電流量測的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

感測器原理與應用實習 - 最新版(第四版) - 附MOSME行動學習一點通：影音

為了解決電流量測的問題，作者盧明智,陳政傳 這樣論述：

　　1.基本元件強迫複習：為本課程建立好的基礎，重拾學生對所學更有信心，讓應用實習得以順暢進行。 　　2.實驗模板製作應用：從一定能成功的小作品下手，它是進入商品化產品製作的入門，用以支援所有的感測實習。

電流量測進入發燒排行的影片

以紫膜光電生物感測器探討朝鮮薊萃取物與精油之抑菌性

為了解決電流量測的問題，作者許涵茹 這樣論述：

朝鮮薊萃取物具有保肝利膽、抗癌、抗氧化、抗菌等功能，因此常用應用於保健食品及藥物上。紫膜 (purple membrane, PM) 中含有具光敏性細菌視紫質(bacteriorhodopsin) 膜蛋白，受到光激發後可用以產生光電流，因此可作為光電訊號轉換器。本論文使用先前實驗室已開發以 PM 為光電訊號轉換器且可分別偵測真菌、革蘭氏陽性菌與革蘭氏陰性菌之生物感測器，對朝鮮薊萃取物的抑菌特性進行探討；檢測對象包含牙斑菌以及另外2 株真菌、2 株革蘭氏陽性菌與3 株革蘭氏陰性菌。以 10 CFU/mL 菌濃度做為抑菌實驗的初始濃度，並在培養基中分別加入 4 種不同濃度的朝鮮薊酒水萃液與水萃液

，以及 6 種不同精油，觀察6、12、28與24小時不同培養時間後的菌濃度。菌濃度分別以上述三種不同的 PM 光電感測晶片量測，並同時與傳統的光譜分析法進行比對。以晶片量測結果發現，在兩種朝鮮薊萃取物的結果中顯示出朝鮮薊酒水萃液比水萃液的抑菌效果來的好。含有朝鮮薊酒水萃液、牛至精油與茶樹精油之組合對牙斑菌具有最佳的抑菌效果；於培養 6與24 小時後，抑菌比例可分別達 96.1% 與 99.7%。其次，對於朝鮮薊水萃液，在含有牛至精油與茶樹精油之組合下，對牙斑菌於培養 6與24 小時後，抑菌比例可分別達 96.3% 與99.6%。此外，對於另外 2株真菌、2株革蘭氏陽性菌與3株革蘭氏陰性菌，在相

同朝鮮薊酒水萃與精油的組合下，均有類似的抑菌效果，而與 4 種市售漱口水相比，也均有良好的抑菌效果。傳統光譜分析法在本研究中無法測得培養 6 小時的菌濃度，需培養 24 小時後才可量測到，我們可以藉由 PM 晶片高靈敏度的特性來測得較低的菌濃度。本研究顯示以 PM 為光電訊號轉換器的微生物感測器可取代傳統分析方法，更快速與準確地探討組合溶液的抑菌效果。

AIoT智慧物聯網應用實習 - 使用Arduino C程式語言結合ESP32-CAM開發板：附MOSME行動學習一點通：診斷．加值

為了解決電流量測的問題，作者羅啟維 這樣論述：

　　1.利用ESP32-CAM開發板拍照並進行人臉辨識、字元辨識與車牌辨識等操作。附完整範例，不需要事先訓練，也不需要了解辨識演算法，就能完成辨識。   　　2.搭配不需使用信用卡註冊的物聯網網站，並使用手機門號、LINE帳戶與Google帳號，即可免費取得本書操作所需的物聯網金鑰。   　　3.搭配LINE Bot，即可用蘋果或安卓手機進行遠端拍照、控制接點、人臉辨識、字元辨識與車牌辨識等操作，辨識結果可直接傳回手機。

細菌視紫質單層塗覆光電感測晶片的光控制自旋過濾特性探討

為了解決電流量測的問題，作者蕭奕岷 這樣論述：

含有光敏性細菌視紫質(bacteriorhodopsin, BR)的紫膜(purple membrane, PM)，具有手性誘導自旋選擇性(chiral-induced spin selectivity, CISS)，且具有光控制自旋過濾(light-controlled spin filtering)的效果。本研究針對實驗室先前所開發以單層PM為光電訊號轉換器的各式光電生物感測晶片，進行光控制過濾行為探討，檢測對象包含小分子核糖核酸、糖化血色素、抗生素、真菌以及革蘭氏陰性菌，且晶片分別以不同架橋來固定化感測辨識分子。首先，使用循環伏安法(cyclic voltammetry, CV)對各晶

片製程中各塗覆層在不同光照及磁場控制下進行其氧化與還原峰電流值量測，並計算自旋極化率(spin polarization, SP)。結果發現各感測晶片之所有塗覆層的氧化與還原峰電流值在光激發時均大於無照光時；外加磁場時，氧化與還原峰電流值會增加，且當磁鐵內部磁力線方向(S→N極)與晶片層層塗覆方向同向時，效果會大於另一磁力線方向，因此晶片在光激發時其SP值會低於無照光時，此意味著BR的光驅動質子傳遞效應會增加晶片的氧化及還原峰電流值，但同時也會降低電子自旋過濾效果；此外，對各種檢測晶片，塗覆層種類變化與SP值下降程度間並無顯著相關性。其次，利用電化學阻抗頻譜法(electrochemical

impedance spectroscopy, EIS)對各感測晶片製程中的各塗覆層進行量測，以了解不同塗覆層對晶片的阻抗變化影響以及CV峰電流值變化的原因。阻抗分析結果發現，晶片在光激發時均低於無照光時；外加磁場時阻抗值均會降低，且當磁鐵內部磁力線方向與晶片層層塗覆方向同向時，阻抗值會小於另一磁力線方向時。此結果隱喻晶片各塗覆層的阻抗變化會導致其氧化及還原峰電流值的變化，阻抗下降時其峰電流值會上升；此外，也顯示BR的光控制自旋過濾效果不會因塗覆層的增加或不同而消失。最後，將各種感測晶片對不同濃度目標物進行檢測並同時分析其阻抗值變化，結果發現，晶片阻抗值變化程度與目標物濃度間呈半對數線性關係，

且同一種檢測晶片間的相對標準偏差(relative standard deviation, RSD)均低於2 %，顯示阻抗值可作為以單層PM為基底之生物感測晶片的一種檢測參數。