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透過潔淨乾燥空氣去除極紫外線光罩傳送盒內的氣態分子污染物

為了解決移除samsung free的問題，作者夏育哲 這樣論述：

隨著集成電路飛速的發展，傳統光學的193nm浸潤式搭配雙重曝光技術，讓產業得以延伸到32nm~22nm製程，但發展到22nm製程以下採用多重曝光技術，製程難度會大幅增加，間接使生產成本大增。極短紫外光 (EUV) 波長可達到13.5nm，被視為延續moore‘s law(摩爾定理)最有效的方法。極短紫外光與傳統曝光的差異是，所有的設計都是採用反射式鏡片，但目前的問題是微影機台曝光功率和無缺陷光罩。無缺陷光罩的可用性是一個問題，微影機台曝光功率則會影響到晶圓量產的速度。機台的曝光功率會影響到成本效益，EUV微影機台本體的消耗功率約在350千瓦[26]，由於二氧化碳雷射產生極短紫外光，會耗去非常

多的能量，真正利用到的能量很少，ASML的EUV微影機台可用功率已經達到60W，必須要將功率提高到250W，每小時生產100片晶圓才能符合效益。由於所有物直接會吸收極紫外光輻射(包括空氣)，無法採用傳統的防塵薄膜來防護微粒和化學汙染物，勢必需要一個特殊的容器來存放、運輸，防止光罩受到外界汙染。新的EUV Pod (EUV光罩盒)是採用雙層盒設計，保護方式主要是利用進氣和出氣口的濾片和內外盒的間隔來做汙染物的隔離，但已經進入到EUV Pod的汙染物仍需要透過外力來清除。本實驗是藉由在光罩盒中放甲苯、氨比較充填潔淨乾燥空氣和抽真空的移除效果。充填條件分為，兩進兩出、兩進一出與一進一出，SEMI E

152-0709在2009年有規範兩個進氣口，增加了兩個通氣口做為預留用，但沒有明確規定用途。因為實驗架構是經由出氣口量測盒內汙染物之濃度，故選用兩進兩出、兩進一出來比較，一進一出是驗證文獻中CFD模擬進氣條件不同去除汙染物的優劣，經由實驗比較後，發現光罩盒有洩漏情形下，兩進兩出、兩進一出去除汙染物至原濃度5%的時間並無差別，一進一出移除效果比兩進兩出來的差。在氣態分子汙染物去除部分，甲苯容易排除；氨則是易殘留在光罩盒中。抽真空與充填CDA比較後發現，CDA是充填流量越高，去除效果越佳。真空腔體和光罩盒內容積比在51：1下，抽至15.9 torr所花的時間為兩分三十秒，模擬一個長、寬、高比光罩

盒多五公分的真空腔體進行推算，抽真空能在短時間內去除大量的氣態分子汙染物。