發現這些達靈頓功率放大電路，性能雖有提升，但輸出功率，仍不符需求。由於實驗室的電源電壓最高為1

5V，所以第4章，僅能以模擬方式，運用Multisim電路模擬軟體，以提升電源電壓方式，完成下列電路的可行性分析: Multisim BTA14，及IGBT等，達靈頓電晶體高電源電壓模擬。依照模擬結果顯示: 2SC4053與IGBT皆有以下現象，系統電源電壓升高，對於輸入端電壓低的狀況(如3.3V)，提升效果較明顯。但在輸入端電壓高時(如50V)，提升效果，則較不明顯。模擬的結果，與目前晶片實際展現結果，相差甚遠。其原因可能是: 設計功率元件及電路，需要較高功率的實驗材料搭配，如: 以目前採用杜邦線，和麵包板，很容易受其寄生電阻，電容及電感等佈線的影響，而無法發揮晶片的效能。另一方面，電源供應

器的輸出不足，也是一個主要原因。