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明志科技大學 電機工程研究所 郭慶祥所指導 邱建維的 非對稱接地面六邊型超寬頻天線設計及頻率抑制特性之研究 （2010），提出雙頻無線電推薦關鍵因素是什麼，來自於非對稱接地面、超寬頻、微帶線、頻帶抑制。
而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 邱顯欽、傅祥所指導 劉昱呈的 瓦級砷化鎵微波功率放大器及雙頻段砷化鎵低雜訊放大器研製 （2010），提出因為有 砷化鎵、瓦級功率放大器、緊縮微帶諧振單元、雙頻段低雜訊放大器的重點而找出了 雙頻無線電推薦的解答。
非對稱接地面六邊型超寬頻天線設計及頻率抑制特性之研究
為了解決雙頻無線電推薦 的問題，作者邱建維 這樣論述：
在本論文中主要提出非對稱接地面超寬頻天線的設計，針對所提出的天線設計參數微調模擬進行研究分析，並且實際製作於玻璃纖維板(FR4)上。本文提出的超寬頻天線是採用微帶線的方式進行饋入，結構則是由正六邊形結構的主輻射極以及具有兩個凹槽的倒C非對稱接地面結構所組成的。首先要提出來討論的是藉由位在非對稱接地面上凹槽之結構尺寸的調整，來觀察尺寸的改變對天線反射損耗值(S11)的影響，透過尺寸的調整以達3.1GHz ~ 11.7GHz的超寬頻特性。接下來提出兩個具有頻帶抑制特性的超寬頻天線，抑制頻率分別為3.5GHz ~ 4.17GHz、5.14GHz ~ 7.23GHz。最後提出將兩濾波器置於超寬頻天線
上，觀察了濾波器相對的影響。
瓦級砷化鎵微波功率放大器及雙頻段砷化鎵低雜訊放大器研製
為了解決雙頻無線電推薦 的問題，作者劉昱呈 這樣論述：
本論文主要是以穩懋半導體的砷化鎵製程技術來設計瓦級功率放大器以及雙頻帶低雜訊放大器。論文前段主要是利用異質接面雙載子電晶體來設計瓦級功率放大器，其頻段是使用在手機收發系統中常用的1.95GHz。本論文後半段主要是利用微帶緊縮單元來將超寬頻低雜訊放大器設計成雙頻帶的低雜訊放大器，其製程技術選用的是0.5 μm pHEMT ED Mode製程，其頻段應用在5.2GHz和12GHz。此瓦級功率放大器電路頻段為1.95GHz，其設計之功率增益(Power Gain)約為31.5dBm、輸出功率(Output Power)約為31.6dBm、介入損耗(S21)為28.1dB、附加功率效率(Power-
added Efficiency；PAE)為37.3 %。 雙頻帶低雜訊放大器電路主要設計之頻段為5.2GHz和12GHz，在5.2GHz增益約為8.46dB、雜訊指數約為4dB、G1dB約為7dBm、IIP3約為-12dBm，而在12GHz增益約為4.9dB、雜訊指數約為4.1dB、G1dB約為4dBm、IIP3約為-9dBm。消耗功率約為33mW。