電壓電流計算的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

電子儀表量測 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：診斷

為了解決電壓電流計算的問題，作者位明先 這樣論述：

　　本書章節編排循序漸進，由基本物理開始到整體電子電路的量測為止，讓學習者能對電子儀表量測有系統性的了解。並且在介紹各種量測之前，先就所需使用的儀表特性及操作做說明，配合測量的實例說明，能讓學習者有更完整的測量概念。每章後面附有重點重理與學後評量，期望能由教授者帶領，讓學習者藉由思考及討論題目的過程，對每一章節的內容能加以統合延伸。

電壓電流計算進入發燒排行的影片

藉由高介電質鈍化層提升氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之崩潰電壓

為了解決電壓電流計算的問題，作者羅祈恩 這樣論述：

由於三五族材料氮化鎵(GaN)，具有高臨界電場、低介電常數、寬能隙等特性，將其用於高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors, HEMTs)中，可在高頻率、高功率的電路中操作，使元件應用的範圍更為廣泛。本研究是透過Sentaurus TCAD半導體模擬軟體進行所有的電性分析，結構為 空乏型單通道AlGaN/GaN HEMTs。研究的一開始先比較三種情況：單層鈍化層（SiN）、單層鈍化層（high-k電介質）及雙層鈍化層（第一層：SiN，第二層：high- k電介質），比較結果為雙鈍化層具有最佳特性，並透過改變整體鈍化層的厚度及介電常數，觀察其對電

場峰值之影響，接著再針對整體元件進行優化，除了在電性方面有顯著的提升，優化結構也成功將崩潰電壓由初始結構的21 V提升至101 V。

超簡單物理課：自然科超高效學習指南

為了解決電壓電流計算的問題，作者DK出版社編輯群 這樣論述：

　　從最基本的能量轉換到力與運動的關係，從到波的各種形式到光學原理，從電路的基本法則到磁場與電磁學──物理這門科學的牽涉範圍之廣、資訊量之龐大，時常讓人難以招架。學生為了應付考試只能強記，物理學也因此成為許多人學生時代的夢魘。 　　這套最新的基礎科學學習指南系列，就是從輔助學生課堂理解出發，針對自然科琳瑯滿目的重點逐一突破，快速解除學習挫折感。《超簡單物理課》把物理的內容分成超過250 個環環相扣的觀念全面講解，透過精細的繪圖與照片，配上條理清晰的文字說明，從物理的科學方法與思考要領開始，依序進入能量、運動、力學、波動、光學、電路、磁場、電磁學、物質、壓力、原子與放射性以

及太空等主題，幾乎每一頁都附有容易消化與加深印象的重點提示與補充說明，幫助融會貫通。DK 發揮一貫強大的博物館式圖文整合能力，讓讀者在研讀每個觀念時，就宛如進入一座迷你主題博物館，得到不同於教科書的學習體驗。 　　本書的內容架構不但有利於學生參照課堂進度來學習，也便於初次接觸物理的成人讀者尋找延伸閱讀方向，因此除了適合作為小學高年級到國中程度的補充讀物，也是其他年齡層讀者認識物理的最佳入門參考書。 本書特色 　　●全球百科權威DK理工編輯團隊第一套專為學校課程而設計的物理參考書。 　　●章節規畫完整，涵蓋「物理課」所有內容與跨科主題：原子、力學、光學、電磁學。 　　●高品質的照片與繪圖，

搭配一目瞭然的圖解式教學架構，精準解析基礎物理核心概念。 　　●視覺化的物理概念說明，快速查找內容綱要、釐清重點，提升遠距教學與居家自習效率。

空氣橋場板對斜場板雙通道氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體崩潰電壓之影響

為了解決電壓電流計算的問題，作者沈貴麟 這樣論述：

高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistors, HEMTs)，主要仰賴其由IIIV族化合物半導體所形成之異質接面中的二維量子井，將大量的自由電子侷限在其中，從而擁有高電子濃度、高電子遷移率等優越特性，並且由於GaN材料本身的高崩潰電場，使得HEMTs元件被高度應用於高頻電路、高功率電路等領域。本研究係以半導體模擬軟體Sentaurus TCAD，模擬AlGaN/GaN HEMTs元件之各項電性以及結構對其本身的影響，並探討優化場板的搭配來使元件的性能得以提升及改善。本研究主要探討閘極斜場板與源極空氣橋場板的搭配，並調整閘極斜場板之斜率、源極空氣橋

場板之結構來改善元件中橫向電場的分佈，進而降低電場峰值，使元件之崩潰電壓得以提升。最終使得崩潰電壓從初始結構之19 V提升至200 V。