重要英文名詞的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

計算機概論：電腦必學基礎(三版)

為了解決重要英文名詞的問題，作者李官陵,羅壽之,彭勝龍 這樣論述：

　　因應資訊科技與半導體技術的快速發展，使得人工智慧科技再次被大眾們重視，小從網際網路的電子商務預測，進而到能因應立即多變路況的電腦自駕車應用，在在顯示計算機科技的重要與代表性。   　　本書編撰以內容淺顯易懂為原則，避免生硬的科技專有名詞，以循序漸進的方式，帶領讀者進入非凡的資訊世界。   　　本書包含十三個章節，從基礎的認識電腦、數字系統與資料處理方式，到應用的網路技術、程式設計與資料庫系統，輔以理論基礎的資料結構、演算法與計算理論及人工智慧。每個章節包含隨堂練習與範例解說，文末提供重點整理與習題問題，讓學習的成效得以顯著。   　　電腦資訊化的處理，就像一位雕刻師傅將不起眼的石頭變成

美麗的藝術品，需要適當的工具與處理的程序。工具是實質的物體，而程序是抽象的觀念。在讚嘆電腦如此厲害的同時，研讀此書就可以了解電腦的過去、現在與未來。

重要英文名詞進入發燒排行的影片

應用田口方法評量冠狀動脈攝影術中Spider View造影之最佳調整參數

為了解決重要英文名詞的問題，作者潘龍發 這樣論述：

目的：冠狀動脈疾病是指輸送血液及氧氣至心臟肌肉的血管發生狹窄或阻塞導致心臟肌肉缺氧之現象。人類罹患冠狀動脈疾病的比率逐年升高，且有年輕化之趨勢，所以快速又有效的診斷方法漸受到重視。而現今的診斷方法中是以心導管冠狀動脈攝影，可直接評估阻塞的程度及部位，故此項檢查是診斷冠狀動脈疾病最具價值的方法。而臨床上冠狀動脈攝影術中的Spider View 是診斷Left main trunk、LAD與LCX proximal 最佳的View，但常因為某些調控因子的改變而無法有效的將其分開，造成無法正確診斷出病灶。因此，本研究之目的乃是應用田口方法評量Spider View造影中最佳調整參數，對Left m

ain、LAD與LCX之血管開口病灶能有更加清晰之影像呈現。方法：利用模型假體，模擬冠狀動脈攝影術中Spider View的造影，依照田口方法歸納為18 組（L18）定出六項控制因子：（A）Filter的使用與否：是、否。（B）左側位攝影角度：LAO500、LAO 600、LAO700。（C）尾側位攝影角度：CAU 200、CAU 250、CAU 300。（D）攝影時尖峰電壓：70、90、110 kVp。（E）攝影時電流與時間：1.1、1.3、1.5 mAs。（F）攝影時管球與影像倍增管之距離：108、115、123cm。評量出Spider View造影中最佳調整參數，再按照最佳參數組合做臨床

確認驗證，以驗證實驗結果之再現性。結果：經由田口方法評估Spider View造影後所得之最佳影像水準組合為不使用濾片、左側位攝影角度（LAO）700、尾側位攝影角度（CAU）300、尖峰電壓110 kVp、電流與時間1.5 mAs、管球與影像倍增管之距離108cm。而臨床確認驗證，在43組之驗證結果得知（1）有39組呈現最佳化後之影像優於或相等於原參數之影像，BMI為24.1－29.3。（2）有4個影像雖經最佳化後還是無法得到較優於原參數之影像，主要是受限於病患的BMI值（BMI：33.7－35.9、18.8－19.7）。經由費氏精確檢定法檢定得知P＝1.64×10-10，具統計性差異。結論

：將田口方法（L18）改善影像品質的技術可應用於其他的血管造影，以造福更多的病患。

六大動詞，10天速成英語表達：多益考高分還是不敢說?本書幫你開口說，對方秒懂

為了解決重要英文名詞的問題，作者周昱葳（葳姐）,李存忠（Mitch）,吳惠怡（Flora）、,林宜珊（Amy） 這樣論述：

　　連大人都想排隊報名的「葳姐親子英語共學」版主葳姐領軍！ 　　橫跨金融、電子科技、英語教學界最強專業師資群！   　　★隨書附贈！發音示範！QR Code線上音檔，現學現說！   　　◎please代表請，但如果說：「Give me some water, please.」你就會被當成奧客。 　　◎別再跟部屬說：Do you understand?（你懂我意思嗎？）， 　　更好的說法是：Do you get it? 　　◎點餐要用哪個動詞？別用order，你得說：I’d like to have… 　　◎say、tell、talk，都是「說」，用法差在哪？see、look、watch，又

該怎麼分？   　　本書作者周昱葳（葳姐），成立「葳姐親子英語共學」線上平臺近5年， 　　因為簡單說故事，且具有MBA商學院背景， 　　她設計的英語線上課程，實用到連大人都搶報名。   　　本書從心智圖、片語動詞、時態變化、助動詞、基本句型， 　　搭配超過200組的生活例句、實戰練習題， 　　告訴你，英文要學好，這6個動詞就夠了！   　　◎ 六大動詞，10天英語表達能力速成      　　介紹六大動詞：be、have、do、say、get、make， 　　教你用你早就會的簡單動詞，食衣住行玩，完整表達自己的想法、經驗。   　　問同事午餐哪裡吃？have lunch比eat lunch更道地

！ 　　like只代表喜歡？美國明星泰勒絲曾在致詞典禮上，提到了20次的like。 　　本書特別收錄like六大用法 ╳ 大明星金句 ╳ 獨創心情溫度計（第4天）。      　　◎ 職場、考試、生活，一定會用到的動詞   　　用圖像式記憶，教你從核心字義掌握，一學就懂！例如：   　　‧打開（關掉）電視，用open（close）？正確是：turn on（turn off）。 　　‧交報告怎麼說？你可以用turn in the report，或是submit the report。 　　‧take（拿） ＋ off（離開）＝請假： 　　I want to take two days off.（

我想要請假兩天。） 　　‧搭公車用get on、搭乘計程車則是用get into。 　　‧倒垃圾、外帶食物，都是用take out。   　　◎ 職場英文好好聊！疑問詞＆附加問句   　　只要用5W1H，就能輕鬆打開話匣子，跟別人聊不停！例如： 　　Who’s calling?（電話中，請問你是誰？） 　　Who will join us?（誰會跟我們一起去？） 　　When will the meeting start?（會議何時開始？） 　　還有3個聊天萬用句，教你提出邀約、建議、詢問意見： 　　What／How about、Why don't you、What if。   　　萬用句型公

式 ╳ 使用率破表的片語動詞 ╳ 文法急救包 ╳ 13首流行歌曲， 　　幫你立刻開口說，對方馬上懂。   名人推薦   　　歴任友達光電及台達電集團人資長／林瑞娟 　　自媒體創作者、TESOL認證ESL教師／倉庫的女人Claire 　　YouTuber、英語學習推廣家／Catherine 　　《通勤學英語》Podcast主持人／John老師 　　Ricky英語小蛋糕

氟離子佈植在MOHOS快閃記憶體上的特性研究

為了解決重要英文名詞的問題，作者雷根 這樣論述：

由於快閃記憶體（flash memory）在市場上的需求，非揮發性記憶體需要更快速的寫入/抹除速度、更低的操作電壓、更好的崩潰電荷（charge-to-breakdown(QBD)）以及更低的漏電流（leakage current）來達到更好的資料儲存特性。為了達成快速的寫入/抹除速度及更低的操作電壓特性，本實驗使用TaN金屬閘極（metal gate）取代傳統的複晶矽閘極（poly-Si gate），並以高介電常數材料（high-k）二氧化鉿（HfO2）電荷捕捉儲存層（charge traping layer）來取代傳統SONOS（poly-Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si）快閃

記憶體結構中的氮化矽（Si3N4），製作出MOHOS（TaN/SiO2/HfO2/SiO2/Si）快閃記憶體。最後並應用氟離子佈植（fluorine ion implantation）技術來修補絕緣層內的缺陷，並在HfO2內形成較深的電荷捕捉能階（deep trap level）。氟離子佈植製程可修補OHO介電層內的氧孔洞（oxygen vacancy）及懸鍵（dangling bond），並形成含氟的Si-F及Hf-F鍵，可減少在寫入/抹除過程中電荷的流失並提高寫入/抹除速度，亦可降低寫入/抹除過程中對介電層的損傷，提高寫入/抹除忍受度（endurance）。此外，氟離子佈植形成的HfO2電

荷儲存層（fluorinated HfO2（HfOF） charge storage layer）亦可在HfO2內形成較深的電荷捕捉能階，可降低儲存電荷的流失，提高資料保存時間（retention）。本實驗分別使用通道氟離子佈植（channel fluorine ion implantation, CFI）及閘極氟離子佈植（gate fluorine ion implantation, GFI）以比較氟鈍化成效。實驗結果顯示閘極氟離子佈植具有較好的氟鈍化效果，可同時得到較快的寫入/抹除速度、較好的資料保存時間及較長的寫入/抹除忍受度。通道氟離子佈植為避免對通道產生過大的損傷，因此佈植能量遠低於

閘極氟離子佈植，此時通道氟離子的深度將比閘極氟離子更接近表面；此外，通道氟離子佈植會比閘極氟離子佈植額外遇到多道高溫製程，如穿隧氧化層（900oC）、缺陷捕捉層（500oC）及阻擋氧化層（300oC）沉積，造成通道氟離子佈植的氟離子在這些高溫製程中逐步向外擴散（out-diffusion）。此兩種效應皆會造成通道氟離子佈植製程中氟鈍化效率遠低於閘極氟離子佈植，導致通道氟離子佈植寫入/抹除速度及資料保存時間皆比閘極氟離子佈植差，但應用通道氟離子佈植的MOHOS快閃記憶體的效能仍遠高於未使用氟製程的快閃記憶體。最後本實驗也使用閘極氟離子佈植製程分別形成氟化HfO2（HfOF）及氟化Si3N4（fl

uorinated Si3N4, FSN），並比較HfOF及FSN電荷儲存層對快閃記憶體的特性影響。HfO2的介電常數遠高於Si3N4，故可大幅提高穿隧氧化層上的電場，使得以HfOF做為電荷儲存層的快閃記憶體（MOHOS）將比以FSN做為電荷儲存層的快閃記憶體（MONOS）具有較快的寫入/抹除速度。此外，HfOF也比FSN具有更深的電荷捕捉能階，可降低儲存電荷的流失，提高資料保存時間。然而，HfO2較高的介電常數也會導致阻擋氧化層上的電場增加，導致以HfO2做為電荷儲存層的快閃記憶體面臨較明顯的抹除飽和（erase-saturation）現象。