記憶體介紹的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

微處理機設計與實務：邁向AMA Fundamentals Level與Essentials Level先進微控制器應用認證使用ARM Cortex-M3 ARMINNO之Holtek 32位元晶片附系統範例光碟 - 修訂版(第二版)

為了解決記憶體介紹的問題，作者董勝源 這樣論述：

　　1.完整的ARM控制電路設計，是繼8051之後最佳的選擇。 　　2.使用KEIL–ARM與ARMINNO™平台撰寫C語言程式及硬體模擬，操作方便。對硬體底層暫存器不需深入了解，即可撰寫ARM的控制程式。 　　3.本書配合認證專用Cortex- M3主控板（含USB ICE）及多功能實習板，除了提供AMA中級與高級認證教學外，同時具有省電、低成本及硬體彈性等優點，是研發產品的利器。 　　4.本書教學內容及範例程式深入淺出，是學習嵌入式系統的最佳選擇。 第１章　Cortex-M3 與HT32F17x5 介紹     1-1　ARM Cortex-M3 簡介      1-1.1　ARM

系列微處理器     1-1.2　Cortex-M3 微處理器     1-2　Cortex-M3 與HT32F17x5 架構     1-2.1　HT32F17x5 架構介紹     1-2.2　Cortex-M3 暫存器     1-2.3　HT32F17x5 記憶體介紹     1-3　HT32F17x5 硬體電路     1-3.1　HT32F17x5 接腳介紹     1-3.2　ArminnoTM HT32F 主控板     1-3.3　ArminnoTM 多功能實驗板          第２章　Keil μVision4 與工具軟體     2-1　Keil 基礎操作    

2-1.1　如何進入Keil 軟體     2-1.2　ArminnoTM HT32F 主控板安裝     2-1.3　Keil 基本操作     2-2　專案程式     2-2.1　專案程式執行     2-2.2　專案程式介紹     2-2.3　建立新專案　     2-3　Build 與Debug 進階操作     2-3.1　Build（建立）進階操作     2-3.2　Debug（偵錯）進階操作     2-4　ArminnoTM 軟體平台操作     2-4.1　ArminnoTM 平台函式庫介紹     2-4.2　ArminnoTM 平台操作          第３章　通

用輸出入控制實習     3-1　GPIO 控制實習     3-1.1　GPIO 控制暫存器     3-1.2　ArminnoTM 的GPIO 函數     3-1.3　GPIO 基礎實習     3-2　GPIO 應用實習     3-2.1　七段顯示器控制實習     3-2.2　直流馬達控制實習     3-2.3　液晶顯示器控制實習     3-3　AMA 中級HT32 微控制器應用認證試題–術科     3-3.1　AMA 中級HT32 微控制器應用認證術科說明     3-3.2　AMA 中級HT32 微控制器應用認證術科實作          第４章　異常向量與外部中斷控制實

習     4-1　異常向量與外部中斷（EXTI）控制實習     4-1.1　異常向量控制     4-1.2　外部中斷（EXTI）控制     4-1.3　Arminno 外部中斷（EXTI）事件函數     4-1.4　外部中斷（EXTI）實習     4-1.5　矩陣式按鍵控制實習     4-2　電源控制單元（PWRCU）控制實習     4-2.1　電源控制單元操作     4-2.2　電源控制單元實習     4-3　時脈控制單元（CKCU）控制實習     4-3.1　時脈控制單元（CKCU）      4-3.2　ArminnoTM 的時脈函數     4-3.3　鎖相迴路（

PLL）控制     4-3.4　CKOUT 時脈輸出控制實習     4-4　周邊設備PDMA 控制          第５章　串列埠USART 控制實習     5-1　USART 非同步傳輸控制實習     5-1.1　USART 非同步傳輸控制     5-1.2　ArminnoTM 的USART 函數     5-1.3　UART 非同步串列埠傳輸範例     5-2　USART 同步傳輸控制實習     5-2.1　USART 同步傳輸控制     5-2.2　USART 同步傳輸實習     5-3　紅外線（IrDA）傳輸控制實習     5-3.1　紅外線（IrDA）傳輸控制 

    5-3.2　紅外線（IrDA）傳輸實習          第６章　計時器控制實習     6-1　系統節拍計時器控制實習     6-1.1　系統節拍（SysTick）計時器控制     6-1.2　系統節拍（SysTick）計時器實習     6-2　基本功能計時器（BFTM）控制實習     6-2.1　基本功能計時器（BFTM）控制     6-2.2　Arminno 的BFTM 函數     6-2.3　BFTM 控制實習     6-3　通用計時器（GPTM）控制實習     6-3.1　GPTM 計時/ 計數控制實習     6-3.2　GPTM 匹配輸出控制實習    

6-3.3　GPTM 的PWM 輸出控制實習     6-3.4　GPTM 的單脈衝輸出控制實習     6-3.5　GPTM 計時捕捉器與紅外線遙控器實習     6-3.6　GPTM 光學編碼器控制實習     6-4　馬達控制計時器（MCTM）控制實習     6-4.1　MCTM 計時/ 計數控制實習     6-4.2　MCTM 輸出與輸入控制實習     6-5　看門狗計時器（WDT）控制實習     6-5.1　WDT 暫存器介紹     6-5.2　WDT 實習範例     6-6　即時時脈（RTC）控制實習     6-6.1　RTC 控制     6-6.2　RTC 實習 

         第７章　串列埠SPI 界面控制實習     7-1　SPI 界面控制     7-1.1　SPI 暫存器     7-1.2　Arminno 的SPI 函數     7-2　SPI 界面實習     7-2.1　SPI 實習範例     7-2.2　SPI 界面溫度感測控制實習          第８章　串列埠I2C 界面控制實習     8-1　串列埠I2C 界面控制實習     8-1.1　I2C 界面暫存器介紹     8-1.2　I2C 界面資料傳輸     8-2　I2C 界面EEPROM 控制實習     8-2.1　I2C 界面串列EEPROM 資料傳輸    

8-2.2　I2C 界面串列EEPROM 實習範例          第９章　ADC 及OPA/CMP 控制實習     9-1　ADC 控制實習     　9-1.1　ADC 控制     　9-1.2　ADC 實習     9-2　OPA/CMP 控制實習     　9-2.1　OPA/CMP 控制          第10 章　 AMA 高級HT32 微控制器應用認證試題–術科     　10-1　AMA 高級HT32 微控制器應用認證術科說明     　10-2　AMA 高級HT32 微控制器應用認證術科實作     　　10-2.1　試題( 一) 遙控風扇     　　10-2.2

　試題( 二) 電子密碼鎖     　　10-2.3　試題( 三) 智慧溫控系統          附　錄　AMA 先進微控制器應用認證試題術科應檢資料     　附錄1　AMA 先進微控制器應用認證簡介     　附錄2　AMA 先進微控制器應用認證–中級術科測試試題含評審表     　附錄3　AMA 先進微控制器應用認證–高級術科測試試題含評審表    

記憶體介紹進入發燒排行的影片

應用於非揮發性鐵電靜態隨機存取記憶體之變異容忍性召回操作

為了解決記憶體介紹的問題，作者李艾芳 這樣論述：

2013年德國政府提出「工業 4.0」的高科技計畫，可大幅改善傳統生產製造效率，為了能有效處理大量的資料，高效率及快速讀寫的設備扮演著重要的角色。其中SRAM具有快速讀寫的優勢，若能在斷電後仍能保留資料，便可大幅的降低功率耗損。近年來鐵電材料因與目前CMOS技術具有兼容性且可微縮的優勢，其中鐵電非揮發性SRAM極具潛力同時達到快速操作及超低功耗等功能需求。本篇論文著重探討兩種6T2C NVSRAM的召回操作設計(Type-1及Type-2)，並利用TCAD模擬軟體結合Preisach model來模擬鐵電電容。考慮在最嚴苛的閾值電壓變異(△VTH)情況下，比較電晶體變異對兩種NVSRAM召回

操作的影響。結果顯示當增加剩餘極化(Pr)、減少鐵電介電係數(εFE)或矯頑電場(Ec)，召回操作表現上可獲得更好的變異度免疫力。除此之外，Type-2召回操作在優化的鐵電電容面積下，當飽和極化(Ps)接近剩餘極化時，可容忍閾值電壓變異度為116 mV，比Type-1召回操作大4.46倍。在附錄部分，我們提出記憶體視窗(Memory window)模型架構，透過數學模型去分析不同鐵電材料參數在飽和迴圈下，對非揮發性鐵電場效電晶體記憶視窗的影響，結果顯示在足夠電壓情況下，當剩餘極化或矯頑電場增加時，可增加記憶視窗及鐵電記憶的穩定性。

Cortex-A9多核嵌入式系統設計

為了解決記憶體介紹的問題，作者廖義奎 這樣論述：

《Cortex-A9多核嵌入式系統設計(附光碟)》分為多核處理器基礎、多核處理器硬體設計、嵌入式系統軟體設計基礎、Android程式設計、iOS程式設計以及HybridApp開發六大部分。 本書共19章，包括多核處理器基礎、ARM多核處理器體系結構、多核嵌入式系統硬體結構、記憶體電路、音視頻及觸控式螢幕介面、通信介面、Bootloader程式設計、Linux軟體發展平臺及軟體配置、Linux驅動程式設計、Linux及Android作業系統的編譯、Android程式設計基礎、Android圖形化使用者介面設計、Activity、Intent和Service系統結構設計、iOS程式設計基礎、Ob

jective-C程式設計語言、iOS視圖及視圖控制器、HybridApp開發基礎、PhoneGap移動開發、jQueryMobile移動開發。 本書適合於嵌入式開發人員作為開發參考資料，也適合於高校師生作為嵌入式系統、移動開發、物聯網應用開發等課程的教材和教學參考書。 前言 第1章 多核處理器基礎 1.1 嵌入式系統概述 1.2 嵌入式系統的發展 1.2.1 從單片機到嵌入式系統 1.2.2 從晶片級設計到系統級設計 1.2.3 從單一處理器設計到多處理器設計 1.3 多核處理器 1.3.1 單核處理器的局限性 1.3.2 處理器拙行指令的效率 1.3.3 CPU的主頻

與功耗的關係 1.3.4 從單核處理器到多核處理器設計 1.3.5 多工應用的工作模式 1.4 嵌入式系統軟體 1.4.1 嵌入式軟體設計的特點 1.4.2 嵌入式作業系統 1.5 嵌入式系統應用 1.6 刪處理器 1.6.1 刪的歷史 1.6.2 ARM的發展 1.7 ARM處理器分類 1.7.1 ARM處理器架構 1.7.2 刪Cortex處理器 1.7.3 Cortex_A8處理器 1.7.4 Cortex-A5處理器 1.7.5 Cortex-A7處理器 1.7.6 Cortex-A9處理器 1.7.7 Cortex-A12處理器 1.7.8 Cortex-A15處理器 1.8 ARM

v8架構 1.8.1 ARMy8架構介紹 1.8.2 Cortex-A50系列處理器 1.8.3 蘋果A7處理器 1.9 多核處理器時代   第2章 ARM多核處理器體系結構 2.1 微處理器的體系結構基礎 2.2 ARM處理器體系結構 2.3 Cortex-A9處理器體系結構 2.3.1 Cortex-A9內核結構 2.3.2 Cortex-A9單核處理器 2.3.3 Cortex-A9 MPCore多核處理器 2.3.4 Cortex-A9主要功能   第3章 多核嵌入式系統硬體結構 3.1 嵌入式系統硬體結構 3.2 Exynos4412開發板介紹 3.2.1 Exynos4412處理器

介紹 3.2.2 Exynos4412開發板 3.3 OMAP4460開發平臺 3.3.1 OMAP4460雙核處理器介紹- 3.3.2 OMAP4460開發板介紹 3.3.3 OMAP4460開發板結構 3.3.4 JTAG介面 3.4 電源管理 3.4.1 電源管理概述 3.4.2 TWL6030電源管理IC 3.4.3 OMAP4460開發板電源管理   第4章 記憶體電路 4.1 OMAP4460存儲空間 4.1.1 OMAP4460存儲空間概要 4.1.2 OMAP4460存儲映射 4.2 RAM記憶體 4.2.1 RAM記憶體介紹 4.2.2 SDRAM工作原理 4.2.3 DDR

SDAM分類 4.2.4 DDR SDRAM工作原理 4.2.5 DDR3新增特點 4.3 ROM記憶體 4.3.1 ROM記憶體類型 4.3.2 Flash記憶體類型 4.4 存儲卡介面電路設計 ……   第5章 音視頻及觸控式螢幕介面 第6章 通信介面 第7章 Bootloader程式設計 第8章 Linux軟體發展平臺及軟體配置 第9章 Linux驅動程式設計 第10章 Linux及Android作業系統的編譯 第11章 Android程式設計基礎 第12章 Android圖形化使用者介面設計 第13章 Activity、Intent和Servie系統結構設計 第14章 iOS程式設計基

礎 第15章 Objective-C程式設計語言 第16章 iOS視圖及視圖控制器 第17章 Hybrid App開發基礎 第18章 PhoneGap移動開發 第19章 jQuery Mobile移動開發 參考文獻

高密度 4T 與 6T 低溫鰭式場效電晶體靜態隨機存取記憶體

為了解決記憶體介紹的問題，作者劉昌儒 這樣論述：

隨著製程微縮技術的推進，降低電源電壓與臨界電壓會導致漏電功率嚴重增加，使得互補式金氧半場效電晶體(CMOS)電路的性能受到限制，此外在先進節點技術下，內部金屬導線的微縮會造成導線電阻大幅增加，進而降低電路的效能表現。而低溫 CMOS(Cryo-CMOS)是一個極具潛力的解決方式，元件可以透過操作在超低溫下來提高性能表現與降低電源功率。因此本研究透過 TCAD 軟體的Mixed-Mode 模擬，同時考慮內部導線模型(π-3 Model)，研究 300K 與 77K 下，4T與 6T 靜態隨機存取記憶體(SRAM)的讀寫穩定度和速度等特性。研究結果顯示與 300K 的 6T SRAM 相比，4T

SRAM 操作在 77K 時，在面積上縮減了 20.3%、讀取時間減少 44%、寫入時間減少 46%、寫入穩定度提高了 2.3倍、能量延遲積(EDP)減少了 53%。本論文也探討了利用 Transistor-Level 積層型三維堆疊的方式來設計 SRAM，在三維堆疊的設計中，將 P 型與 N 型電晶體製作在不同的平面上，可以調整製作流程並獨立優化電晶體特性，不但可以縮小 SRAM 的單元面積也可以減少內部導線的繞線長度，使字元線及位元線的電阻電容值降低。研究結果顯示 77K 下兩層設計的積層型 4T SRAM 與 300K 下的 6T 一層的設計相比可以改善 62%讀取時間、69%寫入時間

及 77%能量延遲積。本篇論文提出具有高能量效率與面積小的兩層積層型三維 4T SRAM，可增加在邊緣運算裝置的應用潛力。