的記憶的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

的記憶的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦孟慶玲,夏婉雲寫的 站在石頭上的人:花蓮光華村的記憶與哀愁 和SanjayGupta的 大疫時代必修的生命教育都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自釀出版 和行路所出版 。

國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 (2021),提出的記憶關鍵因素是什麼,來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 荊鳳德所指導 古淯辰的 兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體 (2021),提出因為有 電阻式記憶體、金屬導電絲、銅、高可靠度、低變異度的重點而找出了 的記憶的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了的記憶,大家也想知道這些:

站在石頭上的人:花蓮光華村的記憶與哀愁

為了解決的記憶的問題,作者孟慶玲,夏婉雲 這樣論述:

的記憶進入發燒排行的影片

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二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決的記憶的問題,作者鍾昀晏 這樣論述:

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展,塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限,因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力,被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先,我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀(XPS)與光致發光譜(PL)進行分析,量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準,參考以往製程經驗,可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上,並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮(Nb)摻雜的二硫化鉬,P型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻,透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構,傳輸線模型(TLM)分析顯示出,邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上,並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因,並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上,我們使用化學氣相沉積(CVD)合成的二硫化鉬成功製作出單層N型通道元件,將此電晶體與記憶體元件相結合,用雙閘極結構將讀(read)與寫(write)分成上下兩個獨立控制的閘極,並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量,藉由本體效應(Body effect)獲得足夠大的

記憶區間(Memory window),可擁有高導電度比(GMAX/GMIN = 50)與低非線性度(Non-linearity= -0.8/-0.3)和非對稱性(Asymmetry = 0.5),展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外,我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用,將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性,可於單一二維材料電晶體上展現出來,並在兩種邏輯閘(NAND/NOR)特性作切換,二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件,首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2),並成功製作次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S.)約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比(ION/IOFF ratio)的40奈米通道長度二硫化鎢P型通道電晶體,其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當,可作為互補式場效電晶體。另一方面,深入了解二維材料其材料特性後,可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度,有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。

大疫時代必修的生命教育

為了解決的記憶的問題,作者SanjayGupta 這樣論述:

歐巴馬最屬意的衛生署長人選 白宮學者、CNN首席醫療記者 OpenBook年度生活書《大腦韌性》作者 桑賈伊.古普塔(Sanjay Gupta) 震聾發聵之作!     研究顯示,在我們有生之年,至少會再遭遇一場傳染病大流行,   那麼,從個人、社會到國家,應該從這次新冠疫情中學到什麼?     桑賈伊.古普塔是資歷長達二十餘年的CNN首席醫療記者,長期以來親臨全球重大災難現場,包括海地地震、日本海嘯,伊拉克、科威特和阿富汗戰事等,重要醫療事件更是無役不與,比如SARS與伊波拉病毒疫情、中東呼吸症候群疫情、炭疽病毒攻擊事件,都可見他站上第一線,撰文或邀請專家一

同為美國民眾解惑。由於報導內容專業、持平又深入淺出,深受美國民眾信賴,在新冠疫情爆發後,他的文章與節目也成了民眾了解相關事實的首選。     由於大流行病很可能每隔一段時間便捲土重來,古普塔以此次新冠疫情為鑑,為國家、社會乃至個人,整理出重要的因應之道。為此,他至今做了數千場訪談,對象包括華府決策要員、世界頂級公共衛生專家、流行病學相關領域知名學者、患者本人或家屬、私營單位主事者,以及與時間賽跑、迅速研發治療對策的科學家及其合作藥廠之高層等,從而得知許多獨家內幕。     此書前半部,檢討了疫情爆發後美國犯下的種種失誤,像是政治角力導致正確防疫政策推遲、質疑口罩與社交距離的效果

、輕忽無症狀感染、誤判新冠肺炎為老人病、太晚關閉公共場所等。此外古普塔還調查並回應了幾個重大疑慮,像是:全球疫情爆發源頭在哪?是否有人刻意釋出病毒?「疫苗猶豫」甚至「反疫苗運動」抱持什麼考量與論點?它們又錯在哪裡?作者以科研成果和他國經驗,建議了更為理想的作法。     由於長年直接與大眾溝通,古普塔的著作往往非常實用。本書後半部從這波疫情對人類社會造成的長期影響切入,關照民眾切身的難題,探討日後生活方式應如何調整:日常生活如何與病原共存、如何安排財務計畫、為何應預立危急時的醫療選擇、如何調適心態並培養心理韌性、怎麼為年老的父母安排居住環境、外出旅行要特別注意什麼,乃至長新冠患者日後要

怎麼維護健康……等等。 全書讓讀者在掌握真實資訊的同時,亦使自己的生命更具韌性、更具保障。(更詳盡介紹可參閱目錄引文)   各界好評     ►「古普塔借鑑他在前線抵抗新冠肺炎的精彩報導,寫了這本充滿實用智慧的書,幫助我們在大流行病盛行的這個時代變得更有韌性。藉著近期吸取的經驗,這本帶著希望和樂觀的書為讀者在駕馭未來時提供了一個紮實的基礎。」——華特.艾薩克森(Walter Isaacson),《賈伯斯傳》與《破解基因碼的人》等暢銷書之作者     ►「既像謀殺案推理小說,又是實用的生存指南,桑賈伊.古普塔醫生此書實屬傑作。在這本精彩的書中,桑賈伊向讀者揭發在疫情新聞中不

曾聽過的事(極少人有能耐這麼做),同時提供我們保持安全、並以前所未見的方式追求生命所需的日常工具。」——安迪.斯拉維特(Andy Slavitt),白宮新冠肺炎應對團隊前資深顧問     ►「憑藉著特有的好奇心、同情心和謙卑,再結合大師級的說故事長才,古普塔醫生介紹了這場我們經歷過最嚴重的公共衛生災難決定性的歷史,不管是個人還是整個社會,如果想要變得更強大就必須讀這本書。」——溫麟衍醫生,前巴爾的摩衛生專員     ►「口罩、肥皂、水、與人保持六英尺距離,再加上這本傑作,能讓我們在勢必得面對的下一場疫情中得以生存——也對我們剛經歷的這場疫情更加了解。新冠肺炎目前尚無治癒方法,但

這本書能讓你免受那些把世界搞得天翻地覆的錯誤訊息和假消息所累。」——史考特.伯恩斯(Scott Z. Burns),電影《全境擴散》編劇     ►「桑賈伊.古普塔醫生的智慧,讓我得以在過去十八個月守護住家人。現在這本書將使我們更有把握,自己擁有面對接下來發生的事時應具備的資源和心態。」——法蘭西斯.福特.柯波拉(Francis Ford Coppola),五度奧斯卡金像獎最佳導演獎得主     ►「這本書簡直是驚悚小說,我們暫時還不知道結局。這就是為什麼我們需要古普塔這位值得信賴、誠實且明智的嚮導,來告訴我們為何我們會走到這個地步,並幫助我們預見未來,以因應下一場大流行發生。

」——拉里.布萊恩特(Larry Brilliant)醫生,公共衛生碩士及大流行應對諮詢公司(Pandefense Advisory)執行長     ►「如果有哪本關於新冠肺炎的書是「必讀的,毫無疑問就是這本。」——彼得.傑.霍特茲(Peter Jay Hotez),貝勒醫學院熱帶醫學院院長及教授     ►「這本書對當前與未來的健康危機,做了充滿智慧且資訊完整的評估。」——《科克斯書評》     ►「寫實,但是帶給人的感覺並非愁雲慘霧、黯淡無光,反倒是令人振奮的期許。」——《出版者週刊》  

兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體

為了解決的記憶的問題,作者古淯辰 這樣論述:

記憶體的市場需求越來越大,人工智慧的快速發展讓人類需要兼具大量資料儲存空間與快速讀寫性能的記憶體,目前市面的固態硬碟與DRAM的讀寫速度仍有一段差距,因此需要研究新的記憶體來達成這個目標,電阻式記憶體有著快速的讀寫速度與高密度堆積的潛力,為目前主流新興記憶體的一種,但元件的變異度太大使得電阻式記憶體難以有更大的儲存容量,因此本研究著重於變異度的改善。本篇用銅當作上電極,藉由銅導電絲的形成來轉換阻態,絕緣層則沉積GeOx與GeOxNy來比較性質差異。結果可觀察到GeOxNy元件的特性得到大幅改善,與同製程下的GeOx相比,擁有更低的變異度與更高的可靠度,脈衝操作的耐久性可以超過10^6、資料於

85°C下可保存超過10^4且直流耐久性可超過10^3,CV值則從原本的20-30%降低到10%出頭。