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國立暨南國際大學 光電科技碩士學位學程在職專班 林佑昇所指導 田椿璟的 動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率 （2015），提出金士頓記憶體ddr3關鍵因素是什麼，來自於蝕刻、高深寬比連接導線、積體電路、互補式金氧半導體。

而第二篇論文國立政治大學 智慧財產研究所 宿文堂、王偉霖所指導 朱仙莉的 由訴訟模式探討智慧財產研發公司專利運用 —以記憶體產業Rambus、Tessera公司為例 （2010），提出因為有 智慧財產研發公司、商業模式、專利訴訟、專利授權、動態隨機存取記憶體的重點而找出了 金士頓記憶體ddr3的解答。

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動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率

為了解決金士頓記憶體ddr3的問題，作者田椿璟 這樣論述：

在半導體業製造方式是將在矽基板上製造電子元件(產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微處理器、LCD驅動IC、NAND Flash…等)，而電子元件之完成則由精密複雜的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；IC之製作過程是應用晶片氧化層成長、微影、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沈積等技術。正如摩爾定律所預測的一樣隨著電子資訊產品朝輕薄短小濃縮的方向發展，半導體製程的方式亦朝著高密度及自動化生產的方向前進；而IC製造技術的發展趨勢，大致上朝向克服晶圓直徑變大，元件線寬縮小，製程步驟增加，製程特殊化以提供更好方式去達到良率提升的目標。為了提升電腦、通訊、消費性電子產

品的效能與追求單位晶圓成本的降低，晶圓代工廠未來兩年的主要投資建立14奈米、16奈米產能以及導入10奈米和10奈米以下技術。在DRAM廠方面，短期內或許不會增加太多新產能，其投資焦點為20奈米技術的導入，並且調整產品組合來配合行動市場。其主要目的增加晶圓的顆粒數、製程成本降低、提高良率、增加產能利用率、減少支出增進公司的營收可以為下一個世代的產品舖路，當製程能力已達到可以代工的程度將可以為公司帶來額外的資金，同時可以讓公司有較優渥的條件購買下一個世代產品的技術與設備。在半導體製造業，製程技術能力代表該廠商產品生產能力與產品成本競爭力。在競爭過程中，企業常透過聯盟等合作放式，與合作的夥伴處取得或

共同研發高階製程技術，其提高市場競爭力。本研究在探討動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率，其研究方針是利用實驗機台取代現有機台，使其可增加機台的使用率、降低機台成本的支出以及增加產品推移效率減少產出的周期。

由訴訟模式探討智慧財產研發公司專利運用 —以記憶體產業Rambus、Tessera公司為例

為了解決金士頓記憶體ddr3的問題，作者朱仙莉 這樣論述：

人類經濟活動重心之變革推動著產業競爭的樣貌，於二十一世紀的今日，知識已成為經濟活動中最主要之價值驅力，與之相應的，產業中智慧財產層面的競爭也逐漸受到重視，發展至今，智慧財產已深入產業鏈且細化為各種以智慧財產運用為中心以創造獲利之企業。 半導體產業於台灣經濟發展之推進中佔有關鍵性之地位，隨著台灣廠商在全球產業鏈中扮演的角色重要性與日俱增，難以避免必須因應半導體產業中由智慧財產所造就的新興商業模式，其中，智慧財產研發公司拋棄舊有以生產製造為主之商業模式，開創以知識為本的競爭場域，並挾其智慧財產進行全球化的授權以及訴訟，扮演著遊戲規則的創造者，尤其記憶體產業之兩大智慧財產研發公司Rambus

Inc.以及Tessera Technology Inc.，自2000年起不斷於全球提起專利訴訟，對整體產業乃至於台灣廠商帶來無法忽視之影響。 本研究試圖建立分析智慧財產研發公司之架構，亦即由該等公司之策略演進出發，宏觀的了解其於變動的競爭環境中如何發揮企業優勢；其次，以公司策略定位為基礎，進一步推動資源投入之分配，並形塑商業模式的產生；最後，本研究萃取智慧財產研發公司商業模式中較具特色且影響廣泛之訴訟階段，藉由記憶體產業中之個案分析比較之方式進行深入之實證研究，以管窺該等公司之專利運用模式，期能透過提升對於智慧財產研發公司策略定位、商業模式以及訴訟模式之了解，活化企業智慧財產之管理，

並提供台灣廠商面對專利授權與訴訟時因應之基礎。

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