記憶體相容性測試的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

核心開發者親授!PyTorch深度學習攻略

為了解決記憶體相容性測試的問題，作者EliStevens,LucaAntiga,ThomasViehmann 這樣論述：

【PyTorch官方唯一推薦教材！】   　　深度學習是近年來非常夯的一個領域，發展的速度也十分的驚人。曾經，深度學習的函式庫五花八門，各自都具備了一定的重要性。如今，使用者開始往兩大函式庫，PyTorch及Tensorflow靠攏，進而鞏固了它們的地位。在2018年以前，Tensorflow在國際學術頂尖會議中的論文引用率都遠超PyTorch。自2019年起，PyTorch就奮起直追，越來越受到學者們的喜愛。在ICLR 2020和CVPR 2020會議中，使用PyTorch的論文數已超越Tensorflow。由此可見，掌握PyTorch，是勢在必行的！   　　PyTorch最為人稱道就

是語法和Python相近，一樣簡潔好學，與Numpy、Pandas函式庫的相容性也很好，並支援動態運算圖（dynamic computational graph），有助於模型的優化，對記憶體的使用也非常有效率。本書作者為PyTorch核心開發者，深知PyTorch的強大之處，並擁有豐富的深度學習經驗，將帶你從無到有，利用PyTorch建構出深度學習模型，並用其來解決現實問題的能力。   　　與其他深度學習框架書相比，本書的最大特色為：利用數個章節來實作肺癌偵測專案。在實作該專案的過程中，你可以實際體會到如何充分把所學應用出來，並針對過程中所遇到的問題來找出解方。更重要的是，作者的寶貴經驗會讓你

少走許多彎路，快速培養實戰能力！   　　閱讀完本書後，你將了解： 　　★深度學習的基本資料結構：張量（tensor） 　　★如何實作模組及損失函數 　　★如何從PyTorch Hub中載入預先訓練的模型 　　★在有限的資料下，訓練模型的方法 　　★分析測試結果，並找出現有模型中的問題 　　★透過擴增資料等方法，提高模型的表現   　　如果你對深度學習非常有熱忱，並且已經具備一定的Python能力，願意跟著書中內容動手嘗試，那你就是本書最適合的讀者！    本書特色   　　◎作者為PyTorch核心開發者，能以更全面的視角來進行教學 　　◎實作內容豐富，花費大量篇幅處理肺癌偵測專案 　　◎時

刻提點實作專案時可能遇到的陷阱，讓讀者少走彎路 　　◎各章節的內容皆搭配程式範例，讀者可實際演練來加深印象 　　◎本書由施威銘研究室監修，書中針對原書進行大量補充，並適當添加註解，幫助讀者更好地理解內容 　 專家推薦   　　●Soumith Chintala，PyTorch 共同開發者 & Facebook AI Research 研究員：  　　『這本書出版後，我們終於有了關於 PyTorch 的權威著作，它具體地說明了基礎的知識和概念。』    　　●Mathieu Zhang，NVIDIA 深度學習技術經理：  　　『將深度學習切割成易於讀者消化的區塊，再以程式範例作為輔助。』

  　　●Philippe Van Bergen，PÇ Consulting 雲端架構師： 　　『具及時性、實務性及透徹性的一本書。你應該把它放在你的電腦旁，而不只是把它放在書架上。』   　　●Orlando Alejo Méndez Morales，Experian 軟體分析師： 　　『這本書提供了非常實用的深度學習概述，適合做為教學資源。』

記憶體相容性測試進入發燒排行的影片

高科技廠濕式蝕刻製程過氧化氫系溶液之不相容性熱分析

為了解決記憶體相容性測試的問題，作者許詠怡 這樣論述：

隨著高科技產業發展日益迅速及蓬勃，因應半導體及光電面板等產業之製造需求，常將危害性化學品應用於製程中進行化學反應，進而促使危害性化學品越來越廣泛且更加複雜，若於使用或以管線運輸危害性化學品之過程中忽略工程防護與安全管理，即可能導致嚴重之事故或意外。 目前高科技廠因過氧化氫分解之產物僅為水及氧氣以及其強氧化性等特性，常被添加於蝕刻液中製成過氧化氫系蝕刻液，如 SPM (Sulfuric acid and hydrogen peroxide mixtures) 及 HPM (Hydrochloric acid and hydrogen peroxide mixtures) 等應用在蝕刻製程中；

然而，當過氧化氫與強酸或金屬離子等不相容性物質接觸便可能立即觸發或產生劇烈放熱反應，進而導致事故發生，因此蝕刻製程於過氧化氫與酸混合程序或不慎與不相容性物質接觸所產生之放熱現象皆可能為其製程風險之來源。本研究將先針對 30、50 及 60 wt% 過氧化氫進行本質熱分析，確認其熱危害特性；接著探討以 30 及 50 wt% 過氧化氫配製而成之過氧化氫系蝕刻液 SPM 及 HPM 之熱危害；再添加約 1 wt% 之不相容性物質（銅粉 (Copper powder, Cu)、氯化銅 (Copper chloride, CuCl3)、硫酸銅 (Copper sulfate, CuSO4)、氯化鐵 (

Ferric chloride, FeCl3)、氧化亞鐵 (Iron oxide, FeO) 及二氧化鈦 (Titanium dioxide, TiO2)）於 SPM 及 HPM 溶液中進行不相容性測試，並藉由微差掃描熱卡計 (Differential scanning calorimetry, DSC1) 進行昇溫掃描實驗取得物質之放熱圖譜及製程反應熱危害之相關參數（如放熱起使溫度 (T0)、放熱峰值溫度 (Tp) 及反應分解熱 (ΔHd) 等），篩選危害程度較高之樣品進行動力學之計算及以 C++ 軟體模擬自昇溫速率。

深入理解Java虛擬機：JVM高級特性與最佳實踐（第3版）

為了解決記憶體相容性測試的問題，作者周志明 這樣論述：

這是一部從工作原理和工程實踐兩個維度深入剖析JVM的著作，是電腦領域公認的經典，繁體版在臺灣也頗受歡迎。 自2011年上市以來，前兩個版本累計印刷36次，銷量超過30萬冊，兩家主要網路書店的評論近90000條，內容上近乎零差評，是原創電腦圖書領域不可逾越的豐碑。 第3版在第2版的基礎上做了重大修訂，內容更豐富、實戰性更強：根據新版JDK對內容進行了全方位的修訂和升級，圍繞新技術和生產實踐新增逾10萬字，包含近50%的全新內容，並對第2版中含糊、瑕疵和錯誤內容進行了修正。 全書一共13章，分為五大部分： ●第一部分（第1章）走近Java 系統介紹了Java的技術體系、發展歷程、虛擬機器家族

，以及動手編譯JDK，瞭解這部分內容能對學習JVM提供良好的指引。 ●第二部分（第2~5章）自動記憶體管理 詳細講解了Java的記憶體區域與記憶體溢出、垃圾收集器與記憶體分配策略、虛擬機器性能監控與故障排除等與自動記憶體管理相關的內容，以及10餘個經典的性能優化案例和優化方法； ●第三部分（第6~9章）虛擬機器執行子系統 深入分析了虛擬機器執行子系統，包括類檔結構、虛擬機器類載入機制、虛擬機器位元組碼執行引擎，以及多個類載入及其執行子系統的實戰案例； ●第四部分（第10~11章）程式編譯與代碼優化 詳細講解了程式的前、後端編譯與優化，包括前端的易用性優化措施，如泛型、主動裝箱拆箱、條件編

譯等的內容的深入分析；以及後端的性能優化措施，如虛擬機器的熱點探測方法、HotSpot的即時編譯器、提前編譯器，以及各種常見的編譯期優化技術； ●第五部分（第12~13章）高效併發 主要講解了Java實現高併發的原理，包括Java的記憶體模型、執行緒與協程，以及執行緒安全和鎖優化。 全書以實戰為導向，通過大量與實際生產環境相結合的案例分析和展示瞭解決各種Java技術難題的方案和技巧。   周志明（博士） 資深Java技術專家-機器學習技術專家和企業級開發技術專家，現任遠光軟體研究院院長。 開源技術的積極宣導者和推動者，對電腦科學相關的多個領域都有深刻的見解，尤其是人工智慧

-Java技術和敏捷開發等，對虛擬機器技術有非常深入的研究。 撰寫了《深入理解Java虛擬機器》《深入理解OSGi》《智慧的疆界》等多本著作，翻譯了《Java虛擬機器規範》等著作。其中《深入理解Java虛擬機器》已累計印刷逾36次，總銷超過30萬冊，成為原創電腦專業圖書領域難以逾越的豐碑。   前言 致謝 【第一部分　走近Java】 第1章　走近Java 2 1.1　概述 2 1.2　Java技術體系 3 1.3　Java發展史 4 1.4　Java虛擬機器家族 12 1.4.1　虛擬機器始祖：Sun Classic/Exact VM 12 1.4.2　武林盟主：Hot

Spot VM 13 1.4.3　小家碧玉：Mobile/Embedded VM 14 1.4.4　天下第二：BEA JRockit/IBM J9 VM 15 1.4.5　軟硬合璧：BEA Liquid VM/Azul VM 16 1.4.6　挑戰者：Apache Harmony/Google Android Dalvik VM 17 1.4.7　沒有成功，但並非失敗：Microsoft JVM及其他 18 1.4.8　百家爭鳴 19 1.5　展望Java技術的未來 21 1.5.1　無語言傾向 21 1.5.2　新一代即時編譯器 23 1.5.3　向Native邁進 24 1.5.4　靈活的

胖子 26 1.5.5　語言語法持續增強 27 1.6　實戰：自己編譯JDK 29 1.6.1　獲取源碼 29 1.6.2　系統需求 31 1.6.3　構建編譯環境 33 1.6.4　進行編譯 34 1.6.5　在IDE工具中進行源碼調試 36 1.7　本章小結 39   【第二部分　自動記憶體管理】 第2章　Java記憶體區域與記憶體溢出異常 42 2.1　概述 42 2.2　運行時資料區域 42 2.2.1　程式計數器 43 2.2.2　Java虛擬機器棧 43 2.2.3　本地方法棧 44 2.2.4　Java堆 44 2.2.5　方法區 46 2.2.6　運行時常量池 47 2.2.7

　直接記憶體 47 2.3　HotSpot虛擬機器對象探秘 48 2.3.1　對象的創建 48 2.3.2　物件的記憶體佈局 51 2.3.3　對象的訪問定位 52 2.4　實戰：OutOfMemoryError異常 53 2.4.1　Java堆溢出 54 2.4.2　虛擬機器棧和本地方法棧溢出 56 2.4.3　方法區和運行時常量池溢出 61 2.4.4　本機直接記憶體溢出 65 2.5　本章小結 66 第3章　垃圾收集器與記憶體分配策略 67 3.1　概述 67 3.2　對象已死？ 68 3.2.1　引用計數演算法 68 3.2.2　可達性分析演算法 70 3.2.3　再談引用 71 3

.2.4　生存還是死亡？ 72 3.2.5　回收方法區 74 3.3　垃圾收集演算法 75 3.3.1　分代收集理論 75 3.3.2　標記-清除演算法 77 3.3.3　標記-複製演算法 78 3.3.4　標記-整理演算法 79 3.4　HotSpot的演算法細節實現 81 3.4.1　根節點枚舉 81 3.4.2　安全點 82 3.4.3　安全區域 83 3.4.4　記憶集與卡表 84 3.4.5　寫屏障 85 3.4.6　併發的可達性分析 87 3.5　經典垃圾收集器 89 3.5.1　Serial收集器 90 3.5.2　ParNew收集器 92 3.5.3　Parallel Scav

enge收集器 93 3.5.4　Serial Old收集器 94 3.5.5　Parallel Old收集器 95 3.5.6　CMS收集器 96 3.5.7　Garbage First收集器 98 3.6　低延遲垃圾收集器 104 3.6.1　Shenandoah收集器 105 3.6.2　ZGC收集器 112 3.7　選擇合適的垃圾收集器 121 3.7.1　Epsilon收集器 121 3.7.2　收集器的權衡 121 3.7.3　虛擬機器及垃圾收集器日誌 122 3.7.4　垃圾收集器參數總結 127 3.8　實戰：記憶體分配與回收策略 129 3.8.1　對象優先在Eden分配 1

30 3.8.2　大物件直接進入老年代 131 3.8.3　長期存活的物件將進入老年代 132 3.8.4　動態物件年齡判定 134 3.8.5　空間分配擔保 135 3.9　本章小結 137 第4章　虛擬機器性能監控-故障處理工具 138 4.1　概述 138 4.2　基礎故障處理工具 138 4.2.1　jps：虛擬機器進程狀況工具 141 4.2.2　jstat：虛擬機器統計資訊監視工具 142 4.2.3　jinfo：Java配置資訊工具 143 4.2.4　jmap：Java記憶體映射工具 144 4.2.5　jhat：虛擬機器堆轉儲快照分析工具 145 4.2.6　jstack：

Java堆疊跟蹤工具 146 4.2.7　基礎工具總結 148 4.3　視覺化故障處理工具 151 4.3.1　JHSDB：基於服務性代理的調試工具 152 4.3.2　JConsole：Java監視與管理主控台 157 4.3.3　VisualVM：多合-故障處理工具 164 4.3.4　Java Mission Control：可持續線上的監控工具 171 4.4　HotSpot虛擬機器外掛程式及工具 175 4.5　本章小結 180 第5章　調優案例分析與實戰 181 5.1　概述 181 5.2　案例分析 181 5.2.1　大記憶體硬體上的程式部署策略 182 5.2.2　集群間同

步導致的記憶體溢出 184 5.2.3　堆外記憶體導致的溢出錯誤 185 5.2.4　外部命令導致系統緩慢 187 5.2.5　伺服器虛擬機器進程崩潰 187 5.2.6　不恰當資料結構導致記憶體佔用過大 188 5.2.7　由Windows虛擬記憶體導致的長時間停頓 189 5.2.8　由安全點導致長時間停頓 190 5.3　實戰：Eclipse運行速度調優 192 5.3.1　調優前的程式運行狀態 193 5.3.2　升級JDK版本的性能變化及相容問題 196 5.3.3　編譯時間和類載入時間的優化 200 5.3.4　調整記憶體設置控制垃圾收集頻率 203 5.3.5　選擇收集器降低延遲

206 5.4　本章小結 209   【第三部分　虛擬機器執行子系統】 第6章　類檔結構 212 6.1　概述 212 6.2　無關性的基石 212 6.3　Class類檔的結構 214 6.3.1　魔數與Class檔的版本 215 6.3.2　常量池 218 6.3.3　訪問標誌 224 6.3.4　類索引-父類索引與介面索引集合 225 6.3.5　欄位元表集合 226 6.3.6　方法表集合 229 6.3.7　屬性工作表集合 230 6.4　位元元組碼指令簡介 251 6.4.1　位元組碼與資料類型 251 6.4.2　載入和存儲指令 253 6.4.3　運算指令 254 6.4.4

　類型轉換指令 255 6.4.5　物件創建與訪問指令 256 6.4.6　運算元棧管理指令 256 6.4.7　控制轉移指令 257 6.4.8　方法調用和返回指令 257 6.4.9　異常處理指示 258 6.4.10　同步指令 258 6.5　公有設計，私有實現 259 6.6　Class檔結構的發展 260 6.7　本章小結 261   第7章　虛擬機器類載入機制 262 7.1　概述 262 7.2　類載入的時機 263 7.3　類載入的過程 267 7.3.1　載入 267 7.3.2　驗證 268 7.3.3　準備 271 7.3.4　解析 272 7.3.5　初始化 277 7

.4　類載入器 279 7.4.1　類與類載入器 280 7.4.2　雙親委派模型 281 7.4.3　破壞雙親委派模型 285 7.5　Java模組化系統 287 7.5.1　模組的相容性 288 7.5.2　模組化下的類載入器 290 7.6　本章小結 292   第8章　虛擬機器位元組碼執行引擎 293 8.1　概述 293 8.2　運行時棧幀結構 294 8.2.1　區域變數表 294 8.2.2　運算元棧 299 8.2.3　動態連接 300 8.2.4　方法返回位址 300 8.2.5　附加資訊 301 8.3　方法調用 301 8.3.1　解析 301 8.3.2　分派 303

8.4　動態類型語言支援 315 8.4.1　動態類型語言 316 8.4.2　Java與動態類型 317 8.4.3　java.lang.invoke包 318 8.4.4　invokedynamic指令 321 8.4.5　實戰：掌控方法分派規則 324 8.5　基於棧的位元組碼解釋執行引擎 326 8.5.1　解釋執行 327 8.5.2　基於棧的指令集與基於寄存器的指令集 328 8.5.3　基於棧的解譯器執行過程 329 8.6　本章小結 334   第9章　類載入及執行子系統的案例與實戰 335 9.1　概述 335 9.2　案例分析 335 9.2.1　Tomcat：正統的類載入

器架構 335 9.2.2　OSGi：靈活的類載入器架構 338 9.2.3　位元組碼生成技術與動態代理的實現 341 9.2.4　Backport工具：Java的時光機器 345 9.3　實戰：自己動手實現遠端執行功能 348 9.3.1　目標 348 9.3.2　思路 349 9.3.3　實現 350 9.3.4　驗證 355 9.4　本章小結 356   【第四部分　程式編譯與代碼優化】 第10章　前端編譯與優化 358 10.1　概述 358 10.2　Javac編譯器 359 10.2.1　Javac的源碼與調試 359 10.2.2　解析與填充符號表 362 10.2.3　注解處理

器 363 10.2.4　語義分析與位元組碼生成 364 10.3　Java語法糖的味道 367 10.3.1　泛型 367 10.3.2　自動裝箱-拆箱與遍歷迴圈 375 10.3.3　條件編譯 377 10.4　實戰：插入式注解處理器 378 10.4.1　實戰目標 379 10.4.2　代碼實現 379 10.4.3　運行與測試 385 10.4.4　其他應用案例 386 10.5　本章小結 386 第11章　後端編譯與優化 388 11.1　概述 388 11.2　即時編譯器 389 11.2.1　解譯器與編譯器 389 11.2.2　編譯物件與觸發條件 392 11.2.3　編譯過

程 397 11.2.4　實戰：查看及分析即時編譯結果 398 11.3　提前編譯器 404 11.3.1　提前編譯的優劣得失 405 11.3.2　實戰：Jaotc的提前編譯 408 11.4　編譯器優化技術 411 11.4.1　優化技術概覽 411 11.4.2　方法內聯 415 11.4.3　逃逸分析 417 11.4.4　公共子運算式消除 420 11.4.5　陣列邊界檢查消除 421 11.5　實戰：深入理解Graal編譯器 423 11.5.1　歷史背景 423 11.5.2　構建編譯調試環境 424 11.5.3　JVMCI編譯器介面 426 11.5.4　代碼中間表示 429

11.5.5　代碼優化與生成 432 11.6　本章小結 436   【第五部分　高效併發】 第12章　Java記憶體模型與執行緒 438 12.1　概述 438 12.2　硬體的效率與一致性 439 12.3　Java記憶體模型 440 12.3.1　主記憶體與工作記憶體 441 12.3.2　記憶體間交交交互操作 442 12.3.3　對於volatile型變數的特殊規則 444 12.3.4　針對long和double型變數的特殊規則 450 12.3.5　原子性-可見性與有序性 450 12.3.6　先行發生原則 452 12.4　Java與執行緒 455 12.4.1　執行緒的實現

455 12.4.2　Java執行緒調度 458 12.4.3　狀態轉換 460 12.5　Java與協程 461 12.5.1　內核執行緒的局限 461 12.5.2　協程的復蘇 462 12.5.3　Java的解決方案 464 12.6　本章小結 465 第13章　執行緒安全與鎖優化 466 13.1　概述 466 13.2　執行緒安全 466 13.2.1　Java語言中的執行緒安全 467 13.2.2　執行緒安全的實現方法 471 13.3　鎖優化 479 13.3.1　自旋鎖與自我調整自旋 479 13.3.2　鎖消除 480 13.3.3　鎖粗化 481 13.3.4　羽量級

鎖 481 13.3.5　偏向鎖 483 13.4　本章小結 485   附錄A　在Windows系統下編譯OpenJDK 6 486 附錄B　展望Java技術的未來（2013年版） 493 附錄C　虛擬機器位元元組碼指令表 499 附錄D　物件查詢語言（OQL）簡介 506 附錄E　JDK歷史版本軌跡 512  

無摻雜氧化鉿元件之退火溫度與結構對其鐵電特性影響之研究

為了解決記憶體相容性測試的問題，作者吳家豐 這樣論述：

氧化鉿在半導體工業已經被當成高介電材料數十年。在最近幾年，因為其可微縮性以及CMOS製程相容性而發現更多的應用。因應現今對於類神經運算及元件微縮的需求提升，越來越多的新興記憶體因其有許多優點，包含低功耗、非揮發性、高讀寫速度、簡單結構和CMOS製程兼容性等而被廣泛研究。其中，氧化鉿基的鐵電記憶體有著上述特性，被認為有潛力取代現今記憶體的非揮發性記憶體。然而，氧化鉿中產生鐵電特性的機制以及如何改善仍然需要被研究。此篇論文將會討論薄膜厚度、退火溫度以及元件結構對於氧化鉿鐵電特性的影響。本篇論文的第一部分中，我們調整了金屬/絕緣層/金屬堆疊元件中的絕緣層厚度，分別為3奈米、5奈米、7奈米和10奈米

。3奈米的樣品因太薄且漏電流大的原因以致沒有鐵電特性。5奈米、7奈米和10奈米則有不同大小的殘留極化量(remanent polarization)，其中7奈米的樣品擁有最高的殘留極化量6.6μC/cm2。根據材料分析的結果，我們發現在薄膜中其隨著厚度改變的晶粒大小與特性有關，從5奈米提升到7奈米的樣品中發現，殘留極化量的增加主要是因為domain size變大。而7奈米到10奈米元件鐵電特性的下降主要是因為晶粒大小的提升，使得薄膜中更容易形成m-phase。從這個部分我們得知，更大的domain size對於有助於穩定鐵電特性且有更高的殘留極化量，而m-phase的增加則會降低鐵電特性。接著

我們改變了退火溫度，從450oC到600oC。7奈米和10奈米的樣品從500oC開始有較高的殘留極化量，並且在550oC達到最大值。從材料分析的結果中我們得知，在550oC時7奈米的樣品擁有最好的結晶性，且主要為o-phase。但在600oC時，越來越多的m-phase形成，並造成o-phase減少。從實驗結果我們得知，Hafnium oxide需要足夠的溫度結晶，但溫度太高的話也容易形成非鐵電相。在這篇論文的第二部分，我們使用了不同結構的金屬/絕緣層/金屬堆疊元件。一種是和上部分一樣的平面結構，另一種則是交叉電極結構。在施加相同的電壓(2.5V)時，平面結構的樣本比起交叉電極結構有更高的殘留

極化量。但當我們提高施加的電壓到3.15V時，平面結構的樣本因無法承受而崩潰了，而交叉電極結構的樣本則有較大的殘留極化量(約14.8μC/cm2)。這代表說交叉電極結構能承受大電壓而有較大的殘留極化量。主要原因在於這兩種不同的結構應力的分布不同，導致交叉電極結構更容易形成m-phase，造成薄膜內部的m-phase比例較高，而在平面結構裡則是o-phase比例較高。這兩種不同的phase在電性上的不同主要是他們的介電常數不同，m-phase的介電常數比起o-phase來說還要小。而介電常數較小的材料它的漏電流會比較小，並且有著較高的崩潰電壓。而m-phase比例較高也是交叉電極結構在相同的電壓

下殘留極化量會較小，但卻可以承受較高電壓的原因。在耐久度測試中，交叉電極結構也因為m-phase的介電損耗較小的原因而有更高的耐久度。本篇論文提供了不同厚度、退火溫度與結構的氧化鉿基金屬/絕緣層/金屬堆疊。由實驗結果可以發現，氧化鉿材料的鐵電特性主要與domain大小與結晶相有關，越大的domain大小及較高的o-phase比例有助於提升鐵電的特性。因此必須調整到最佳的製程條件讓氧化鉿達到最好的鐵電特性。鐵電記憶體已被證明在非揮發性記憶體應用上相當具有潛力。