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國立交通大學 材料科學與工程學系所 張立所指導 黃鈺淇的 連續式微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅磊晶膜於c面藍寶石基板之研究 （2019），提出寶峰uv-9r關鍵因素是什麼，來自於氧化鋅、磊晶、霧化化學氣相沉積、微波、化學浴。
連續式微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅磊晶膜於c面藍寶石基板之研究
為了解決寶峰uv-9r 的問題，作者黃鈺淇 這樣論述：
氧化鋅(zinc oxide, ZnO)屬於Ⅱ-Ⅵ族的半導體材料，其高熱穩定性、化學穩定性以及可見光區域的高透明度而得到廣泛應用。本篇論文主要探討以微波輔助加熱化學浴沉積法經長時間連續沉積磊晶ZnO於c面藍寶石基板上的條件。本實驗以分成三部分進行，首先第一階段以霧化-化學氣相沉積系統(mist chemical vapor deposition, Mist-CVD)成長ZnO晶種層，接著第二階段透過微波輔助化學浴沉積系統(microwave assisted chemical bath deposition, MWCBD)，以硝酸鋅與六亞甲基四胺以等莫耳調配作為製程溶液並添加改質劑-檸檬酸鈉
，使ZnO晶種進行側向成長，第三階段藉由連續式補充溶液系統分別注入硝酸鋅與六亞甲基四胺於鐵氟龍燒杯中，並微波輔助加熱下，快速合成ZnO磊晶膜。分析方面以X光繞射儀(x-ray diffractometer, XRD)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope, SEM)、光激發光光譜（photoluminescence, PL）、傅里葉轉換紅外光譜(fourier-transform infrared spectroscope, FTIR)、掃描穿透式電子顯微鏡(scanning transmission electron microscope, STEM)等
分析探討ZnO磊晶膜成長於c面藍寶石基板結晶情況、表面形貌與退火後ZnO其薄膜品質與光學性質變化。第一階段總流量6 SLM、500 C、15 min所製備之ZnO晶種層，於SEM表面形貌下之晶種大小約150-200 nm、覆蓋於基板密度約30-35 %，經實驗顯示，此晶種層較適合輔助第二階段ZnO側向成長；第二階段以硝酸鋅與六亞甲基四胺之等混合水溶液濃度為0.15 M並搭配0.2 mM、製程時間30 min之改質劑(檸檬酸鈉)有最佳的側向成長結果，以此作為第三階段軸向成長之基底；第三階段為硝酸鋅與六亞甲基四胺之等莫耳混合水溶液濃度為0.1 M，透過蠕動幫浦注入(4.5 ml/min)至鐵氟龍
燒杯中，經8小時的成長，厚度達約39.1 m，ZnO之X光搖擺曲線(x-ray rocking curve, XRC)其(0002)的半高寬約325 arcsec。本研究成功使用微波輔助加熱化學浴搭配自行設計之連續式補充溶液系統，來改善Zn2+與OH-離子的供應量，形成2吋ZnO磊晶膜。