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記憶體顆粒不同的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦沈嘉祿寫的 上海老味道 可以從中找到所需的評價。
另外網站要同顆粒才能跑雙通道嗎- 創見-DDR 512MB - 光華商場也說明：同一結構的記憶體, 同容量,同顆粒數,同顆粒結構(如同是32Mb*8 I/O顆粒),只要主機板可以support Dual Channel,那麼都有辦法開啟雙通道,就算是不同的兩家廠牌也可, ...
國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 曾院介所指導 周宜婷的 開發卵巢癌生物標記檢測之 ELISA整合異常霍爾效應的生物磁性感測器 （2021），提出記憶體顆粒不同關鍵因素是什麼，來自於異常霍爾效應、卵巢癌、生物磁性感測器。
而第二篇論文國立中興大學 奈米科學研究所 何孟書所指導 史捷柔的 銦錫氧化物奈米線之電阻式記憶體特性分析 （2021），提出因為有 銦錫氧化物奈米線、電阻式記憶體、氧空缺的重點而找出了 記憶體顆粒不同的解答。
最後網站關於怎麼選購記憶體你想知道的都在這裡-手機版 - XFastest則補充：我們可以看到當記憶體預讀取不同，最終的等效速度就有很大的差別，DDR預讀取2bit，DDR2預讀取4bit，DDR3預讀取8bit,DDR4是16bit。 所以在記憶體顆粒的核心 ...
上海老味道
為了解決記憶體顆粒不同 的問題，作者沈嘉祿 這樣論述：
所有的美食感受，都離不開情境體驗，所有的美食故事，其實都是一個人的成長史。上海的飲食文化和風味小吃一直是大家津津樂道的話題，每道菜餚都有其講究的細節，而傳統小吃的好滋味也是同樣地令人難忘。特別是家常菜串連起的人事物情境，更是當地人念念不忘的原因，這種精神層面比食物更值得珍藏，更值得傳給下一代。 本書是作家沈嘉祿的第四本美食隨筆集。收入有關老上海風味小吃、平民菜肴、時令美食和本幫菜點的隨筆78篇。以平民生活的草根食物為敘述底本，以懷舊諧趣的文字和生動傳神的插圖展開對老上海市井生活的回憶。文字活色生香，如臨其境，如品其味。 四大主題，品嚐上海傳統飲食風情 水汽氤氳中的寒素生活：清晨
，天矇矇亮，薄薄的一片月亮還浮在空中，像塊溶化的水果糖。此時簡陋的大餅攤裡，日光燈瀉下一片刺眼的白光，灶膛裡的紅藍色火苗快活地躥起，舔著鐵鍋的邊緣。師傅們正忙得不可開交，身上的工作服已有好幾天沒洗了，與灶台頻頻磨擦的那個部位已留下一條污痕。 石庫門裡的八仙桌：隔夜的剩飯，一副百無聊賴的樣子，因為沒有像樣的菜下飯，只好將就點，在鍋裡倒幾滴油，將冷飯撥碎倒入，吱的一聲，香氣就衝上來了。加點鹽，加點蔥花，不停地炒熱，就成了。孩子吃起來頓覺美味異常，胃口大開，無需有菜，不過沖一碗醬油湯最好，碗底朝天後猶覺不足。 時令美食最難忘：糯米漿盛在缸裡靜靜地沉澱著，要吃時盛進布袋裡吊一夜收收乾，就可以包
湯團了。烏黑的餡心是事先醃好的，板油、綿白糖加黑洋酥，搓成小顆粒包進雪白的皮子裡。所以南方的湯團表面是很光潔的，風一吹，皮有點結硬，摸上去就像嬰孩的屁股。下鍋煮，三點水後浮起。咬一口，皮子糯性十足，但從來不會黏牙。黑色的餡心直往口腔裡噴射，甜甜的，燙燙的，讓人滿心歡喜。吃著湯團，春節就到了。 老城廟的豬油香：煮田螺是馬虎不得的，據師傅說，他們選用的是安徽屯溪出產的龍眼田螺，殼薄肉肥，味道好。採購來後，先用清水養兩天，讓田螺吐淨泥沙，剪尾巴後倒入鍋內，加茴香、桂皮、醬油、糖、薑塊等佐料，槽頭肉當然是不可少的，割兩大塊扔進去，及至大功告成前，再將陳年香糟搗成糊狀投入，稍滾即可出鍋。在行人熙攘往
來的街上，師傅燒煮糟田螺的細節，帶著一點幽默的表情，烘托起都市的流金歲月。 作者簡介 沈嘉祿 有人贈給他一頂高帽子——「文壇美食家」，苦孩子出身，雖然沒有咽過糠，卻也喝膩了南瓜湯，第一次在親戚家吃紅燜魚翅已是而立之年。出版過小說、散文十餘種，這裡且不作數，單算所謂的美食文化隨筆，有《飲啄閒話》、《消滅美食家》、《美女鴨頭頸》，加上這本，有心為上海的城市味覺留下一點私人化的記憶，希望能勾起大家的共同記憶。 他認為寫美食文章，第一境界是人與食物的關係，第二境界是食物、人與自然的關係，第三境界是以食物為契機的人與人的關係。且將昨天的油鹽醬醋與今天的紫菱白菰，燉成幾行疏淡文字，與列位看官一起細
細品味尋常日子的甜酸辣苦。
開發卵巢癌生物標記檢測之 ELISA整合異常霍爾效應的生物磁性感測器
為了解決記憶體顆粒不同 的問題，作者周宜婷 這樣論述：
自旋電子元件對於磁性物質非常靈敏，廣泛用於磁頭讀寫，甚至是半導體記憶體科技，因此自旋電子元件對於磁性奈米顆粒結合生物載體或藥物的感測能力，非常適合做相關生物感測運用。CoFeB/MgO異質介面為當今磁性動態隨機存取記憶體之關鍵材料。此異質介面能產生穩定的界面垂直異向性，並具備相當高的磁穿隧效應。本研究透過電漿表面處理及官能基化，開發酵素結合免疫吸附法結合以CoFeB/MgO為基底之異常霍爾磁性感測器，以不同的材料分析手法，比較多種官能基化的方法，改善感測器的選擇度和靈敏度。透過數套介面材料分析工具，本論文也探究了官能基的最佳化過程。基於自旋電子學所開發的異常霍爾感測器，可與半導體製造技術兼容
，能有效的把感測器微型化並與半導體晶片整合，更具有降低製造成本和減少功耗的優勢。比起傳統的生物呈色檢定測量方法，更具有量化且具即時量測等優勢。
銦錫氧化物奈米線之電阻式記憶體特性分析
為了解決記憶體顆粒不同 的問題，作者史捷柔 這樣論述：
銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)，由於在可見光波段下穿透率高(80~95%)、低電阻率(~10−4 Ω·cm) 、高導電性與較寬的能隙(3.5~4.2eV)，因此大部分的氧化銦錫材料多用於作為上下電極使用。在電阻式記憶體中，氧化銦錫薄膜(ITO film)也多半用做電極，鮮少研究者使用此材料，作為記憶體中間的絕緣轉換層。由於這個原因，我們想藉由調整銦錫氧化物奈米線中的銦錫比，改變其材料特性，並作為中間層，來研究以其為基礎的電阻式記憶體。 本論文以純銦與純錫粉末為基礎，並以化學合成法於石英管內，通入氬氫載體氣體與氧氣反應氣體，合成出銦錫氧化物奈米線。為了找出最佳參數，分
別從:晶種層厚度、抽氣與否、氧氣的流量、奈米線生長溫度、不同基板之奈米線樣貌、持溫時間與試片擺放位置，探討於各操作變因底下所生長的奈米線。最後以 5 nm厚的金、環境壓力為 0.85 torr、氬氫氣體 70 sccm 與氧氣1 sccm 下，於高摻雜 n型矽基板上，以 750 °C 作為反應溫度，讓樣品持溫 1 小時生長。利用上述參數，我們將銦與錫粉末比例做調整，將其分為: In:Sn=9:1、In:Sn=8:2、In:Sn=7:3，試著調控錫在奈米線中的比例，並利用SEM、TEM、XRD、XPS、Raman、QNM、KPFM 完成後續各種物性與化性上的量後，做成白金/銦錫氧化物/白金之電阻
式記憶體元件，最後利用兩點探針探討其電性上的意義。 結果顯示，在不同銦錫比例 RRAM 電性量測中，以 In:Sn=7:3 下擁有最大的電阻值開關比；此外在多圈電性量測中，以 In:Sn=7:3 中擁有較好的反覆讀寫能力(Endurance)與記憶保持力(Retention)。100 圈中共有 60 圈的有效圈數，且電阻值開關約維持在12.1 左右；至於在記憶保持力中，其元件可以持續運轉 1000 秒左右，電阻值開關比則維持在 12.5 左右。