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另外網站儀器服務也說明：中文名稱. LCR精密阻抗分析儀. 英文名稱. High Freqiency LCR Meter ... 高頻率之下的微小電感/電容值的量測 ... 不同量測頻率或測試電壓的LCR值對應的曲線繪圖
這兩本書分別來自台科大 和全華圖書所出版 。
世新大學 資訊管理學研究所(含碩專班) 吳聲昌所指導 戴成煜的 導入智慧建築之實務研究 （2022），提出量測電壓英文關鍵因素是什麼，來自於智慧建築、物聯網、社區管理。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子物理系所 簡紋濱所指導 李天任的 少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質 （2021），提出因為有 二硒化鈀、熱電效應、席貝克效應、熱電功率因子的重點而找出了 量測電壓英文的解答。
最後網站"電磁相容" CNS 標準清單則補充：CNS 14676-4:2019 - 英文版 電磁相容－測試與量測技術－第4部：電性快速暫態/叢訊的抗擾度測試. Electromagnetic compatibility(EMC) − Testing and measurement ...
基本電學實驗 最新版 附贈MOSME行動學習一點通
為了解決量測電壓英文 的問題，作者鄭榮貴,鄭錦鈞,謝進發 這樣論述：
一、各章節首安排內容簡介、本章節次及學習目標，提供學生課前掌握學習重點。 二、全書採用數百幅精緻全彩圖片，說明相關原理，讓學生可以簡易學習艱澀理論。 三、豐富彩圖的完美呈現，結合了照相和繪畫技術的彩圖，表現出巨觀和微觀的藝術美學，讓讀者在閱讀之餘也能擁有視覺上的享受。 四、每一實習後的「學習摘要」及「問題討論」，能正確協助學生掌握全章關鍵觀念，提升學習效能，並讓學生進行問題研討，強化並延伸實習目的。 五、每一章後的「課後習題」，依各實習順序編排，適合學生循序複習。
導入智慧建築之實務研究
為了解決量測電壓英文 的問題，作者戴成煜 這樣論述：
現代人對於科技要求越來越進步，逐漸地也想發展到人的週遭事物方面，而除了智慧型手機外，就是居住環境方面，為了求方便及科技並存，開始發展出智慧建築這項名詞，主要是結合科技、住家、環保等各條件所產生。本研究目的主要是了解建築業者如何將科技導入房屋內，做整合性的服務，並且知道目前智慧建築業者所面臨到的現況與如何去改善。本研究透過質性訪談方式，訪問相關建築背景之負責人來做出探討，探討業界的專家是如何看待智慧建築，以及相關的想法。從研究訪談結果得知，智慧建築業者對於結合物聯網科技，讓使用者可以更加便利，另外智慧建築系統導入社區管理應用與在政策的鼓勵或限制都是會影響的關鍵因素。
物理化學：(熱力學與動力學篇)
為了解決量測電壓英文 的問題，作者黃定加,黃玲媛,黃玲惠 這樣論述：
本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均附習題，以備讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。本書中之專有名詞的後面，均附其對照的英文名詞。本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內容講授。 本書特色 1.本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均
附習題，以備讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。 2.本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。 3.本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內容講授。
少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質
為了解決量測電壓英文 的問題，作者李天任 這樣論述：
尋找高效率的熱電材料是一個重要而有趣的課題，二維 (Two-Dimensional, 2D) 過渡金屬二硫化合物 (Transition Metal Dichalcogenides, TMDC)，因其優越的熱電性能以及未來廣闊的應用前景而受到廣泛關注。其中，二維二硒化鈀 (PdSe2) 因其理論上計算出高熱電性能，吸引了眾多科研工作者的目光。本實驗使用機械剝離法，剝取少數層PdSe2，利用半導體製程技術製作少數層二硒化鈀的場效電晶體與熱電元件，在室溫下研究了二硒化鈀的電性。本實驗中，二硒化鈀為n型半導體材料，電流的開關比 (On/Off Ratio) 約爲104，臨界擺幅 (Subthre
shold Swing, S.S.) 約爲9.52 V/dec，載流子遷移率 (Mobility) 最大為34.7 cm2·V-1·S-1。 另外，在二硒化鈀元件的熱電性能測量上，得到的最大席貝克係數約爲655 µV/K，與理論值十分接近，並觀察到席貝克值與電晶體場效應有關聯性。當閘極偏壓設定在臨界電壓附近時，席貝克係數到達峰值，而當閘極偏壓小於臨界電壓時，通道關閉沒有熱電效應。最後計算了二硒化鈀的熱電功率因子(Power Factor, PF)，通過調節閘極偏壓觀察熱電功率因子隨場效應的變化，並對比相應的材料層數，發現最大熱電功率因子為0.26 mW/m·K2，材料厚度為12層，證明二硒化鈀
是極具潛力的熱電材料。