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國立中興大學 材料科學與工程學系所 張立信所指導 劉至堯的 N型BaGaSn熱電材料之製程開發與特性分析 （2011），提出日本石英元件大真空關鍵因素是什麼，來自於BaGaSn、熱電材料、助熔劑法、粉末冶金、ZT值。

而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 張立信所指導 蔡雨儒的 以粉末冶金法製備BaGaGe晶籠材料及其熱電特性研究 （2011），提出因為有 熱電材料、BaGaGe 晶籠、電弧熔煉法、粉末冶金法、密度、熱電優值的重點而找出了 日本石英元件大真空的解答。

最後網站新聞內文則補充：因車用需求復甦、5G智慧手機普及，提振全球石英元件大廠大真空(Daishinku) ... 額大增52%至40.14億日圓、營益暴增126%至1.2億日圓；日本市場銷售額大 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了日本石英元件大真空，大家也想知道這些：

N型BaGaSn熱電材料之製程開發與特性分析

為了解決日本石英元件大真空的問題，作者劉至堯 這樣論述：

本研究分別利用助熔劑法及粉末冶金法製備N型BaGaSn化合物，並探討成分配比、燒結時間及燒結溫度對BaGaSn化合物熱電特性之影響。EDS分析之結果顯示，以助熔劑法製備之樣本有多核成長的現象，且作為助熔劑的Sn並未與樣本完全分離。由X光繞射分析的結果可知，BaGaSn在450℃以上會分解，這顯示其為不一致熔融之化合物。在不同成分配比之樣本中，隨著Sn添加量的上升，Sn的繞射峰強度也逐漸上升，而BaGaSn之強度則有些微下降。在空氣中反覆加熱會使BaGaSn與氧反應而生成BaGa12O19及Ba2SnO4。根據熱電量測之結果，燒結時間的增加會使孔隙率減少並提升電導率，但Seebeck係數卻會因

為晶界面積的減少而下降。而過量Sn的添加雖可提升電導率，但也連帶使Seebeck係數降低。熱導率的量測結果顯示，隨著溫度的上升熱導率會持續下降，在300℃則會再次上升。在空氣中重覆加熱過後，由於添加在樣本中的過量Sn析出，使整體Seebeck係數大幅提高，而電導率則明顯下降。最佳的功率因子出現在250℃，初始成分配比為Ba:Ga:Sn=8:16:33之樣本，其值為0.25 mW/m•K2。從ZT值的計算結果中可知，ZT值的大幅增加可歸因於功率因子的提高及熱導率的下降，最佳值出現在250℃，其值為0.25。

以粉末冶金法製備BaGaGe晶籠材料及其熱電特性研究

為了解決日本石英元件大真空的問題，作者蔡雨儒 這樣論述：

本實驗以電弧熔煉法搭配粉末冶金法製備出成分穩定之 Type - I Ba-Ga-Ge 合金粉末，探討不同燒結時間、溫度對熱電特性之影響，並進一步找出最佳燒結參數。 由 ICP - MS 成分定量分析可得知，以粉末冶金法大量混合粉末方式可製備出成分均勻之 BaGaGe 合金粉末。從 X 光繞射分析可得知， BaGaGe 合金中是由 Type - I BaGaGe 及 Ge 相所組成。從密度量測可得知，隨著燒結時間增加，試片密度會隨之增加。另外，從電子顯微鏡影像中可得知，隨著燒結時間增加，緻密區域會增加。此結果與密度相符。 在熱電特性方面，所有BaGaGe 合金隨著溫度升高，電導率與

Seebeck係數絕對值會上升，熱導率會下降，但在500 ℃ 之後 Seebeck係數絕對值會有下降或平緩的情形，而熱導率則是會提升，整體熱導率皆低於 1。另外，隨著燒結時間增加對 Seebeck 係數絕對值並無太大影響，而電導率會增加。由於在室溫與600 ℃ 之間可找出 Seebeck 係數與熱導率之極限值，因此燒結溫度800 ℃ 及燒結時間 64 hr 在環境溫度為 500 ℃ 可得最佳熱電優值，其值為 1.16。

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