電容感測器原理的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

感測器原理與應用實習 - 最新版(第四版) - 附MOSME行動學習一點通：影音

為了解決電容感測器原理的問題，作者盧明智,陳政傳 這樣論述：

　　1.基本元件強迫複習：為本課程建立好的基礎，重拾學生對所學更有信心，讓應用實習得以順暢進行。 　　2.實驗模板製作應用：從一定能成功的小作品下手，它是進入商品化產品製作的入門，用以支援所有的感測實習。

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決電容感測器原理的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

一個整合全數位鎖相迴路電容數位轉換器之高靈敏度CMOS微機電IL-6感測系統整合晶片

為了解決電容感測器原理的問題，作者蔡俊鴻 這樣論述：

本論文提出一個用於個人健康管理之微機電 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)電化學換能器與讀取電路整合單晶片，提出新型的垂直指叉式電化學換能器透過標準CMOS製程輔以自行濕蝕刻後製程實現，整合於讀取電路內的MEMS電容式換能器會將血液中的IL-6濃度訊號轉換為對應的電容值，透過同一晶片上的ADPLL形式之電容-數位轉換器將對應於IL-6濃度訊號的電容值數位化。且透過CMOS-MEMS技術將MEMS電容式換能器與電容-數位轉換器進行整合設計可以大幅降低寄生電容與雜訊的影響並且縮小面積。本論文提出之ADPLL based CDC由相位頻率偵測器(PFD

)、數位濾波器、以及電流式DAC與弛張振盪器構成之數位控制振盪器(DCO)組成，當感測電容值發生變化時會使振盪頻率產生變化量，ADPLL由數位濾波器調整電流式DAC產生對應電流變化量，使振盪頻率鎖在參考頻率並輸出正比於電容變化量的數位碼。此外，提出的電容-數位轉換器可以消除因為濕蝕刻後製程所造成的換能器電容值變異量、寄生電容以及電路延遲的影響，因此不需要設計額外的校正電路。提出之MEMS電容換能器具有0.8 nF/ppm的靈敏度以及1-1000 pg/ml的IL-6感測範圍，採用TSMC 0.18 μm製程，面積為1.2*1.2 〖mm〗^2並採1.8V電源，功率消耗1.5 mW ，FoM則是

31.65 pJ/step。