電子封裝的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

IC封裝製程與CAE應用(第四版)

為了解決電子封裝的問題，作者鍾文仁,陳佑任 這樣論述：

　　本書除了對IC封裝類型、材料、製程、新世代技術有深入淺出的介紹外，針對電腦輔助工程(Computer-Aided Engineering，CAE) 的應用有更詳細的描述；從IC封裝製程(晶圓切割、封膠、聯線技術..)、IC元件的介紹(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封裝技術到CAE工程分析應用在IC封裝，能使讀者在IC封裝製程的領域有更多的收獲！本書適合大學、科大電子、電機系「半導體封裝」及「IC封裝技術」課程或有興趣之讀者使用。 本書特色 　　1.提供一完整IC封裝資訊的中文圖書。 　　2.提供IC封裝產業及其先進封裝技術的學習。 　　3.使讀者了解CAE

工程在IC封裝製程的相關應用。

電子封裝進入發燒排行的影片

數據分布於核嶺回歸模型對晶圓級封裝之可靠度預估研究

為了解決電子封裝的問題，作者蘇清華 這樣論述：

伴隨著人類對電子產品日益增長的需求，電子封裝逐漸向著微型化、高密度的方向發展。本篇論文所探討的晶圓級尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package, WLPCSP)，其最顯著的特點就在於能夠有效減小封裝的體積。WLSCP自2000年以來經過長遠而迅速的發展,便成為了目前市場上主流的電子封裝形式之一。有別於早期傳統封裝技術，其基本的工藝思路是直接在晶圓上進行封裝製程，最後切割晶圓直接得到封裝成品。電子封裝的可靠性評估便是本篇論文的研究目的。對於WLCSP，晶片通過錫球和基板進行連接，在實際工作期間需要經受一定週期的高低溫溫度循環，器件中不同材料間的熱膨脹係數(CTE)的

失配導致錫球產生了一定的熱應力和熱應變，造成了應變能的積累，最終導致了封裝的失效。所以說，錫球的熱-機械可靠性對封裝可靠度評估的影響尤為顯著。傳統封裝可靠性評估的重要手段之一便是熱循環負載測試(Thermal cyclic test, TCT)，但由於每一次的熱循環負載測試會花費數月之久，從而大大增加時間成本，降低產品研發速率，不利於產品的市場化競爭。為了降低時間成本，一般會於封裝研發過程中採用有限單元模擬的方法來代替TCT。雖然有限單元法(FEM)相較於傳統TCT大大地降低了時間成本，但是另一方面FEM並沒有傳統實驗方法統一規定的流程，不同研究人員由於其自身能力以及建模思路和側重不同，造成相

當程度上的模擬誤差。為解決這一問題，並進一步減少FEM中建模與驗證的時間成本，本論文研究利用核嶺回歸（KRR）機器學習演算法，對晶圓級尺寸封裝進行可靠度評估。同時進一步用聚類（Cluster）算法解決在大規模數據集下，KRR機器學習演算法的CPU時間成本問題

微晶玻璃技術（原著第二版）

為了解決電子封裝的問題，作者（列支）沃爾夫拉姆•霍蘭 這樣論述：

《微晶玻璃技術》先介紹了微晶玻璃的組成及性質特點，然後詳細講述了各種微晶玻璃系統和微晶玻璃的微觀結構控制，很後是微晶玻璃在具體領域的應用。書中有許多微晶玻璃技術實例，全面反映了歐美國家近期新的微晶玻璃生產技術和進展，具有很強的實用性和參考價值。   《微晶玻璃技術》可供從事無機非金屬材料研究的科研人員、生產技術人員參考，也可作為高等院校相關專業的教學參考書。

以3ω法量測複合薄膜之熱傳導係數與界面熱阻

為了解決電子封裝的問題，作者李驊峻 這樣論述：

本論文研究利用3法量測覆晶接合(Flip-chip，FC)結構中的凸塊底層金屬化結構(Under Bump Metallurgy，UBM)的金屬薄膜之熱傳導係數(Thermal Conductivity， )與界面熱阻(Thermal Boundary Resistance，RTBR)性質。首先以電漿輔助化學氣相法沉積不同厚度之SiO2作為校正試片，以熱阻串連的概念進行數據回歸分析，量測得SiO2之本質熱傳導係數(Intrinsic Thermal Conductivity， )為1.17 W/mK，而由 及 所組成的RTBR值為3.60109 m2K/W。接著量測FC結構的UBM

膜層中常見之鈦(Ti)金屬薄膜之本質熱傳導係數( )為13.30 W/mK及 值為1.32109 m2K/W，與先前相關研究報導比對相符，以此確定本實驗量測之可信度。最後將Ti薄膜分別結合鉻(Cr)與鉬(Mo)金屬薄膜製備成複合多層金屬薄膜，分別量測Cr金屬薄膜之本質熱傳導係數( )為10.40 W/mK與Mo金屬薄膜之本質熱傳導係數( )為11.46 W/mK，而Cr與Ti薄膜界面的 值為1.46109 m2K/W及Mo與Ti薄膜界面的 值為1.60109 m2K/W。