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這兩本書分別來自台科大 和化學工業出版社所出版 。

國立中興大學 機械工程學系所 吳嘉哲所指導 林清泓的 研製圓盤式壓電真空計 (2014),提出真空壓力單位換算表關鍵因素是什麼,來自於PZT壓電感測器、真空計、阻尼比。

而第二篇論文國立清華大學 材料科學工程學系 吳振名、姚永德所指導 陳士元的 FePt/Os多層膜之顯微結構及磁性質研究 (2009),提出因為有 FePt、Osmium、magnetic的重點而找出了 真空壓力單位換算表的解答。

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新一代 科大四技動力機械群引擎原理與實習升學寶典 - 最新版(第二版) - MOSME行動學習一點通:詳解.診斷.評量

為了解決真空壓力單位換算表的問題,作者黃旺根,羅仲修 這樣論述:

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點整理:條列式歸納整理,協助學生掌握重點。   3.即問即答:學後立即作答,加深印象。   4.隨堂練習:以節為單位,測驗自我學習效果。   5.綜合測驗:以章為單位,擴大練習試題層面並融入生活題。   6.歷屆統測精選:蒐錄近年考題,幫助學生掌握考題設計方向。   7.火紅素養題型:精準分析素養題型結構,掌握「測驗主題」與「核心素養」,面對跨領域素養題型也能游刃有餘!   8.歷屆試題答對率與難易度:自107年度起,統一入學測驗中心公告每一選擇題的考生答對率,並依據答對率來判別試題難易度(答對率小於40%表示困難,大於等於40%、小於70%表示中等,大於等於70%表示容易)。  

研製圓盤式壓電真空計

為了解決真空壓力單位換算表的問題,作者林清泓 這樣論述:

本論文延續實驗室之橋式PZT真空計元件之研究,主要利用正壓電效應及逆壓電效應原理,以及影響結構振動之阻尼可分為結構阻尼及氣體阻尼之理論,在氣體壓力較低時,氣體阻尼力影響較低,所以在輸入電壓時PZT材料形變量會較為大,進而使整體結構輸出端的電壓輸出提升,本研究主要利用此一特性來進行真空壓力的量測,藉此可以討論不同壓力下,阻尼的變化及壓電輸出比的變化,同時也研發雙層圓盤型PZT壓電真空計,以增加試片接觸氣體之表面積,使得氣體阻尼效應增加,並觀察其量測效果。將橋式試片及圓盤型試片製作完成及固定後,以電腦模擬共振頻率與實驗測量值做比較,也利用光學位移計輸入固定頻率(試片之共振頻率)之電壓,檢查試片變

形是否符合電腦模擬。藉此斷定品質是否良好,若沒問題則會將真空計元件應用於真空壓力的量測實驗上。由先前研究之數學模型中,可以得知阻尼與輸出比呈現反比關係,而當真空壓力越大,氣體阻尼影響越大,會造成輸出比下降。由頻譜分析儀得到頻率響應圖可用來計算阻尼比,阻尼比計算上則利用半功率法,最後由實驗量測的結果,可探討不同真空壓力下,阻尼比的變化情形是否與數學模型及理論相符合。最後由實驗可以得知,研究中所設計之橋式壓電真空計及圓盤型壓電真空計可以量測到760~6.5E-6Torr之真空範圍,橋式試片由此一封裝方式改變後,可以發現其體積比先前橋式壓電真空計裝置體積約減少1/3,且輸出比之變化也較為靈敏,並製作

圓盤型PZT 真空計,以增加試片接觸氣體之面積,最後再與橋式真空計的量測結果做比較,探討其優缺點。關鍵字:PZT壓電感測器、真空計、阻尼比

現代機械設計手冊:單行本氣壓傳動與控制設計(第二版)

為了解決真空壓力單位換算表的問題,作者吳曉明 這樣論述:

一部順應“中國製造2025”智慧裝備新要求、技術先進、資料可靠的現代化機械設計工具書,從新時代機械設計人員的實際需求出發,追求現代感,兼顧實用性、通用性,準確性,涵蓋了各種常規和通用的機械設計技術資料,貫徹了新的國家及行業標準,推薦了國內外先進、智慧、節能、通用的產品。

FePt/Os多層膜之顯微結構及磁性質研究

為了解決真空壓力單位換算表的問題,作者陳士元 這樣論述:

本論文主要以直流磁控濺鍍的方式製作FePt/Os多層膜系統及研究其特性。近年來許多有關鐵磁性材料透過非磁性物質產生交換藕合與其巨磁阻(gaint magnetoresistance)效應的研究,例如:Fe/Cr、Co/Ru、Co/Cr這些系統已經被廣泛的探討。我們以FM/Os/FM (FM=FePt, CoFe, Co, Fe, CoFeB, CoFeC)三層膜系統,改變中間層(Os)厚度來討論三層膜系統的磁阻效應與隨Os厚度變化出現的磁藕合行為與磁阻率的變化。又成長於陽極氧化鋁基板之FePt薄膜,我們透過SEM觀察,研究FePt薄膜於氧化鋁基板上的成長過程與機制,增加Au緩衝層對改善fct

-FePt序化程度、提高矯頑力、降低序化溫度等有顯著的效果。針對FePt/Os多層膜之磁性質與微結構研究,我們以具高融點的貴金屬Os作為插入層來探討成長於玻璃基板與矽基板上的FePt/Os多層膜在高溫退火時的熱穩定性、薄膜層間的相互擴散、微結構和磁性質之研究。FePt/Os多層膜藉由非磁性層Os的間隔,使得晶粒度有效減小,並顯著提昇矯頑磁力(Hc)。而適量Os的添加,對於穩定FePt晶粒邊界與介面亦有很大的助益,使得晶粒表面異向場的減小達到最少。對Si(100)//[FePt(100nm)/Os5nm]薄膜而言,有或沒有Os緩衝層於熱處理700°C下的矯頑磁力值相差約9.3kOe。而實驗中證實

Os緩衝層在高溫退火下可以有效阻擋矽基板的矽化反應及磁性層與磁性層間地相互擴散,即使Os間隔層的厚度只有1nm,仍可有效阻擋層與層間的擴散效應,並有效提高薄膜結構的熱穩定性與硬磁性質。Os插入層亦可控制FePt的晶粒大小及限制晶粒成長方向沿厚度二維方向成長。FePt薄膜的平均晶粒尺寸大小和L10硬磁相可藉由熱處理溫度和FePt膜每層厚度的調整而得到控制,並藉此提高矯頑磁力,成為良好超高密度磁記錄媒體的硬磁性材料。