歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
電容作用的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
電容作用的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦胡信國寫的 鉛碳電池 可以從中找到所需的評價。
另外網站[汽機車] 超級電容逆電流可有效達到省油效果嗎 - 卡提諾論壇也說明：之前自己自製過逆電流加裝，用的材料是一般的電解電容，容值約7萬uF，但實際感覺不太到一般說的效果， ... 新車的話可能只有心理作用.
國立陽明交通大學 電子研究所 蘇彬所指導 黃士恩的 三五族及矽負電容場效電晶體的模型建立及探討 （2020），提出電容作用關鍵因素是什麼，來自於負電容場效電晶體、鰭式場效電晶體、三五族材料、量子侷限效應、汲極誘導勢壘降低、源極至汲極直接穿隧、量子電容、反鐵電、超薄體電晶體、背閘極。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 蘇彬所指導 尤韋翔的 負電容場效電晶體與鐵電電晶體於邏輯及記憶體應用之元件模型與探討 （2019），提出因為有 負電容場效電晶體、鐵電電晶體、二維過渡金屬硫屬化合物、鰭式場效電晶體、邏輯電路、非揮發性記憶體、靜態隨機存取記憶體、記憶體內運算、去極化電場、記憶窗的重點而找出了 電容作用的解答。
最後網站电风扇的电容起什么作用 - 电工屋則補充：电容作用 是使单相电机的两个线圈绕组所经过的电流产生相位差，从而使电机朝一个方向旋转。否则，两个绕组电流相位相同，电机无法确定朝哪个方向转。
鉛碳電池
為了解決電容作用 的問題，作者胡信國 這樣論述：
鉛碳電池是新一代鉛酸電池。它解決了普通閥控式鉛酸電池在新能源汽車和太陽能風能發電的儲能應用中遇到的共同問題，即高倍率部分荷電（HRPSoC）條件下迴圈使用時，負極嚴重硫酸鹽化使電池失效的問題。《鉛碳電池》為推動鉛碳電池和負極加碳元素技術的開發，推進鉛碳電池在新能源領域的應用，著重介紹了鉛碳電池的結構原理、負極加碳技術以及鉛碳電池的生產工藝，介紹了國內外鉛碳電池的研究進展和成果。 《鉛碳電池》可供從事新能源汽車動力電池和太陽能風能發電儲能電池的研發、生產、銷售和管理人員參考，還可供大專院校相關專業師生參考使用。
電容作用進入發燒排行的影片
陳寗嚴選音響/耳機團購請見： http://bit.ly/ningstere
陳寗嚴選 iPhone 保貼請見：https://lihi1.cc/VnHIF
商品選購、團購問題請 Line 問我： http://bit.ly/ningline
--
先前談了音響調音的大概方向，今天就來談一點細節的。很多人花了很多錢買音響設備，從喇叭、擴大機、訊源、線材，再到墊材、架子、擴散板...等周邊也都花了不少。但左整又調整，總是覺得音響好像有那麼「一口氣」不順暢，好像如鯁在喉一般地不痛快，這有可能是哪方面的問題？
如果你問我，我會先反問你：音響保險絲換了嗎？
很多百萬音響裡面用盡好料，全機 Vishay 電容、Wima 電容，甚至連 Mundorf 金銀電容都用上了，結果卻敗在一顆小小的保險絲上。你知道嗎？小小的保險絲其實對音響調音的作用並不亞於電源線！因此如果要補足音響那最後一口氣，保險絲的選用與調整，都是不容忽視的重要步驟。
事實上保險絲並不只是選一根合用的就好，在這之上還有很多正規、非正規的玩法，但那就是更進階的問題了。今天我們就先來瞭解一下，到底音響的保險絲有多麽重要，還有如何初步挑選合適的保險絲～
最後再次提醒，音響不是玄學，切莫不要因為沒上過外太空就不相信地球是圓的。在真實存在的現象面前，因為還找不到原因就說他不存在，這跟那些喊著要燒死哥白尼的人士有何不同呢？
#音響調音 #Hi-End音響 #保險絲
──────
喜歡這支影片嗎？
本影片採用 AI 字幕，目前已開啟社群字幕，邀請你一起來讓字幕更趨完美：
http://bit.ly/SubtitleNing
感謝你的協力！
──────
本頻道幾個原則跟你約定好：
1. 開箱零業配：
真實使用過後才發表心得，通常試用至少 1 個月，所以你通常不會看到我最早發表，但哥真性情的評論，保證值得你的等待。
2. 理性討論：
我有自己的偏好，你也有自己的好惡，我們互相尊重，時時用大腦，刻刻存善念，不謾罵，不矯情。可以辯論，不可以沒邏輯。
3. 我團購我驕傲：
我很愛買東西，也很愛比較產品，我自己使用過、多方比較過，還是覺得喜歡的東西，我才會辦團購。（簡單說就是挑品很嚴格，至今 80% 廠商找上門都被我打槍。）辦團購我一定有賺，但我跟廠商拿到提供給你的團購價，也會讓你一定有划算感。所以如果你品味跟我相近，或是剛好有需要，就跟我團購，我們互惠。如果你覺得跟我團購，你就是我乾爹，說話不懂得互相尊重，那就慢走不送，你可以去找一般店家買貴一點。
看了以上，覺得可以接受就請你訂閱，訂閱順便開鈴鐺。我們每天晚上 6:00 見。
我的網站連結在這：https://ningselect.com/
也別忘了幫我的 FB 粉絲專頁按讚：http://bit.ly/ningfb
如果有任何問題，包括團購等問題，都可以直接傳 Line 問我：http://bit.ly/ningline
另外團購商品請參考我的商城，不過上面的價格未必是實際的團購價格，因為很多廠商不希望我這太殺的團購價格暴露在網站上，所以請直接傳 Line 問我囉：https://shop.ningselect.com/
廠商合作請先了解相關原則：http://bit.ly/coopning
三五族及矽負電容場效電晶體的模型建立及探討
為了解決電容作用 的問題，作者黃士恩 這樣論述：
本論文採用量子力學解析模型，針對新穎的三五族負電容場效電晶體進行研究探討，以供將來的邏輯應用。考慮的量子力學效應，包括量子侷限效應、源極到汲極的穿隧電流以及量子電容的影響來評估次臨界狀態和導通狀態的特性。藉由解析模型與數值模擬交相驗證，我們探討並比較了不同三五族與矽材料之負電容場效電晶體的短通道效應和導通態特性及其對態效能的影響。透過我們的分析，深入瞭解負電容場效電晶體在邏輯應用中的優勢、限制和優缺點。由於量子侷限效應，臨界電壓(VT)對鰭寬(Wfin)的靈敏度對鰭式場效電晶體(FinFET)的未來發展至關重要。利用已驗證過的量子次臨界模型，我們研究了三五族和矽材料的金屬/鐵電/金屬/絕緣體
/半導體(MFMIS)型負電容鰭式場效電晶體(NC-FinFET)的VT對Wfin的靈敏度。研究結果表明，與FinFET相比，NC-FinFET在負電容的作用下，能具有更小的鰭寬變異性。此外，提升內部電壓放大(AV)的元件設計可用於進一步降低臨界電壓對鰭寬的靈敏度。隨著通道長度逐漸縮短，源極到汲極的穿隧電流的上升會影響靜止狀態附近的特性。對於在製程上更可行的金屬/鐵電/絕緣體/半導體(MFIS)型NC-FinFET，利用考慮了汲極耦合效應的量子次臨界模型，我們研究三五族與矽材料NC-FinFET源極到汲極的穿隧電流和與短通道效應。研究表明，由於負電容對電勢分佈和源極與汲極之間的隧穿距離的影響，
靜電完整性和源極到汲極的穿隧電流可以得到顯著改善。此外，隨著通道長度的減小，有著嚴重DIBL和SS的三五族元件，在負電容作用下可以更接近矽元件。另外，利用與數值模擬相吻合的理論計算，我們對三五族 NC-FinFET的反轉電荷(Qinv)特性和量子電容引起的反轉電荷損耗進行了研究。由於三五族雙閘極元件的二維狀態密度使其具有階梯狀的反轉電容，NC-FinFET在電容匹配中有著至關重要的作用。我們的研究表明，在負電容的作用下，反轉電荷會隨著鐵電極化(Pr)的增加而上升。此外，負電容效應對於三五族元件的反轉電荷提升程度比矽元件還大，因此可降低NC-FinFET的量子電容引起的反轉電荷損耗。為了在較低的
電源電壓下達到更好的導通狀態性能，我們提出可以利用反鐵電/鐵電(AFE / FE)閘極堆疊來設計NC-FinFET的S曲線以提高導通狀態電流。利用我們發展的短通道兼容BSIM-CMG的MFIS型AFE / FE堆疊NC -FinFET模型，分析了AFE / FE堆疊NC-FinFET的電容匹配和導通狀態特性以及基於IRDS的預測。其中，局部電荷分佈效應已考慮在汲極電流模型中。我們的研究表明，除了擁有與單層NC-FinFET相似的次臨界擺幅，AFE / FE閘極堆疊可改善較高閘極偏壓時的電容匹配。因此，可以達到更高的導通狀態電流，這也代表了將來在電路中對電源電壓的進展具有長期的益處。除了NC-F
inFET，我們還研究了超薄絕緣負電容場效電晶體(UTB NCFET)的背閘極效應和通道長度的微縮性。利用數值模擬驗證過的量子次臨界理論模型，研究了三五族和矽材料NCFET的背閘極調製VT特性。研究表明，NCFET的body-factor可能為負，並且其絕對值對BOX厚度的依賴性比MOSFET還弱。此外，還分析了NCFET的SS與Lg之間的non-monotonic關係。研究表明，通過減小通道厚度、反向背閘極偏壓或增加鐵電極化，可以緩解非線性的次臨界I-V特性，從而可改善NCFET元件的微縮性。
負電容場效電晶體與鐵電電晶體於邏輯及記憶體應用之元件模型與探討
為了解決電容作用 的問題，作者尤韋翔 這樣論述：
本論文針對新興的負電容場效電晶體(negative-capacitance FET)及鐵電電晶體(ferroelectric FET)應用於未來低功耗邏輯及嵌入式記憶體應用提供完整的評估與分析。在此論文中，我們各別對於鐵電閘控電晶體(ferroelectric-gated transistor)用於開關及記憶體之面相，考慮了元件-電路間相互影響(interaction)和共同最佳化(co-optimization)以呈現鐵電閘控電晶體在元件/電路層面的潛力及隱憂。著眼於邏輯應用，如何透過元件設計使負電容場效電晶體達到較大電壓操作範圍未遲滯的陡峭開關是一相當關鍵之課題。藉由一可微縮且經良好驗證
之模型，在考慮深埋氧化層(buried oxide)厚度及背閘極偏壓效應(back-gate biasing effect)下，我們建構了以二維過渡金屬硫屬化合物為通道之金屬-鐵電-金屬-絕緣體-半導體結構負電容場效電晶體之元件設計空間。我們的結果指出，藉由採用薄的深埋氧化層及施加適當大小的反向背閘極偏壓效應可擴張元件之設計空間並達到最佳化設計，但特別對於採用薄深埋氧化層的二維負電容場效電晶體而言，因負電容作用造成的特殊基板偏壓效應也需要進行考慮。藉由一理論推導之通用模型，我們也檢視了技術上較易實現之金屬-鐵電-絕緣體-半導體閘極層(gate stack)二維負電容場效電晶體在絕緣層上覆矽(S
OI)和雙閘極(DG)結構間負電容效應之本質差異。此外，為了達到最佳化設計，深埋氧化層厚度對絕緣層上覆矽結構二維負電容場效電晶體之負電容效應之影響亦有所著墨。我們的研究指出，不同於對稱的雙閘極結構，絕緣層上覆矽結構中，獨立背閘極的存在會產生一映襯於背閘極具電壓相關性的內在電荷(internal charge)並使負電容效應可在次臨界區域下作用。雖然透過薄化深埋氧化層可改善絕緣層上覆矽結構負電容場效電晶體之次臨界斜率，但過薄的深埋氧化層厚度會產生一具強烈電壓相關性的鐵電電容惡化元件之平均次臨界斜率。隨著閘極長度的微縮，藉由數值模擬結合考慮了汲極耦合效應之解析次臨界模型，我們系統性的探討了金屬-鐵
電-金屬-絕緣體-半導體結構二維負電容場效電晶體之短通道效應。而通過高介電夾層的邊際電場(fringe field)對短通道二維負電容場效電晶體次臨界特性之影響亦有所著墨。我們的結果顯示，由於汲極耦合對負電容效應之影響，二維負電容場效電晶體展現了獨特的短通道行為。此外，雖然高介電夾層的使用可以進一步改善短通道二維負電容場效電晶體之次臨界特性，但過大的高介電常數會造成非線性的次臨界電流-電壓特性並嚴重惡化二維負電容場效電晶體的平均次臨界斜率(subthreshold swing)。除了金屬-鐵電-金屬-絕緣體-半導體結構負電容場效電晶體外，我們也探討了金屬-鐵電-絕緣體-半導體負電容鰭式場效電晶
體之短通道效應及靜電完整性(electrostatic in-tegrity)並與鰭式場效電晶體相比較。藉由一經良好驗證之解析次臨界模型，我們檢視了等電位能量圖跟剖面電位能量隨閘極及汲極電壓的變化並發現，與鰭式場效電晶體相比，負電容鰭式場效電晶體天生具有較好的靜電完整性。此外，適當的側壁空間層(spacer)設計可進一步增強負電容鰭式場效電晶體之負電容效應及靜電完整性並可作為一延續鰭式場效電晶體微縮之方式。為了能夠評估金屬-鐵電-絕緣體-半導體負電容鰭式場效電晶體所組成電路之效能，我們發展了一以表面電位為基礎且與BSIM-CMG相容之短通道金屬-鐵電-絕緣體-半導體負電容鰭式場效電晶體電路簡化
模型。金屬-鐵電-絕緣體-半導體負電容場效電晶體特有的局部電荷分布效應可在不須進行局部電荷加成下自然地融入在電壓-電流模型中。藉由我們的模型，我們首次透徹地評估及分析了採用十四奈米極低功耗負電容鰭式場效電晶體之超大型積體電路次系統級邏輯電路。根據我們探索的三變數(待機功耗/開關能量/延遲)等位圖，我們發現在一給定的待機功耗及延遲下，相較於鰭式場效電晶體，採用負電容鰭式場效電晶體之高速加法器其開關能量消耗可以減少約六十個百分比。我們也指出了，除了陡峭的次臨界斜率和導通電流(ION)，負電容鰭式場效電晶體獨特的反向臨界電壓隨汲極電壓相依性(意即:負的汲極誘導能障降低(DIBL))不僅是可接受的，亦
有利於靜態(static)及傳導電晶體(pass-transistor)邏輯電路之效能，特別是在低操作電壓下的傳導電晶體邏輯電路。為了使靜態隨機存取記憶體(SRAM)在較低的操作電壓下可牢靠的作用同時只佔據較小的面積，我們提出了一利用負電容鰭式場效電晶體反相器所形成的獨特遲滯電壓轉換特性發展出混和式抗讀寫干擾之四顆電晶體靜態隨機存取記憶體。此四顆電晶體靜態隨機存取記憶體的功能性已由積體電路通用模擬程式(SPICE)電路模擬進行分析與實現。由於其本質上具有優異之抗讀寫干擾能力，因此我們也展現了在四顆電晶體靜態隨機存取記憶體內執行記憶體內運算(in-memory computation)之可靠性。
除了混和式四顆電晶體靜態隨機存取記憶體外，我們也提出了採用了鰭式場效電晶體及遲滯負電容鰭式場效電晶體之混和式八顆電晶體非揮發性靜態隨機存取記憶體(nvSRAM)。此八顆電晶體非揮發性靜態隨機存取記憶體之建構是藉由增加兩顆遲滯負電容鰭式場效電晶體於傳統六顆電晶體靜態隨機存取記憶體中用於連接儲存點及傳導電晶體。根據這樣的架構，八顆電晶體非揮發性靜態隨機存取記憶體可在與傳統六顆電晶體靜態隨機存取記憶體有著相匹敵的效能及能量消耗下實現其非揮發特性。著眼於嵌入式非揮發性記憶體應用，此章節以靜態Preisach模型探討了以金屬-鐵電-金屬-絕緣體-金屬及二維通道場效電晶體為結構之鐵電非揮發性記憶體之去極化
電場(depolarization field)(記憶體資訊保存(retention)之一關鍵指標)及記憶窗(memory window)特性。我們也探討了閘極長度微縮對具有不同側壁空間層設計之二維鐵電電晶體記憶窗之影響。我們的研究指出，當鐵電層操作在小遲滯圈(minor loop)中，具強烈等效氧化層厚度相依性之極化電荷會導致去極化電場隨等效氧化層變薄而增大。因此當給定一記憶窗大小，較厚的等效氧化層設計有利於降低去極化電場。此外，我們也指出，二維鐵電電晶體可藉由側壁空間層之設計使強反轉(strong inversion)及累積(accumulation)區域下的內在電荷提高並進一步極化鐵電層
，因此記憶窗可隨著閘極長度的縮短而大幅增加。我們的研究提供了鐵電電晶體用於非揮發性記憶體之設計藍圖。