電容量測器的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷

為了解決電容量測器的問題，作者位明先 這樣論述：

　　本書章節編排循序漸進，由基本物理開始到整體電子電路的量測為止，讓學習者能對電子儀表量測有系統性的了解。並且在介紹各種量測之前，先就所需使用的儀表特性及操作做說明，配合測量的實例說明，能讓學習者有更完整的測量概念。每章後面附有重點重理與學後評量，期望能由教授者帶領，讓學習者藉由思考及討論題目的過程，對每一章節的內容能加以統合延伸。

電容量測器進入發燒排行的影片

大面積矽偵測器寄生電容量測及分析

為了解決電容量測器的問題，作者王曉琪 這樣論述：

在PHOBOS的實驗中，利用相對重離子碰撞加速器（Relativistic Heavy-Ion Collider accelerator），藉著金原子和金原子的對撞，模擬這個最原始的狀態—夸克—膠子電漿態（Quark-Gluon Plasma）。為了能夠偵測到夸克—膠子電漿態（Quark-Gluon Plasma）的存在證據，PHOBOS實驗就以矽偵測器作為主要的偵測器。隨著實驗要求的不同，矽偵測器的幾何形狀也就有不同的設計，在PHOBOS的實驗中，所用的主要偵測器就是矽微條偵測器（Silicon Strip Detector，SSD）以及矽塊狀偵測器（Silicon Pad Detecto

r，SPD）。而在本篇論文中，主要就是探討PHOBOS所用的SSD以及SPD的寄生電容（parasitic capacitance）的性質。 矽偵測器（SSD,SPD）的內部，寄生電容（parasitic capacitance）一直是受人討論的問題。因為它關係到這個偵測器的訊號和噪音的比例（signal-noise ratio），而且它很難從偵測器上直接地量測出來。為了能夠得到這些寄生電容的值，藉著K&S Model 4123點銲機讓欲測量P+塊狀區域的附近每個P+塊狀區域的偏壓電阻接地（bonding pad ground）。接著再用KEITHLEY Model 2

30電壓供應器以及KEITHLEY Model 590 CV Analyzer電容量測器，藉著Labview的整合，透過GPIB介面，控制電壓的輸出以及電容值的讀取。 經由一系列不同『接地』方式量測某一個單一P+塊狀區域的結果。結果得知，以訊號線（signal line）和第一層金屬（Metal_1）之間的電容和訊號線（signal line）和訊號線（signal line）之間的電容是構成寄生電容最主要的二個部分。為了能夠減少這二個部分的寄生電容，偵測器內部訊號線的設計以及Metal_1和Metal_2之間的絕緣層種類及厚度是必須要考慮的。

感測器原理與應用實習 - 最新版(第四版) - 附MOSME行動學習一點通：影音

為了解決電容量測器的問題，作者盧明智,陳政傳 這樣論述：

　　1.基本元件強迫複習：為本課程建立好的基礎，重拾學生對所學更有信心，讓應用實習得以順暢進行。 　　2.實驗模板製作應用：從一定能成功的小作品下手，它是進入商品化產品製作的入門，用以支援所有的感測實習。