發現者v339的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

固態元件上的量子資訊放大與偵測

為了解決發現者v339的問題，作者劉少勳 這樣論述：

我們實驗上證明了超導/絕緣/超導的一維穿隧接合陣列的直流電性可以被用來量測影響的射頻強度。此結果表明可應用一維接合陣列做為免校正且直接的射頻強度偵測器。利用此一維陣列作為射頻訊號偵測器, 我們研究當調控一維陣列阻抗的情況下, 其射頻訊號耦合的強度。根據實驗觀察結果, 我們推斷在研究射頻訊號的耦合強度下, 屏蔽效應扮演著一個主要的作用。射頻單電子電晶體為一個受矚目的量子位元讀出的候選者, 實驗上取反射訊號的強度變化偵測與相位偏移偵測研究其電荷的靈敏度。引人注意地, 強度變化偵測的靈敏度跟相偏移偵測的靈敏度在隨著載波頻率改變下,有著不同的反應: 對強度偵測來說, 共振頻率是最好的工作點; 反觀相

位偏移偵測, 卻要遠離共振頻率。在射頻單電子電晶體的共振線路的品質因子大於10的情況下, 最佳的相位偏移偵測靈敏度會比振幅偵測靈敏度來的高, 實驗上也發現較高的品質因子對應著較好的相位偏移偵測。此外, 我們用模型佐證了實驗中在偏壓於負微分電阻的情況下,振幅偵測與相偏移偵測的庫倫震盪, 其相位同反向變化的對應情形。最近備受矚目的奈米機電系統也在此論文中探討。為了瞭解奈米機電系統的動力學, 在研究其電性上, 巨壓電阻效應是一合適的方向。我們這裡改變電場的影響與控制應力環境, 來觀測兩組不同晶向矽奈米線的巨壓電阻效應; 發現了經由調控電場影響, 可讓巨壓電阻效應由線性變化轉變到非線性的變化, 且在此

幾近無參雜矽奈米線的壓電阻效應為一般矽晶塊材的27倍以上。我們研究表明在矽奈米線的表面交接處狀態主要的影響其巨壓電阻效應。