記憶體電路設計的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

記憶體電路設計的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦黃欽勇,黃逸平寫的 矽島的危與機:半導體與地緣政治 和陳毅(Ian)的 EN帶你寫個作業系統:來趟RISC-V開發輕旅行(iThome鐵人賽系列書)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站推薦的半導體產業指標 - 寫點科普也說明:記憶體 IC 是用來儲存資料用的,像是先前介紹的DRAM、SRAM、NAND Flash。 而GPU、CPU 等,都屬於邏輯IC 。 以後別再說台積電代工晶片了,這些晶片在設計時 ...

這兩本書分別來自國立陽明交通大學出版社 和博碩所出版 。

國立中央大學 電機工程學系 劉建男、周景揚所指導 許元亨的 運用於記憶體內運算的SRAM功率模型之研究 (2019),提出記憶體電路設計關鍵因素是什麼,來自於記憶體、功耗估算、功耗模型。

而第二篇論文國立中山大學 電機工程學系研究所 王朝欽所指導 蔡修群的 高壓雙向電流偵測器與低功率延遲乘積之單端讀寫無擾動式6T靜態隨機存取記憶體 (2018),提出因為有 讀取穩定度、漏電流、電流偵測器、電池管理系統、靜態隨機存取記憶體的重點而找出了 記憶體電路設計的解答。

最後網站淺談記憶體IC則補充:在這些電子產品中,記憶體積體電路(記憶體IC)扮演著舉足輕重的角色。簡單. 的來說,記憶體IC 是一種 ... 由於製程微小化,使得在奈米製程下SRAM 遇到許多製造與設計上.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了記憶體電路設計,大家也想知道這些:

矽島的危與機:半導體與地緣政治

為了解決記憶體電路設計的問題,作者黃欽勇,黃逸平 這樣論述:

面對地緣政治帶來的風險,台灣半導體產業如何再創奇蹟?     半導體與供應鏈為台灣與國際接軌最重要的戰略武器,而在COVID-19 疫情期間,半導體供需失衡受到前所未有的關注,聚焦台灣的樞紐角色更甚以往。然而,台灣的半導體產業到底是懷璧其罪,還是護國神山?近年國際局勢的瞬息萬變,顛覆了全球的地緣政治,對企業帶來的影響力甚至可能遠大於技術創新與經營變革。     本書兩位作者分別為超過30餘年資歷的科技產業分析師,並為身經百戰的跨界創業與產業專家,另曾主持及帶領過多項政府企業顧問研究專案計劃,以及亞洲供應鏈研究分析團隊,他們透過本書深刻回望半導體的產業變遷,如何在張忠謀、蔡

明介等多位時代英雄帶領之下,成就台灣半導體產業的世界地位,並分析競爭對手如美國英特爾、韓國三星等代表性企業的經營戰略,如何影響著各自發展的腳步。     今時今日,面臨美中兩國的利益衝突,不僅讓位處前線的台灣再聞煙硝味,也必須在與日韓的競合、東協南亞國家的緊追下,思考如何延續半導體產業的現有優勢。本書結合作者多年的產業研究經驗,寫下對時局的觀察,希望提供不同視角的省思,思考「我們應該用什麼角度觀察台灣半導體產業的未來?」   本書特色     1. 以時間為經、地域作緯,宏觀剖析包括美國、中國及日韓、印度等國家的半導體業之過去、現在及未來展望,提供最精闢的產業趨勢觀察,期

能進而回歸提升台灣本土附加價值、提高長期競爭力,方能成為真正的「東方之盾」。     2. 於全球疫情未退、兩岸軍事威脅升高之際,跳脫對半導體產業過於自滿而產生的偏頗,以客觀角度提醒台灣半導體業所面臨的危機與轉機,有助我們思考自身之於全球地緣政治所扮演的角色。     3. 全書並附有大量圖表,輔以理解全球半導體業發展及相互角力之影響。   重磅推薦(依姓氏筆劃順序排列)     林本堅| 中研院院士、國立清華大學半導體研究學院院長    宣明智| 聯華電子榮譽副董事長   張    翼| 國立陽明交通大學國際半導體產業學院院長   焦佑鈞| 華邦電子董

事長兼執行長   陳良基| 前科技部部長、國立臺灣大學名譽教授   簡山傑| 聯華電子總經理     「我強烈推薦所有在半導體產業工作的從業人員、甚至有意投入半導體產業的大學生及研究生都仔細閱讀此書,這將有助於了解台灣半導體產業的全貌及自己工作的重要性。」——張翼(國立陽明交通大學國際半導體產業學院講座教授兼院長)

記憶體電路設計進入發燒排行的影片

經由 Tech a Look 介紹 Transcend創見 JetRam 4GB DDR3 1600 桌上型記憶體。

DDR3為新一代記憶體規格,相較於DDR2之4位元預取緩衝架構,DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬;搭配雙核心或四核心的處理器,能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外,DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5伏特,相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言,能有效減低20%至30%的耗電量,並確保高速運算時的系統穩定度及效能。

Transcend創見DDR3桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計,可使DRAM與控制器(Controller)間的訊號傳輸更有效率;支援ODT(On-DIMM Termination)技術,可降低高速運作時記憶體訊號的回授,提高記憶體時脈的極限值;絕佳的電氣特性及散熱性,大幅提昇系統的整體效能。


**以上資料參考 創見 Transcend 官方網站**
更多產品訊息請瀏覽 創見 Transcend 產品網址 :
http://tw.transcend-info.com/Products/MemList.asp?srhMemWay=STD&Func1No=0

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運用於記憶體內運算的SRAM功率模型之研究

為了解決記憶體電路設計的問題,作者許元亨 這樣論述:

隨著製程的進步,晶片尺寸不斷的縮小,晶片上的電晶體數量也越來越多。大大的增加了複雜晶片的設計難度。再加上現今許多先進的設計都被應用於低功率的設備,例如筆記型電腦,穿戴式設備…,延長高電晶體密度的電池壽命並且降低散熱設備變為設計中的重要考量。然而由於電路複雜度高,讓電晶體層級(transistor-level)的功耗估算變得十分複雜且耗時。因此,在電路設計階段時需要一個在高模擬層級的合適的耗模型來作功耗估算。為了支援記憶體內運算(In Memory Computing)的特殊記憶體,本篇論文提出一個高階功耗模型,不同於以往的功耗模型只能依據不同操作狀況來區分功耗,我們的功耗模型考慮了不同讀寫位

址以及讀寫資料造成的影響,提供依據不同pattern對應的各種功耗。根據不同的操作模式,對讀取或寫入動作使用了不同的迴歸方法建構適當且準確的功耗模型。從實驗結果可以看出,不同操作中的功耗誤差率都在10%之內,且模擬時間大幅縮短。在將功耗模型和系統層級的模擬器Gem5結合後,透過一個簡單但完整的模擬測試也演示了支援系統層級模擬器的功能。

EN帶你寫個作業系統:來趟RISC-V開發輕旅行(iThome鐵人賽系列書)

為了解決記憶體電路設計的問題,作者陳毅(Ian) 這樣論述:

「計算機結構X作業系統實務X開發工具鏈」 一本全方位的作業系統開發入門指南   本書內容改編自【 第 13 屆】2021 iThome 鐵人賽,Software Development 組佳作《微自幹的作業系統輕旅行》。王佑中博士曾說:「寫一個 OS 是多麼美好的事,在有限的生命中千萬不要遺漏了它。」如果你不知道從何下手,就跟著 EN 一起體驗 DIY 作業系統的樂趣吧! 本書特色   1.第一本繁體中文的 RISC-V 相關書籍   ◾不知道處理器的運作模式?沒關係!本書帶你學習處理器快取、流水線設計。   ◾深入探討 RISC-V 架構,涵蓋 RV32I 指令集介紹、呼叫慣例與中

斷處理。   2.探討數個開放原始碼專案的設計細節!   ◾成功大學資工系師生團隊開發的 rv32emu   ◾MIT 開發的 xv6 作業系統   ◾金門大學資工系陳鍾誠教授開發的 mini-riscv-os   3.實務與理論兼具的技術書籍沒有碰過作業系統沒關係!   本書將會帶你探討以下內容:   ◾基礎計算機科學知識   ◾RISC-V 架構探討   ◾作業系統概論與實作   ◾並行程式設計基礎   ◾開發作業系統所需的工具包 專業推薦   『相信陳毅的這本書,也會讓你真正看懂《作業系統》到底為何物! 一個真正的程式人,一輩子當中至少要寫一個自己的作業系統,就讓陳毅帶你入門吧!

』陳鍾誠 教授   『陳毅的這本書以先理論後實作的方式,結合了Computer Science的基礎知識,進而探討作業系統設計並嘗試解讀開源專案的原始程式碼,能幫助讀者深入了解作業系統的核心價值。』謝致仁 教授  

高壓雙向電流偵測器與低功率延遲乘積之單端讀寫無擾動式6T靜態隨機存取記憶體

為了解決記憶體電路設計的問題,作者蔡修群 這樣論述:

本論文包含兩個研究主題, 第一個主題為高壓雙向電流偵測器, 使用TSMC 0.50 m CMOS High Voltage Mixed Signal Based LDMOS AI_USG Polycide2P3M (T50UHV) 製程實現,以驗證設計原理。第二個主題為具降低讀取延遲乘積的單端讀寫無擾動式6T 靜態隨機存取記憶體,並使用TSMC 45 nm CMOS LOGIC General Purpose Superb (40G) ELK Cu 1P10M 0.9/2.5V (TN40G) 製程實現,以驗證在漏電流較大的先進CMOS 製程中,此架構之SRAM 資料的穩定性。前述第一個主

題為針對水下載具電池系統的電流偵測控制晶片,係偵測電池組內電池的電流狀態,利用電流鏡與比較器來偵測電流流向,達到判別電池充放電狀態之目的,並且以T 型正反器來控制開關,以得到較精準的電流偵測,提供管理系統之管理使用。模擬結果可操作於電壓8 V 20 V,且誤差在0.85 % 以內。前述第二個主題係以本實驗室先前文獻提出之單端讀寫無擾動式5T 靜態隨機存取記憶體進行改良,係為了解決其記憶體單元受漏電流影響,以致在長時間讀取資料時,儲存點資料隨著漏電流電荷累積而發生錯誤轉態。本論文於原先之架構下加入一NMOS 電晶體,以提供記憶體單元漏電流路徑,避免漏電流電荷在儲存點累積,而破壞記憶體資料,並且改

善先前文獻提出之降低功率延遲乘積電路,模擬結果平均功率延遲乘積能量消耗降低11.41 %,記憶體每次存取功率消耗為0.306 pJ。關鍵詞:電流偵測器、電池管理系統、靜態隨機存取記憶體、漏電流、讀取穩定度