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楔形結構的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦滄桑戰神寫的 贏家之道（3）：主升浪戰法 可以從中找到所需的評價。
另外網站中國木器的楔形結構很厲害，為什麼現在的傢具很少見這種結構了 ...也說明：如圖所示的這種楔形結構，說的專業一點就是榫卯結構。榫卯結構可是我國傳統傢具的靈魂，不用一釘卻能做出巧奪天工的傢具，渾然天成，天衣無縫，是一種充滿中國智慧的 ...
國立勤益科技大學 機械工程系 姚威宏所指導 蕭瀚書的 三軸運動平台之動態模擬與結構分析 （2020），提出楔形結構關鍵因素是什麼，來自於三軸運動平台、雙曲線函數、角加速度增量比值、牛頓-尤拉法、結構優化分析。
而第二篇論文國立雲林科技大學 材料科技研究所 吳德和所指導 葉柏廷的 不同的離子轟擊能量對楔形鈷鐵硼的磁特性之影響 （2019），提出因為有 鈷鐵硼、楔形薄膜、反應式離子蝕刻轟擊、磁異向性的重點而找出了 楔形結構的解答。
最後網站1种楔形结构的夹爪，看过这类的结构吗？則補充：1种 楔形结构 的夹爪，看过这类的结构吗？ 4449 3 2021-08-16 21:00:12未经作者授权，禁止转载. 主人，未安装Flash插件，暂时无法观看视频，您可以…
贏家之道（3）：主升浪戰法
為了解決楔形結構 的問題，作者滄桑戰神 這樣論述：
從交易角度來看，操作不應過度激進，太頻繁的短線操作容易讓虧損加劇。但從生命維度來看，人生不過百年，操作又不應過度保守，如果癡守一隻個股，萬一它幾十年不漲怎麼辦？ 在穩健和激進中間還有一個可選項，那就是本書解析的主升浪戰法，它是一種主動攻擊性的交投策略，但同時又注重交易的安全性，是進可攻、退可守，能讓你立於不敗之地的交易戰法。 本書從多維度深刻探究主升浪底部特點，並從實戰維度闡述了主升浪相應的買點，詳細講解了主升浪運行特徵，以及主升浪頂部特徵，讓讀者朋友在實戰中能更容易地識別主升浪、捕捉和駕馭主升浪。 股市中投資人的心理容易變得浮躁，信念很容易動搖，建議讀者朋友靜
下心來多讀幾遍這本書，然後在實戰中不斷錘煉自己的交易心態，這樣才能堅定對主升浪戰法的信心。所謂“勝人者有力，自勝者強”，炒股也是一種修行，想戰勝股市，必須先提高自己。
楔形結構進入發燒排行的影片
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三軸運動平台之動態模擬與結構分析
為了解決楔形結構 的問題，作者蕭瀚書 這樣論述：
近年來隨著科技進步，人們對於虛擬實境平台需求與日俱增，而平台皆以六軸運動機台為主，主要應用範圍包括娛樂、飛行模擬訓練、汽車駕駛模擬或量測與檢驗，而此平台皆以史都華平台為主，史都華平台之缺點為活動範圍較受限制，因此本研究乃探討如何讓三軸運動平台轉動角度作出較無拘束之運動外，期望使用者在操作上更精準地、舒適地位移操控。本研究設定最大角速度目標值為每秒60度，而在目標值時間內，角加速度曲線需達到突然激增與趨緩銳減，亦使操控者能更身歷其中，故取此角加速度曲線近似之雙曲線函數作為牛頓-尤拉法的角加速度值，並加入角加速度增量比值，以牛頓-尤拉法計算得到角加速度值，再設定各組件幾何材質，求得各軸之轉動慣性
矩並將其與角加速度乘積得到扭矩，以此選擇符合各軸扭矩需求的馬達規格。最後，將作用力之邊界條件套入靜態分析與結構優化分析求解，結果符合剛性需求與安全係數1.5倍的乘積，可做為設計人員後續進行結構優化的參考。
不同的離子轟擊能量對楔形鈷鐵硼的磁特性之影響
為了解決楔形結構 的問題，作者葉柏廷 這樣論述：
這項研究探討了以鎢(Tungsten, W)和鉭（Tantalum, Ta）為覆蓋層和種子層的水平異向性Co20Fe60B20（CoFeB）楔形結構的磁特性，此外，在退火之前和之後已經進行了不同的反應式離子蝕刻（RIE）以觀察其對磁特性的影響。四種結構：Stack-1（SiOx / Ta-（楔形）/ Co20Fe60B20 / W / MgO / MgOx / Ta），Stack-2（SiOx / Ta / Co20Fe60B20-（楔形）/ W / MgO / MgOx / Ta），Stack-3（SiOx / W-（楔形）/ Co20Fe60B20 / MgO / MgOx / Ta）和
Stack-4（SiOx / W / Co20Fe60B20-（楔形）/ MgO / MgOx / Ta）皆使用不同的RIE和退火條件處理。並使用交替梯度磁力測量儀（AGM），用於分析水平磁性薄膜之結構的磁特性：飽和磁化強度（Ms），殘餘磁化強度（Mr）和矯頑力（Hc），而電流平面穿隧（CIPT）法則用來量測結構的片電阻。將不同的反應性離子蝕刻能量條件分為三種類型：wo，Etch-A和Etch-B分別對應為無蝕刻、快速蝕刻速率和緩慢蝕刻速率。而實驗表明，僅未烘烤的Stack-1不具任何磁異向性，但是其他結構（Stacks 2-4）在所有條件下幾乎均顯示出水平磁異向性。Stack-2經蝕刻後其M
S會增加，且經蝕刻B後的會較略大。同樣Stack-3之Ms亦隨著蝕刻而增加，且蝕刻B的確具較大值。但是，對於Stack-4其Ms值經蝕刻後會降低，並在蝕刻A具最小值，Ms的降低可能是由於RIE造成的損壞。另外退火可以使膜再結晶以改變磁異向性，因此經過RIE且結構膜層在250℃下退火30分鐘後，可觀察到經Etch-B條件的結構可提昇的磁特性優於Etch-A。 研究成果顯示，磁性層與電極層之楔形厚度會造成不同區域具有不同的特性，而其磁特性可透過RIE的蝕刻快慢和/或退火來改善，此法有助於不同的自旋電子記憶體的應用開發。