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寶貝的第一本觸控點讀有聲書 ABC(600單字+中英台3語+26個字母主題+互動遊戲)

為了解決碳鋅電池推薦的問題，作者 這樣論述：

小手輕點，隨點隨學！ 26個字母主題╳中英台３語╳600個生活單字╳1800個發音╳互動遊戲 　　想要讓孩子邊聽邊學嗎？ 　　又擔心點讀筆故障或弄丟？ 　　哇！現在再也不必擔心了！ 　　只需手指輕輕一點， 　　輕鬆學習超過600個必學單字， 　　是孩子書櫃裡絕對不能缺少的自學寶典！ 　　內附ABC兒歌， 　　增加學習樂趣！ 　　貼心側邊喇叭設計， 　　聲音更清晰。 　　字母主題： 　　26個英文字母主題，收錄超過600個A～Z必學單字，內容之豐富可說是「最有趣的隨身字典」，搭配可愛又細膩的插圖，輕鬆擴展孩子的詞彙量，踏出愛上語言的第一步。 　　簡單操作： 　　一鍵切換三種語言(

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碳鋅電池推薦進入發燒排行的影片

深共熔溶液體添加劑對活性碳鍍鋅層電池性質分析

為了解決碳鋅電池推薦的問題，作者李儀賢 這樣論述：

目錄指導教授推薦書 i口試委員審定書 ii中文摘要 iii英文摘要 v目錄 vii圖目錄 ix表目錄 xiii第一章 序論 11-1 前言 11-2 研究動機 2第二章 理論基礎與文獻回顧 42-1 電鍍鋅 42-1-1鋅的物理性質與化學性質 52-1-2 氯化鋅 62-2 電化學沉積基本原理 62-3 電鍍液體 82-3-1 深共熔溶劑與離子液體比較 82-3-2 深共熔溶劑分類 92-4 電鍍鋅應用 112-5 電鍍鋅鍍層影響 112-5-1電化學結晶過程 122-5-2影響電鍍層的主要因素 142-5-3電流效率與鍍膜厚度 162-6 電鍍

鋅沉積物的不同型態 182-7 添加劑 212-7-1硼酸(boric acid) 212-7-2抗壞血酸 (ascorbic acid, AA) 232-7-3菸鹼酸 (nicotinic acid, NA) 252-7-4聚丙烯酸（Poly acrylic acid, PAA） 282-7-5活性碳（Active carbon, AC） 29第三章 實驗方法與流程 323-1電鍍鋅 323-2 實驗步驟 353-2-1 實驗材料 353-2-2 電鍍液的配置 353-2-3 基板製程前處理 363-2-4 電鍍系統製程步驟 373-2-5 鋅空氣電池製程步驟

373-3 實驗參數 393-4製程及檢測儀器 423-4-1製程儀器 423-4-2 檢測儀器 44第四章 結果與討論 574-1 最佳化電鍍鋅金屬之溫度與電流密度 574-1-1 表面分析形貌(SEM) 584-1-2 粗糙度分析 654-1-3 XRD分析 674-1-4 耐腐蝕性質分析(I-V Curve) 754-1-5 小結 794-2 添加不同添加劑達到抗腐蝕能力提升 814-2-1 表面分析形貌(SEM) 814-2-2 粗糙度分析 874-2-3 耐腐蝕性質分析(I-V Curve) 904-2-4 XRD分析 954-2-5 硬度分析 10

04-2-6 電流效率及厚度分析 1034-3 抗壞血酸與菸鹼酸相互最佳化參數探討 1064-3-1 表面分析形貌(SEM) 1064-3-2 粗糙度分析 1064-3-3 耐腐蝕性質分析(I-V Curve) 1074-3-4 XRD分析 1084-3-5 硬度分析 1104-3-6 電流效率及厚度分析 1114-3-7 小結 1134-4 複合式電鍍鋅與活性碳並運用在鋅空氣電池上 1154-4-1 X射線能量散布成分分析 1154-4-2 耐腐蝕性質分析(I-V Curve) 1254-4-3 比表面積與孔隙分佈分析 1264-4-4 循環伏安法(Cyclic V

oltammetry, CV) 131第五章 結論 134第六章 未來展望 137參考文獻 138圖目錄圖2-2-1 電鍍系統示意圖 7圖2-3-1 ILs與DES差異 8圖2-3-2深共熔溶劑共熔後熔點特性 10圖2-3-3 DES1和DES2深共熔溶劑熱重分析 10圖2-5-1電化學結晶過程示意圖 13圖2-6-1電化學沉積中獲得的鋅金屬沉積物示意圖 19圖2-6-2隨機取向的板狀性結構如同花冠狀結構鋅鍍層(A)室溫下電鍍(B)50°C下電鍍的表面形貌 20圖2-6-3深灰色鋅沉積物薄片片狀結構鋅鍍層(A)75°C下電鍍(B)100°C下電鍍的表面形貌 20圖2-7

-1硼酸的穩定pKa值 22圖2-7- 2硼酸在電沉積過程對於電位影響 22圖2-7- 3抗壞血酸在Zn-Ni與Zn-Ni-Fe特性比較SEM圖:(a)無添加抗壞血酸表面SEM圖像，(b)無添加抗壞血酸橫截面SEM圖像，(c)添加抗壞血酸表面SEM圖像，(d)添加抗壞血酸橫截面SEM圖像。 23圖2-7-4抗壞血酸在Zn-Ni的表面粗糙度:(a)無添加抗壞血酸二維輪廓，(b)無添加抗壞血酸粗糙度，(c)添加抗壞血酸二維輪廓，(d)添加抗壞血酸粗糙度。 24圖2-7- 5不同添加劑在 Cu電極上在80°C下進行2小時電鍍鋅:(a)不含添加劑，(b)菸鹼酸，(c)硼酸，(d)苯醌。 26

圖2-7- 6菸鹼酸添加劑的 Zn 沉積物的 SEM圖:(a)無添加的SEM圖，(b)無添加之截面圖，(c)添加NA的SEM圖，(d)添加NA之截面圖。 27圖2-7-7 Graft Fast的新型共鍍技術使用PAA添加劑在ABS基板表面電鍍銅金屬 29圖2-7-8 無活性碳與有活性碳電鍍鉛金屬交流電極在5molL-1 H2SO4 溶液中從0.7V到1.2V循環伏安圖 30圖2-7-9 活性碳與鉛金屬電鍍的SEM和EDS圖像:(a)SEM圖像，(b)C的EDS圖像，(c)O的EDS圖像，(d)Pb的EDS圖像。 31圖3-1-1實驗詳細流程示意圖 34圖3-2-1鋅空氣電池結構示意圖

38圖3-2-2鋅空氣電池製作方式結構圖 38圖3-4-1 電磁加熱攪拌器 42圖3-4-2 雙組直流電源供應器 43圖3-4-3 布拉格定律示意圖 45圖3-4-4 X-ray 繞射分析儀 45圖3-4-5 掃描式電子顯微鏡結構圖 46圖3-4-6 電子束轟擊試片表面所產生之訊號 48圖3-4-7 恆電位儀 50圖3-4-8 典型循環伏安圖 50圖3-4-9 極化曲線、塔佛斜率示意圖 51圖3-4-10 SJ-210工作示意圖 52圖3-4-11 表面粗度測定儀 52圖3-4-12 Knoop硬度機 54圖3-4-13 氮氣吸脫附曲線 55圖3-4-14 比表

面積數據 56圖4-1-1 (a-e)鍍液溫度40°C、0.1-0.5ASD(間隔0.1ASD)之SEM圖 60圖4-1-2 (a-e)鍍液溫度50°C、0.1-0.5ASD(間隔0.1ASD)之SEM圖。 61圖4-1-3 (a-e)鍍液溫度60°C、0.1-0.5ASD(間隔0.1ASD)之SEM圖。 62圖4-1-4 (a-e) 鍍液溫度70°C、0.1-0.5ASD(間隔0.1ASD)之SEM圖。 63圖4-1-5 (a-e) 鍍液溫度80°C、0.1-0.5ASD(間隔0.1ASD)之SEM圖。 64圖4-1-6 鍍液溫度40°C-80°C電流密度0.1-0.5ASD之表

面粗糙度圖 66圖4-1-7 0.1-0.5ASD鍍液溫度40°C XRD繞射圖譜 69圖4-1-8 0.1-0.5ASD鍍液溫度 50°C XRD繞射圖譜 69圖4-1-9 0.1-0.5ASD鍍液溫度60°C XRD繞射圖譜 70圖4-1-10 0.1-0.5ASD鍍液溫度70°C XRD繞射圖譜 70圖4-1-11 0.1-0.5ASD鍍液溫度80°C XRD繞射圖譜 71圖4-1-12 鍍液溫度40°C 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸圖 73圖4-1-13 鍍液溫度50°C 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸圖 73圖4-1-14鍍液溫度60°C 0.1AS

D-0.5ASD平均晶粒尺寸圖 74圖4-1-15鍍液溫度70°C 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸圖 74圖4-1-16鍍液溫度80°C 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸圖 75圖4-1-17鍍液溫度40 °C電流密度0.1 ASD - 0.5 ASD的極化曲線 76圖4-1-18鍍液溫度50 °C電流密度0.1 - 0.5 ASD的極化曲線 77圖4-1-19鍍液溫度60 °C電流密度0.1 - 0.5 ASD的極化曲線 77圖4-1-20鍍液溫度70 °C電流密度0.1 - 0.5 ASD的極化曲線 78圖4-1-21鍍液溫度80 °C電流密度0.1 - 0.5

ASD的極化曲線 78圖4-2-1不同抗壞血酸克數固定鍍液溫度80°C電流密度0.1ASD的SEM圖:(a)0.5g，(b)1g，(c)1.5g，(d)2g，(e)2.5g，(f)3g。 84圖4-2-2不同菸鹼酸克數固定鍍液溫度80 °C電流密度0.1ASD的SEM圖 :(a)0.5g，(b)1g，(c)1.5g，(d)2g，(e)2.5g，(f)3g。 84圖4-2-3以不同的電流密度添加抗壞血酸2.5g及固定鍍液溫度80°C的SEM圖:(a)0.1ASD，(b) 0.2ASD，(c) 0.3ASD，(d) 0.4ASD，(e) 0.5ASD。 85圖4-2-4以不同的電流密度添

加菸鹼酸1.5g及固定鍍液溫度80°C的SEM圖:(a)0.1ASD，(b) 0.2ASD，(c) 0.3ASD，(d) 0.4ASD，(e) 0.5ASD。 85圖4-2-5在倍率1K下觀看抗壞血酸2.5g電流密度0.3ASD的SEM圖(a)2-6章節花冠狀結構10k倍率(b)10k倍率 86圖4-2-6 添加抗壞血酸及菸鹼酸的平均表面粗糙圖:(A)固定在80°C電流密度0.1做抗壞血酸變量，(B)固定在80 °C電流密度0.1做菸鹼酸變量(C)固定抗壞血酸2.5g及80 °C做電流密度的變量，(D)固定菸鹼酸1.5g及80 °C做電流密度的變量。 88圖4-2-7 分別添加2.5g抗

壞血酸及1.5g菸鹼酸的平均表面粗糙度比較圖 89圖4-2-8 固定在80 °C電流密度0.1ASD添加抗壞血酸及菸鹼酸的耐腐蝕性質分析:(A)改變抗壞血酸添加量分析耐腐蝕性質，(B) 改變菸鹼酸添加量分析耐腐蝕性質。 92圖4-2-9 固定在80 °C添加抗壞血酸2.5g及菸鹼酸1.5g改變電流密度的耐腐蝕性質分析:(A)抗壞血酸2.5g不同電流密度分析耐腐蝕性質，(B) 菸鹼酸1.5g不同電流密度分析耐腐蝕性質。 93圖4-2-10 固定在80°C添加抗壞血酸2.5g及菸鹼酸1.5g改變電流密度的耐腐蝕性質分析比較 94圖4-2-11 80 °C 抗壞血酸2.5g 0.1ASD-0

.5ASD繞射圖譜 98圖4-2-12 80 °C 菸鹼酸1.5g 0.1ASD-0.5ASD繞射圖譜 98圖4-2-13 80 °C 抗壞血酸2.5g 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸 99圖4-2-14 80 °C 菸鹼酸1.5g 0.1ASD-0.5ASD平均晶粒尺寸 99圖4-2-15 80 °C 抗壞血酸2.5g 0.1ASD-0.5ASD平均硬度 101圖4-2-16 80 °C 菸鹼酸1.5g 0.1ASD-0.5ASD平均硬度 101圖4-2-17 80 °C 抗壞血酸2.5g 0.1ASD-0.5ASD平均硬度與平均晶粒尺寸的比較 102圖4-2-18 8

0 °C 菸鹼酸1.5g 0.1ASD-0.5ASD平均硬度與平均晶粒尺寸的比較 102圖4-2-19在不同電流密度下無添加劑、添加菸鹼酸(NA)、添加抗壞血酸(AA)電流效率比較圖 104圖4-2-20 固定在80 °C 0.3ASD添加抗壞血酸2.5g及菸鹼酸1.5g膜層厚度SEM剖面比較圖 105圖4-3-1以最佳化添加劑含量抗壞血酸2.5g及菸鹼酸1.5g的電鍍鋅金屬SEM圖:(a)5k倍率，(b)10k倍率。 106圖4-3-2 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)的電鍍鋅金屬粗糙度分析比較圖 107圖4-3-3 分別添加抗壞血酸(AA)

、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)的電鍍鋅金屬極化曲線分析比較圖 108圖4-3-4 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)在電鍍鋅金屬繞射圖譜分析圖 109圖4-3-5 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)的平均晶粒尺寸比較分析圖 110圖4-3-6 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)的平均硬度值比較分析圖 111圖4-3-7 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)的電流效率比較圖 112圖4-4-1 添加PAA添加劑電鍍鋅與活

性碳EDS成分分析圖 116圖4-4-2 添加1mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 118圖4-4-3 添加5mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 118圖4-4-4 添加10mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 119圖4-4-5 添加15mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 119圖4-4-6 添加20mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 120圖4-4-7 添加30mL的PAA電鍍鋅與活性碳EDS成分分析圖 120圖4-4-8 添加0.1g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 121圖4-4-9 添加0.5g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 12

1圖4-4-10 添加1g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 122圖4-4-11 添加1.5g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 122圖4-4-12 添加2g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 123圖4-4-13 添加2.5g活性碳與鋅電鍍EDS成分分析圖 123圖4-4-14 添加PAA與活性碳的鋅電鍍碳含量原子比例EDS成分分析圖 124圖4-4-15 AA、NA、Carbon、Carbon AA+NA的塔弗極化曲線 125圖4-4-16 電鍍鋅金屬的氮氣吸脫附曲線 127圖4-4-17 複合式電鍍鋅金屬與活性碳的氮氣吸脫附曲線 128圖4-4-18 電鍍鋅金屬的比表面積數據圖

129圖4-4-19 複合式電鍍鋅金屬與活性碳的比表面積數據圖 130圖4-4-20 電鍍鋅金屬的循環伏安法分析圖 132圖4-4-21 複合式電鍍鋅金屬與活性碳的循環伏安法分析圖 133表目錄表2-1常見金屬之電化當量 16表3-1實驗藥品介紹 35表3-2試片規格介紹 35表3-3電鍍時之電流密度、溫度參數 40表3-4電鍍鋅添加抗壞血酸與菸鹼酸添加劑參數 40表3-5複合式電鍍活性碳與鋅金屬添加劑參數 41表4-1 40°C~80°C、0.1ASD~0.5ASD平均半高寬 72表4-2 添加抗壞血酸及菸鹼酸-耐腐蝕性分析比較數值 94表4-3 80 °C 抗壞血酸

2.5g 0.1ASD-0.5ASD峰值、半高寬、晶粒尺寸 96表4-4 80 °C 菸鹼酸1.5g 0.1ASD-0.5ASD峰值、半高寬、晶粒尺寸 97表4-5 分別添加抗壞血酸(AA)、菸鹼酸(NA)、抗壞血酸及菸鹼酸(AA+NA)在電鍍鋅金屬峰值、半高寬、晶粒尺寸 109

改變世界的科學定律：與33位知名科學家一起玩實驗

為了解決碳鋅電池推薦的問題，作者川村康文 這樣論述：

　　「人類歷史其實就是一部科技發明與發現史。」   　　重力、浮力、動力、引力、電力、磁力…… 　　看看科學家們是如何在各種實驗中發現足以改變世界的定律。   　　從歷史入手，讓大家更容易了解此原理的來龍去脈，之後再親手進行實驗，深刻體會原理在現實中的實際運用。 　　 　　阿基米德、伽利略、牛頓、伏打、安培、歐姆、焦耳、愛迪生、愛因斯坦……跟這33位科學家一起，探討理科實驗的魅力所在吧！   　　●阿基米德——「給我一個支點，我就可以舉起整個地球」在敘拉古戰爭中，利用製作的投石機擊退羅馬海軍，同時發明了阿基米德式螺旋抽水機。   　　●伽利略‧伽利萊——天文學之父、科學之父，科學實驗方法的

先驅者之一，發現了單擺的等時性、自由落體定律、加速度的概念、慣性定律。   　　●艾薩克・牛頓——自然哲學家、數學家、物理學家、天文學家、神學家。發現萬有引力、二項式定理，之後又發展出微分以及微積分學。完成了世界知名的「牛頓三大定律」。   　　●麥可・法拉第——成功使氯氣液化並發現了苯。提出法拉第電解定律。其所最早發現量子尺寸的觀察報告，亦被視為奈米科學的誕生。   　　望遠鏡原來是這樣發明的？ 　　只靠一根吸管就能輕鬆將人抬起？ 　　用鉛筆也能做電池？ 　　從歷史上科學家的故事中，找出的101個實驗方法，實際動手來進行吧！   　　◎ 阿基米德浮體原理 　　浸在流體中的物體，僅會減輕該物體

乘載於流體的重量部分。   　　◎ 自由落體定律 　　認為物體會都以相同速度落下，即使物體較重，也不會因為重力而加速落下。   　　◎ 慣性定律 　　一個靜止的物體，只要沒有外力作用於該物體上，該物體就會持續維持靜止。   　　◎ 萬有引力 　　牛頓發現「克卜勒三大定律」適用於說明繞著太陽公轉的地球運動與木星的衛星運動的方程式，因而發現了「萬有引力定律」。   　　◎ 伏打電池 　　伏打電池是一種電力為0.76 V的一次電池。正極使用銅板，負極使用鋅板，使用硫酸作為電解液。   　　◎ 安培定律 　　「安培定律」是一種用來表示電流及其周圍磁場關係的法則。磁場會沿著閉合迴路的路徑補足磁場的積分，

補足的積分結果會與貫穿閉合迴路的電流總和成正比。補足磁場則會以線積分的方式進行。   　　◎ 焦耳定律 　　由電流所產生的熱量Q會與通過電流I的平方以及導體的電阻R成正比（Q ＝ RI 2）   　　◎ 廷得耳效應 　　當光線通過膠體粒子時，光會出現散射現象，因此用肉眼就可以看到光的行走路徑。   　　◎ 光電效應 　　振動數為V的光固定擁有hv的能量，金屬内的電子會吸收該能量，因此電子所得到的能量為hv，當可以將電子從金屬内側搬運至外側的必要能量W（功函數）較大時，電子就會立刻被釋放出來。   　　◎ LED的原理 　　LED是將P型半導體與N型半導體接合而成的物體。稱作PN接面。P型半導體

是由電洞（正電）搬運電，N型半導體則是由電子（負電）搬運電。P型的電位比N型的電位來得高時，P型内部的電洞（正孔）會流向負極，N型内部的自由電子則會流向正極。   多位科普專業人士誠心推薦（依首字筆畫排序）   　　姚荏富（科普作家） 　　張東君（科普作家） 　　陳振威（新北市國小自然科學領域輔導團資深研究員） 　　鄭國威（泛科學知識長）

ZnO為電子傳輸層強化(Bi0.93Gd0.07)FeO3 複鐵陶瓷光伏效應與光偵測之研究

為了解決碳鋅電池推薦的問題，作者張少宇 這樣論述：

本研究使用固態反應法合成複鐵性(Bi0.93Gd0.07)FeO3 (簡稱B7GFO)陶瓷，ZnO鍍膜於ITO薄膜與B7GFO陶瓷試片之間作為電子傳輸層(electron transport layer, abbreviated as ETL)，ITO透明導電thin-film作為上電極，Au thin-film作為下電極，施加2kV/cm的電場極化B7GFO陶瓷，以波長405nm與360nm的UV雷射光照射樣品，測量其開路電壓、短路電流密度、反應時間，計算出光電流增益(photocurrent gain，G)、光響應度、光偵測度等，探討該材料對於光伏效應的變化，及其應用於光感測器之評估。本

實驗比較ITO/B7GFO/Au heterostructure樣品之光伏效應，增加選用ZnO thin-film 作為電子傳輸層(ETL)後，因為ZnO鍍膜於B7GFO陶瓷擁有良好的載子濃度與n-type semiconductor特徵，組成ITO/ZnO/B7GFO/Au heterostructure，當在增加ZnO thin-film做為電子傳輸層後，短路電流密度(Jsc)有顯著提升，濺鍍ZnO電子傳輸層之樣品極化前光電流增益為1.79%，電場極化後提升到3.24%，在光偵測部分極化前光響應度為5.84μA/mW，光偵測度為1.15×1011 Jones，極化後光響應度提升至7.31μ

A/mW，光偵測度提升至1.44×1011 Jones，由此可見濺鍍ZnO電子傳輸層之樣品並施加電場極化使光電流增益、光偵測度，光響應度皆有明顯提升。X光繞射分析(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)證實樣品為鈣鈦礦結構及晶粒成長緻密，穿透度實驗證明了鍍上ZnO後在405nm wavelength光源之光穿透性仍然維持高穿透度達到~75%，最後藉由光學能隙(bandgap) 與功函數(work function)的量測成功建構ITO/ZnO/ B7GFO ceramic/ Au之heterostructure與Schottky barrier的能帶(energy band)圖。